【飞利浦半导体产品speci fi cation硅扩散型功率晶体管BU2525DX概述新一代的高电压，】,IC型号BU2525DX,BU2525DX PDF资料,BU2525DX经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2525DX

概述

新一代的高电压，以在一个塑料集成阻尼二极管高速开关npn晶体管

全包封套设计用于大屏幕彩色电视接收机的水平偏转电路中使用最多

32千赫。

快速参考数据

符号

V

CESM

I

C

I

CM

P

合计

V

CESAT

V

首席执行官

I

CSAT

t

s

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极饱和电流

贮存时间

条件

V

BE

= 0 V

T

hs

≤

25 C

I

C

= 8.0 A;我

B

= 1.6 A

I

CSAT

= 8.0 A;我

B（完）

= 1.1 A

典型值。

-

-

-

-

-

-

8.0

3.0

马克斯。

1500

12

30

45

5.0

800

-

4.0

单位

V

A

A

W

V

V

A

s

钉扎 - SOT399

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

引脚配置

例

符号

c

b

RBE

孤立的情况下，

1 2 3

e

极限值

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

V

CESM

V

首席执行官

I

C

I

CM

I

B

I

BM

-I

B（ AV ）

-I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

反向基极电流

反向基极电流峰值

1

总功耗

储存温度

结温

条件

V

BE

= 0 V

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-55

-

马克斯。

1500

800

12

30

8

12

200

9

45

150

150

单位

V

V

A

A

A

A

mA

A

W

C

C

平均超过任何20 ms周期

T

hs

≤

25 C

热阻

符号

R

日J- HS

R

日J- HS

R

日J-一

参数

结到散热器

结到散热器

结到环境

条件

无散热化合物

与复合散热器

在自由空气

典型值。

-

-

35

马克斯。

3.7

2.8

-

单位

K / W

K / W

K / W

1

关断电流。

1997年9月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2525DX

隔离限值&特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

V

ISOL

参数

所有重复峰值电压

三个端子的外部

散热器

条件

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

-

典型值。

马克斯。

2500

单位

V

C

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

-

22

-

pF

静态特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

I

CES

I

CES

I

EBO

R

EB

BV

EBO

V

CEOsust

V

CESAT

V

BESAT

h

FE

h

FE

V

F

参数

集电极截止电流

2

发射极截止电流

基极 - 发射极电阻

发射极 - 基极击穿电压

集电极发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

;

T

j

= 125 C

V

EB

= 6.0 V ;我

C

= 0 A

V

EB

= 6.0 V

I

B

= 600毫安

I

B

= O A;我

C

= 1OO毫安;

L = 25毫亨

I

C

= 8.0 A;我

B

= 1.6 A

I

C

= 8.0 A;我

B

= 1.6 A

I

C

= 1 ; V

CE

= 5 V

I

C

= 8 A; V

CE

= 5 V

I

F

= 8 A

分钟。

-

-

72

-

7.5

800

-

-

-

5

-

典型值。

-

-

110

55

13.5

-

-

-

11

7

1.6

马克斯。

1.0

2.0

218

-

-

-

5.0

1.1

-

9.5

2.0

单位

mA

mA

mA

V

V

V

V

V

动态特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

C

c

参数

集电极电容

开关时间（ 32 kHz的行

偏转电路）

t

s

t

f

V

fr

t

fr

关闭存储时间

关断下降时间

反并联二极管正向恢复

电压

反并联二极管正向恢复

时间

条件

I

E

= 0 ; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

CSAT

= 8.0 A; L

C

= 260

H;

C

fb

= 13 nF的;

I

B（完）

= 1.1 ; L

B

= 2.5

H;

-V

BB

= 4 V;

（ -dI

B

/ DT = 1.6 A / μs）内

典型值。

145

马克斯。

-

单位

pF

3.0

0.2

16

410

4.0

0.35

-

-

s

s

V

ns

I

F

= 8 A;迪

F

/ DT = 50 A / μs的

V

F

= 5 V

2

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1997年9月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2525DX

晶体管

IC

二极管

I

CSAT

+ 150V，额定

调整ICsat

t

Lc

IB

IBend

t

10us

13us

D.U.T.

IBend

LB

CFB

RBE

32us

VCE

-VBB

t

图1 。开关时间波形。

图4 。开关时间测试电路。

ICsat

90 %

IC

100

的hFE

BU2525DF

TJ = 25℃

TJ = 125℃

5V

10 %

tf

ts

IB

IBend

t

10

1V

t

1

0.1

1

10

IC / A

100

- IBM

图2 。开关时间的定义。

图5 。典型的直流电流增益。

FE

= F（我

C

)

