【BFT 93PNP硅晶体管RF对于低失真宽带放大器最高从2毫安了集电极电流1 GHz的至20mA防静】,IC型号BFT93,BFT93 PDF资料,BFT93经销商,ic,电子元器件-51电子网

BFT 93

PNP硅晶体管RF

对于低失真宽带放大器最高

从2毫安了集电极电流1 GHz的

至20mA

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

订购代码标识

引脚配置

BFT 93

X1s

Q62702-F1063

1=B

2=E

3=C

包

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

值

300

150

- 65 ... + 150

≤

305

°C

单位

首席执行官

CBO

EBO

合计

英镑

≤

58 °C

结温

环境温度

储存温度

热阻

结 - 焊接点

thjs

K / W

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

半导体集团

Dec-12-1996

BFT 93

电气特性

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

（ BR ） CEO

= 1毫安，

= 0

集电极 - 基极截止电流

CBO

EBO

= 5 V,

= 0

发射基截止电流

= 2 V,

= 0

直流电流增益

= 30毫安，

= 8 V

半导体集团

Dec-12-1996

BFT 93

电气特性

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

5.5

0.8

0.28

1.6

GHz的

1.3

2.7

4.6

= 30毫安，

= 8 V,

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

= 10 V,

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

= 10 V,

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

= 0.5 V,

= 1兆赫

噪声系数

= 2毫安，

= 8 V,

SOPT

= 900兆赫

= 1.8 GHz的

功率增益

= 30毫安，

= 8 V,

SOPT

LOPT

= 900兆赫

= 1.8 GHz的

传感器增益

21e

11.5

6.5

= 30毫安，

= 8 V,

= 50

= 900兆赫

= 1.8 GHz的

= |S

| (k-(k

-1)

1/2

)

半导体集团

Dec-12-1996

BFT 93

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法）：

晶体管芯片数据

IS =

1.0366

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

8.4866

1.3702

9.5149

1.038

2.0822

20.636

54.303

3.0573

1.0282

0.34233

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

0.47497

16.116

3.2133

1.9597

0.84456

0.27447

0.5401

0.54298

度

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

1.0313

16.295

1.2907

0.46855

1.1393

0.68352

0.19311

2690.4

0.75

1.11

300

0.012081 A

0.094971 fA的

0.075977 -

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。

提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：

研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）

1996 SIEMENS AG

包装等效电路：

LBI =

LBO =

雷=

LEO =

LCI =

LCO =

CBE =

建行=

CCE =

0.85

0.51

0.69

0.61

0.49

165

有效期至6 GHz

有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处

获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm

半导体集团

Dec-12-1996

BFT 93

总功耗

合计

)

*包装安装在环氧

400

合计

300

250

200

150

100

120 °C 150

允许的脉冲负载

thjs

)

允许的脉冲负载

totmax

totDC

)

K / W

thjs

totmax

totDC

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

-7

-6

-5

-4

-3

-2

10 s 10

-1

-7

-6

-5

-4

-3

-2

10 s 10

-1

半导体集团

Dec-12-1996

分立半导体

数据表

BFT93

PNP 5 GHz宽带晶体管

产品speci fi cation

在分立半导体的文件， SC14

1992年11月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP 5 GHz宽带晶体管

描述

在一个塑料SOT23 PNP晶体管

信封。

它主要用于在射频使用

宽带放大器，例如在空中

放大器，雷达系统，

示波器，频谱分析仪，

等晶体管具有低

互调失真，高

功率增益;由于它的非常高的

过渡频率，它也有

优异的宽带性能和

低噪声高达高频。

NPN互补的BFR93和

BFR93A.

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

顶视图

BFT93

描述

代码： X1P

fpage

MSB003

图1 SOT23封装。

快速参考数据

符号

CBO

首席执行官

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

总功耗

跃迁频率

反馈电容

最多至T

= 95

°C;

注1

毫安; V

V ; F = 500 MHz的;

= 25

°C

毫安; V

V ; F = 1 MHz的

发射极开路

开基

条件

典型值。

16.5

2.4

300

马克斯。

300

单位

GHz的

最大单边功率增益我

毫安; V

V ; F = 500 MHz的;

AMB

= 25

°C

噪音科幻gure

输出电压

毫安; V

V ; F = 500 MHz的;

AMB

= 25

°C

分贝;我

毫安;

V ;

= 75

;

第（p +的q r）的

= 493.25兆赫

记

1. T

是在集电极片的焊接点的温度。

1992年11月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP 5 GHz宽带晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

＆ GT ;

1兆赫

最多至T

= 95

°C;

注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

马克斯。

300

150

175

BFT93

单位

°C

热阻

符号

第j个-S

记

1. T

是在集电极片的焊接点的温度。

参数

热阻结到

焊接点

条件

最多至T

= 70

°C;

（注1 ）

热阻

260 K / W

1992年11月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP 5 GHz宽带晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

笔记

1. G

是最大单边功率增益，假设S

是零和

-------------------------------------------------------------

分贝。

10日志

–

BFT93

参数

集电极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

集电极电容

发射极电容

反馈电容

条件

= 0; V

毫安; V

F = 500 MHz的

= i

= 0; V

V ; F = 1 MHz的

= i

= 0; V

0.5

V ; F = 1 MHz的

毫安; V

V ; F = 1 MHz的

分钟。

典型值。

0.95

1.8

16.5

2.4

300

马克斯。

单位

GHz的

最大单边功率增益我

毫安; V

（注1 ）

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

噪音科幻gure

输出电压

毫安; V

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

见图2和注2

2. d

分贝（ DIN 45004B ） ;我

毫安; V

V ;

= 75

;

= V

为D

分贝; F

= 495.25兆赫;

= V

分贝; F

= 503.25兆赫;

= V

分贝; F

= 505.25兆赫;

在F量度

第（p + Q -R

）= 493.25兆赫。

1992年11月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP 5 GHz宽带晶体管

BFT93

MEA382

手册， halfpage

24 V

560

1.2 k

240

680 pF的

产量

手册， halfpage

^ h FE

390

680 pF的

输入

DUT

MEA383

-I C（毫安）

L2 = L3 = 5

Ferroxcube公司电抗器，目录

号码3122 108 20150 。

L1 = 4圈0.35毫米铜线;绕组节距

1毫米;内部直径为4毫米。

V ;牛逼

= 25

°C.

图2互调失真测试电路。

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流。

MEA925

MEA381

2.0

手册， halfpage

（PF ）

1.6

手册， halfpage

（千兆赫）

1.2

0.8

0.4

V CB （ V）

-I C（毫安）

= i

= 0; F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C.

V ; F = 500 MHz的;牛逼

= 25

°C.

Fig.4

集电极电容的一个函数

集电极 - 基极电压。

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流。

1992年11月