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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
=
12A
直流电流增益-H
FE
= 1000 (最小值) @我
C
= 5A
.Complement
到类型BDT64 / A / B / C
应用
·设计
用于音频输出级和通用
扩增fi er应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
BDT65
集电极 - 发射极
电压
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
集电极 - 发射极
电压
BDT65A
BDT65B
BDT65C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT65/A/B/C
价值
60
80
单位
V
CER
V
100
120
60
80
V
100
120
5
12
20
0.5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT65
BDT65A
I
C
= 30毫安,我
B
=0
B
BDT65/A/B/C
条件
60
80
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
100
120
BDT65B
BDT65C
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE (
on
)
V
ECF-1
V
ECF-2
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
C- ê二极管正向电压
C- ê二极管正向电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
I
C
= 5A ;我
B
= 20mA下
B
2.0
3.0
2.5
2.0
2.0
0.2
0.4
2.0
5
1500
1000
1000
200
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 10A ;我
B
= 100毫安
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
I
F
= 5A
I
F
= 12A
V
CE
=
1
/
2
V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
CB
= V
CBOMAX
;I
E
= 0
V
CB
=
1
/
2
V
CBOMAX
;I
E
= 0;T
C
= 150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
I
C
= 12A ; V
CE
= 4V
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
=1MHz
pF
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
1
6.0
2.5
10
μs
μs
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 20mA下;
V
CC
= 30V
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
半导体
BDT65-A-B-C
硅达林顿功率晶体管
在单片Dalrington电路NPN型外延基区晶体管和容纳在一个TO -220
ENVELOPPE 。它们被设计用于音频设备,一般的放大器的输出级,并
模拟开关应用。
PNP补充是BDT64 -A -B -C
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
评级
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
价值
60
80
100
120
60
80
100
120
5
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C
集电极电流
12
A
I
CM
集电极电流峰值
20
A
26/09/2012
半导体COMSET
1|5
半导体
BDT65-A-B-C
绝对最大额定值
符号
评级
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
价值
单位
I
B
基极电流
500
mA
P
T
功耗
@ T
mb
< 25 °
125
T
J
结温
150
°C
-65到+150
T
s
存储温度范围
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻,结到外壳
价值
1
单位
° C / W
26/09/2012
半导体COMSET
2|5
半导体
BDT65-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
典型值
最大
单位
I
E
= 0
V
CB
= V
CBO
最大
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
E
= 0
V
CB
= 1/2 V
CBO
最大
T
J
= 150 °C
I
E
= 0
V
CE
= 1/2 V
首席执行官
最大
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5 V
I
C
= 0
V
首席执行官
集电极 - 发射极
击穿电压
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
I
C
= 5 A
I
B
= 20毫安
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
I
C
= 10 A
I
B
= 100毫安
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
-
-
0.4
mA
-
-
2
mA
-
-
0.2
mA
-
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
2
mA
V
V
-
-
3
26/09/2012
半导体COMSET
3|5
半导体
BDT65-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
BE(上)
基射极电压( * )
评级
I
C
= 5 A,V
CE
= 4 V
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
-
典型值
-
最大
2.5
单位
V
I
F
= 5 A
V
ECF
C- ê二极管正向
电压
I
F
= 12 A
-
2
V
-
2
-
V
CE
= 4 V,I
C
= 1 A
-
1500
-
h
FE
直流电流增益( * )
V
CE
= 4 V,I
C
= 5 A
1000
-
-
-
V
CE
= 4 V,I
C
= 12 A
-
1000
-
C
OB
输出电容
I
E
= 0, V
CB
= 10 V
f
TEST
= 1MHz的
-
200
-
pF
开关时间
符号
t
on
t
关闭
评级
开启时间
打开-O FF时间
测试条件(S )
I
C
= 5 A,V
CC
= 30 V
I
B1
= -I
B2
= 20毫安
-
-
典型值
1
6
最大
2.5
10
单位
s
( * )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
26/09/2012
半导体COMSET
4|5
半导体
BDT65-A-B-C
机械数据案例TO- 220
外形尺寸(mm )
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
9,90
15,65
13,20
6,45
4,30
2,70
2,60
15,75
1,15
3,50
-
0,46
2,50
4,98
2.49
0,70
马克斯。
10,30
15,90
13,40
6,65
4,50
3,15
3,00
17.15
1,40
3,70
1,37
0,55
2,70
5,08
2.54
0,90
引脚1 :
引脚2 :
3脚:
BASE
集热器
辐射源
集热器
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更,
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何
和所有责任,包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
info@comsetsemi.com
26/09/2012
半导体COMSET
5|5
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数量
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BDT65B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BDT65B
DSI
2443+
23000
NA
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
BDT65B
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BDT65B
ST
24+
9850
TO-220
官方授权代理商入驻
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
BDT65B
PHIL
25+
3200
QFP
全新原装正品特价售销!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BDT65B
ST
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BDT65B
ST/意法
22+
95581
TO-220
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1131021506 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885814660 复制
电话:0755-83231869
联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
BDT65B
PHIL
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
BDT65B
ST/意法
20+
35216
MODULE
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BDT65B
ST
2024
30475
TO-220
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BDT65B
DSI
22+
32570
NA
全新原装正品/质量有保证
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