参数V

CE

I

F

I

F

1.2

1.1

1

VBESAT / V

TJ = 25℃

TJ = 125℃

BU2525AF

10%

吨FR

V

F

时间

0.9

0.8

0.7

0.6

IC / IB =

3

4

5

0.1

1

IC / A

10

5V

V

F

时间

V

fr

0.5

0.4

如图3所示。的反并联二极管V定义

fr

和T

fr

图6 。典型的基极 - 发射极饱和电压。

V

BE

SAT = F （I

C

） ;参数I

C

/I

B

1997年9月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2525DX

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

VCESAT / V

IC / IB =

5

4

3

BU2525AF

1000

EOFF / UJ

IC = 8的

BU2525AF

7A

100

TJ = 25℃

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.1

TJ = 125℃

1

IC / A

10

100

10

0.1

1

IB / A

10

图7 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。

V

CE

SAT = F （I

C

） ;参数I

C

/I

B

图10 。典型的关断损耗。牛逼

j

= 85C

EOFF = F （I

B

） ;参数I

C

; F = 32千赫

1.2

1.1

1

0.9

VBESAT / V

TJ = 25℃

TJ = 125℃

BU2525AF

IC 。

0.8

0.7

0.6

0

1

2

IB / A

3

8A

6A

5A

4A

4

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

TS ， TF /美

32千赫

BU2525AF

ts

IC =

8A

7A

0.1

1

IB / A

tf

10

图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。

V

BE

SAT = F （I

B

） ;参数I

C

图11 。典型的集热器存储和下降时间。

TS = F（我

B

） ; TF = F（我

B

） ;参数I

C

; T

j

= 85℃ ; F = 32千赫

归一化功率降额

与复合散热器

10

VCESAT / V

BU2525AF

TJ = 25℃

TJ = 125℃

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

8A

1

6A

5A

IC = 4的

0.1

0.1

1

IB / A

10

0

20

40

60

80

部份效果/ C

100

120

140

图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。

V

CE

SAT = F （I

B

） ;参数I

C

图12 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

25℃

= F（T

hs

)

1997年9月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2525DX

10

第Z / （K / W）

BU2525AF

IC / A

100

BU2525AF

TP =

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

ICM

= 0.01

40我们

儿童发展中心

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

0.1

10

100美

0.01

D=0

0.001

1E-06

1E-04

1E-02

T / S

T

1E+00

图13 。瞬态热阻抗。

Z

日J- HS

= F（T） ;参数D = T

p

/T

P合计

1

1毫秒

0.1

10毫秒

DC

0.01

1

10

100

1000 VCE / V

图14 。正向偏置安全工作区。牛逼

hs

= 25 C

I

疾病预防控制中心

＆放大器;我

CM

= F（V

CE

); I

CM

单脉冲;参数t

p

第二击穿限制温度的独立。

安装有散热化合物。

1997年9月

5

启1.200

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BU2525DX

描述

高

开关速度

高

电压

.Built式

Ddamper Ddiode

应用

·设计

在水平偏转电路中使用

大屏幕彩色电视接收机

绝对最大额定值（T

a

=25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流连续

基极电流峰值

集电极耗散功率

@T

C

=25℃

结温

存储温度范围

价值

1500

800

7.5

12

30

8

12

45

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

I

BM

P

C

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

2.8

单位

K / W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

V

ECF

C

OB

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

C- ê二极管正向电压

输出电容

条件

I

C

= 100毫安;我

B

= 0， L = 25mH

I

E

= 600mA电流，我

C

= 0

I

C

= 8A ;我

B

= 1.6A

B

BU2525DX

民

800

7.5

典型值。

最大

单位

V

V

5.0

1.1

1.0

2.0

72

11

5

7

9.5

2.0

145

218

V

V

mA

mA

I

C

= 8A ;我

B

= 1.6A

B

V

CE

= BV

CES ;

V

BE

= 0

V

CE

= BV

CES ;

V

BE

= 0;T

C

=125℃

V

EB

= 6V ;我

C

= 0

I

C

= 1A ; V

CE

= 5V

I

C

= 8A ; V

CE

= 5V

I

F

= 8A

I

E

= 0 ; V

CB

= 10V ; F

TEST

= 1MHz的

V

pF

开关时间

贮存时间

I

C

= 8A ，我

B(

结束

)

= 1.1A ; L

B

= 2.5μH

-V

BB

= 4V ; （ -dI

B

/ DT = 1.6A / μs）内

下降时间

0.35

4.0

μs

μs

t

英镑

t

f

ISC的网站： www.iscsemi.cn

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BU2525DX

描述

·采用TO- 3PML包

·高电压

·高速开关

·内置阻尼二极管

应用

·对于在水平偏转电路中使用

大屏幕彩色电视接收机

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流 - 峰值

基极电流（DC）的

基极电流 - 峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

1500

800

7.5

12

30

8

12

45

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

条件

民

BU2525DX

符号

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

V

F

C

C

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= 100毫安，我

B

=0,L=25mH

I

E

= 600mA电流，我

C

=0

I

C

= 8A ，我

B

=1.6 A

I

C

= 8A ，我

B

=1.6 A

V

CE

ΔBV

CES ;

V

BE

=0

T

C

=125

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ; V

CE

=5V

I

F

=8A

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

800

V

发射极 - 基极击穿电压

7.5

13.5

V

集电极 - 发射极饱和电压

5.0

V

基射极饱和电压

1.1

1.0

2.0

72

110

218

V

集电极截止电流

mA

发射极截止电流

mA

直流电流增益

11

直流电流增益

5

7

9.5

二极管的正向电压

1.6

2.0

V

集电极电容

145

pF

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BU2525DX

图2外形尺寸

3

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-

-

-

-

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联系人：连

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-

-

-

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BU2525DX

PHI

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BU2525DX

NXP/恩智浦

2443+

23000

TO-3PF

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24+

8640

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21500

TO-3P

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62710

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