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BUK765R2-40B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 2009年1月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该产品的设计和资格
适当的AEC标准适用于汽车的关键应用。
1.2特点和优点
Q101标准
适用于标准水平栅极驱动
来源
适用于要求苛刻的热
由于175℃的评价环境
1.3应用
12 V负载
汽车系统
通用开关电源
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1 ;
SEE
图3 ;
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
40
75
203
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 32 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图14
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图11 ;
SEE
图12
-
16
-
nC
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
T
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
-
-
494
mJ
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
4.4
5.2
m
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
BUK765R2-40B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
简化的轮廓
[1]
mb
图形符号
D
G
mbb076
S
SOT404
(D2PAK)
[1]
这是无法接受对销2的连接。
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
BUK765R2-40B
D2PAK
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3引线（ 1
铅裁剪）
VERSION
SOT404
BUK765R2-40B_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 13
恩智浦半导体
BUK765R2-40B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
SEE
图3 ;
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
SEE
图3 ;
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
雪崩耐用性
不重复
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
能源
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-55
-55
[1]
[2]
-
-
-
-
最大
40
40
20
143
75
75
573
203
175
175
143
75
573
494
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
mJ
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
源极 - 漏极二极管
BUK765R2-40B_2
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恩智浦半导体
BUK765R2-40B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
150
03nj26
120
P
DER
(%)
80
03na19
ID
(A)
100
上限为75 a由于包
50
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
103
03nj24
ID
(A)
TP = 10微秒
限制导通电阻= VDS / ID
102
100 s
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
BUK765R2-40B_2
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5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
0.74
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
从最小的足迹热阻;安装在一
结到环境
印刷电路板
R
号（j -a）的
-
50
-
K / W
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03nj25
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
10-3
10-6
T
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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