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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D186
BC327
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据03月10日
1999年04月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
大电流(最大500 mA)的
低电压(最大45 V ) 。
应用
通用开关和放大,
例如音频放大器的驱动器级和输出级。
描述
PNP晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
NPN补充: BC337 。
1
手册, halfpage
BC327
钉扎
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
3
2
1
MAM281
Fig.1
简化外形( TO- 92 ; SOT54 )
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
45
5
500
1
200
625
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC327
BC327-16
BC327-25
BC327-40
h
FE
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
1. V
BE
减少了约
2
毫伏/ K随温度的升高。
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
1
V;
参见图2 ,图3和4
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
1
V ;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
=
20
V
I
E
= 0; V
CB
=
20
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V;
参见图2 ,图3和4
分钟。
100
100
160
250
40
80
典型值。
10
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
0.2
BC327
单位
K /毫瓦
马克斯。
100
5
100
600
250
400
600
700
1.2
单位
nA
A
nA
mV
V
pF
兆赫
1999年04月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC327
手册,全页宽
250
MBH717
的hFE
200
VCE =
1
V
150
100
50
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC327-16.
图2直流电流增益;典型值。
手册,全页宽
500
MBH718
的hFE
400
VCE =
1
V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC327-25.
图3直流电流增益;典型值。
1999年04月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC327
手册,全页宽
500
MBH719
的hFE
400
VCE =
1
V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC327-40.
图4直流电流增益;典型值。
1999年04月15日
5
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