NPN硅达林顿晶体管
BCV 27
BCV47
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
互补类型： BCV 26 BCV 46 （ PNP ）
TYPE
BCV 27
BCV 47
记号
FFS
FGS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C1474
Q62702-C1501
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 74 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
280
≤
210
符号
BCV 27
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
30
40
10
值
BCV 47
60
80
10
500
800
100
200
360
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BCV27 ， BCV47
NPN硅达林顿晶体管
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
互补类型： BCV26 ， BCV46 （ PNP ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
BCV27
BCV47
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BCV27
BCV47
集电极 - 基极电压
BCV27
BCV47
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
74 °C
结温
储存温度
1
含有铅，
记号
FFS
FGS
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
价值
30
60
单位
V
V
CBO
40
80
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
10
500
800
100
200
360
150
-65 ... 150
mW
°C
mA
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BCV27
BCV27
C
E
SOT-23
马克： FF
B
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为1.0 A.从源
过程05 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
40
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
3
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
*BCV27
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BCV27
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
集电极截止电流
VS环境温度
100
V
CB
= 30V
BV
CER
- 击穿电压（ V）
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
62.5
62
61.5
61
60.5
60
59.5
0.1
10
1
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
1
10
100
1000
电阻（K
)
输入和输出电容
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
VS反向电压
F = 1.0 MHz的
电容（pF）
20
增益带宽积
VS集电极电流
500
V CE = 5V
400
10
300
3
兴业银行
5
200
COB
100
2
0.1
1
10
100
0
1
10
20
50
100 150
V
- 集电极电压（ V）
I
C
- 集电极电流（毫安）
功耗与
环境温度
350
P
D
- 功耗（MW ）
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
SOT-23
SOT- 23磁带和卷轴数据
SOT- 23封装
CON组fi guration ：
图1 。
0
定制香格里拉
BEL
包装说明：
SOT- 23零件运胶带。载带是
从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯
树脂。盖带是一米
ultilayer膜（热激活
胶粘剂在NA
TURE ）主要由聚酯薄膜，
粘合剂层， sealan和一个
t,
TI静电喷涂剂。
在斯坦RD选项，这些跌跌撞撞PA是shippe与
RTS
da
d
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色是由聚苯乙烯塑料（抗
d
静电涂层行吟选项来10000个单位13"
).
r
或330厘米卷筒直径。这和s
青梅其他选项
在P描述
d
ackaging信息表。
这些满盘都是individua labele内部放置
LLY
d d
A S
坦达中间由可回收的瓦楞纸
rd
棕色PAP与Fairchil 标志打印。一个比萨盒
er
包含最多八个卷轴。与THES中间物
e
在Iate
箱子被放置在一个标有出货箱，
有不同的大小取决于T E NU
h
部分MBER
shippe
d.
防静电盖带
人类可读
LABEL
压花
载带
3P
SOT- 23封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（无码流
)
TNR
3,000
7"迪亚
187x107x183
24,000
0.0082
0.1175
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0082
0.4006
3P
3P
3P
SOT- 23单元方向
343毫米X 342毫米X 64毫米
对于L87Z选项框的中间
人类可读的标签
人类可读的标签样本
乌曼可读
LABEL
SOT- 23磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
图2中。
0
187毫米X 107毫米X 183毫米
中间的框架选件
ARD
载带
盖带
组件
拖车带
300毫米最小或
75抢先 POC凯茨
引导带
500毫米最小或
125皆空
2000仙童半导体国际
1999年9月，版本C
SOT- 23磁带和卷轴数据，继续
SOT- 23压花载带
CON组fi guration ：
图3.0
P0
T
E1
P2
D0
D1
F
E2
B0
Wc
W
Tc
K0
P1
A0
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOT-23
(8mm)
A0
3.15
+/-0.10
B0
2.77
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
民
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.30
+/-0.10
T
0.228
+/-0.013
Wc
5.2
+/-0.3
Tc
0.06
+/-0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SOT- 23卷配置：
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
8mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
2.165
55
4.00
100
昏暗W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
昏暗的W2
0.567
14.4
0.567
14.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
8mm
13"迪亚
1999年9月，版本C
BCV27 ， BCV47
NPN
达林顿晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
版本2004-01-20
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 = E2 3 = C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - Basisstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
V
BE
= 0
ê开放
c打开
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCV27
30 V
40 V
10 V
250毫瓦
1
)
500毫安
800毫安
百毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCV47
60 V
80 V
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
C
= 0, V
EB
= 10 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
BCV27
BCV47
I
CB0
I
CB0
I
EB0
V
CESAT
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
100 nA的
100 nA的
1V
发射基截止电流 - Emitterreststrom
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
8
达林顿晶体管
BCV27 ， BCV47
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
BCV27
BCV47
BCV27
BCV47
BCV27
BCV47
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
- V
BEON
f
T
–
4000
2000
10000
4000
20000
10000
–
–
R
THA
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
220兆赫
马克斯。
1.5 V
–
–
–
–
–
–
1.4 V
–
420 K / W
2
)
BCV26 ， BCV46
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
穿针 - Anschlubelegung
BCV27 = FF
BCV47 = FG
3
T1
T2
1
2
1
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
9
BCV27 ， BCV47
NPN硅达林顿晶体管
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
互补类型： BCV26 ， BCV46 （ PNP ）
3
TYPE
BCV27
BCV47
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 74 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
2
1
VPS05161
记号
FFS
FGS
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BCV27
30
40
10
BCV47
60
80
10
单位
V
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
500
800
100
200
360
150
-65 ... 150
mA
mA
mW
°C
210
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Jul-12-2001
BCV27
分立功率&信号
技术
BCV27
C
E
SOT-23
马克： FF
B
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为1.0 A.从源
过程05 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
40
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
*BCV27
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2880707522 复制
