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分立半导体
数据表
BLF277
VHF功率MOS晶体管
产品speci fi cation
1992年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF功率MOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
黄金金属确保
卓越的可靠性
良好的热稳定性
可承受满负荷不匹配。
描述
硅N沟道增强
模式的垂直D- MOS晶体管
设计用于大信号放大器
在VHF频率的应用
范围内。
该晶体管被封装在一个
6引脚， SOT119法兰信封，用
陶瓷盖。所有的线索都隔离
从凸缘。
Fig.1简化外形和符号。
一种标记代码，显示出栅源
电压（V
GS
提供）信息
对于一对匹配的应用程序。参考
为进一步在“常规”部分
信息。
钉扎 - SOT119
针
1
2
3
4
5
6
描述
来源
来源
门
漏
来源
来源
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
andbook ， halfpage
BLF277
引脚配置
1
2
d
3
4
g
MBB072
s
5
6
MSB006
小心
该器件采用防静电包装中提供。栅源输入必须
运输和装卸过程中加以保护，防止静电。
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置
该产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共同的源电路。
操作模式
CW ， B类
f
（兆赫）
175
V
DS
(V)
50
P
L
(W)
150
G
p
（ dB）的
＆ GT ;
14
η
D
(%)
＆ GT ;
50
1992年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF功率MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
DS
±V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
mb
= 25
°C
条件
65
分钟。
BLF277
马克斯。
110
20
16
220
150
200
单位
V
V
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
热阻结到
安装底座
从安装热阻
底座到散热片
条件
T
mb
= 25
°C;
P
合计
= 220 W
T
mb
= 25
°C;
P
合计
= 220 W
热
阻力
0.8 K / W
0.2 K / W
手册， halfpage
10
2
MRA906
MGP219
手册， halfpage
300
ID
(A)
10
P合计
(W)
200
(1)
(1)
(2)
(2)
1
100
10
1
1
10
10
2
VDS （ V）
10
3
0
0
50
100
TH（ ° C）
150
（1）当前在此区域可以由R限于
DS （ ON）
.
(2) T
mb
= 25
°C.
（ 1 ）连续运行。
（2）不匹配时短时操作。
图2 DC飙升。
图3电源/温度降额曲线。
1992年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF功率MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS
g
fs
R
DS （ ON）
I
DSX
C
is
C
os
C
rs
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
栅极 - 源极的电压差
配对
正向跨导
漏源导通电阻
通态漏电流
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
V
GS
= 0; I
D
= 50毫安
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 50毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 50毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A; V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
分钟。
110
2
4.5
典型值。
6.2
0.2
25
480
190
14
BLF277
马克斯。
2.5
1
4.5
100
0.3
V
单位
mA
A
V
mV
S
A
pF
pF
pF
MGP220
手册， halfpage
0
MGP221
T.C.
（毫伏/ K）的
1
手册， halfpage
30
ID
(A)
20
2
3
10
4
5
10
2
V
DS
= 10 V.
10
1
0
1
ID （ A）
10
0
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
5
10
VGS （ V）
15
Fig.4
栅 - 源温度COEF网络cient
电压为漏极电流的函数，典型
值。
Fig.5
漏电流的栅源极间的函数
电压典型值。
1992年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF功率MOS晶体管
BLF277
手册， halfpage
0.4
MGP222
手册， halfpage
1200
MGE615
RDS （ ON）
()
0.3
800
C
（PF ）
0.2
CIS
400
0.1
COS
0
0
50
100
TJ （ ° C）
150
0
0
20
40
VDS （ V）
60
I
D
= 5 A; V
GS
= 10 V.
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.6
漏极 - 源极导通电阻为
结温度的函数，典型
值。
Fig.7
输入和输出电容的功能
漏极 - 源极电压，典型值。
MGP223
手册， halfpage
150
CRS
（PF ）
100
50
0
0
20
40
VDS （ V）
60
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.8
反馈电容的一个函数
漏极 - 源极电压，典型值。
1992年9月
5
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