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请注意使用
1 。该产品在生产时采用严格的质量控制，但如果超过了使用绝对会被销毁
最大额定值。一旦IC被破坏，破坏模式将是难以确定的，象短模式或
开放的模式。因此，实物保护对策，如保险丝，建议的情况下运行
情况超越预期的绝对最大额定值。
2 。只要它是在电路功能中的环境温度工作范围保证
在推荐工作范围内。该标准的电气特性值不能得到保证
在该工作范围的其它电压，然而该变化将很小。当它被用在间
STB- UVLO二极管短路等，在IC可以操作VCC
≧9V.
请参考一个技术说明细节。
3 。安装故障，如误导或计算误差，可能会损害设备。
4 。一个强大的电磁场可能会导致IC故障。
5 。 GND引脚应与保护地线引脚相比± 0.3V范围内的位置。所有引脚（除BST1 ， BST2 ，
HN1 ， HN2 ， ）电压应低于VCC电压+ 0.3V
6 。 BD9898F ， BD9898FV集成了内置热关断电路（ TSD电路） 。热关断
电路（ TSD电路）设计为只关了IC关闭，以防止热失控运行。它不是
旨在保护IC或保证，假设热关断电路的运作。
7 。当修改外部电路组件，请务必留下足够的余量外部
部件的实际值和公差以及IC的分散体。
8 。关于外部FET的寄生电容可能会引起的栅极电压发生变化，当漏极电压
是的切换。请务必留下足够的余量，该IC的变化。
9.在操作CP费（根据错误模式）的模拟调光和脉冲调光都无法操作。
10.在运行慢启动控制（ SS小于1.5V ） ，它不工作定时器锁存器。
11. STB电压， BD9898F ， BD9898FV更改为2的状态。因此，要做的不是输入STB引脚电压
one state and the other state (0.8½2.0V).
12.销连接的连接器需要连接到电阻器对电涌的破坏。
13.本集成电路是单片集成电路哪个（如示出的是图1 ）具有P
+
基板和各个引脚之间。
甲PN结由该P中的每个引脚的层而形成。例如，每个电势之间的关系
如下所示，
○ （当接地> PINB和GND > PIA ， PN结作为一个寄生二极管。 ）
○ （当PINB > GND > PIA ， PN结作为一个寄生晶体管）。
寄生二极管所用的集成电路的结构发生不可避免。寄生二极管的操作可以
导致电路之间的相互干扰，以及操作故障和物理损坏。从而
则不能使用由寄生二极管进行操作的方法，如施加一个电压，该电压低于
与GND （ P衬底）电压到一个输入引脚。
阻力
（ PINA ）
（ PINB ）
C
晶体管（ NPN ）
B
E
GND
P
＋
P
N
P型衬底
GND
寄生二极管
N
P
＋
P型衬底
GND
寄生二极管
（ PINB ）
（ PINA ）
B
寄生二极管
GND
Ｃ
Ｎ
Ｎ
N
N
Ｂ
C
Ｃ
E
Ｅ
GND
其它相邻部件
寄生二极管
一个双极IC图1简化的结构
版本B
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