飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速开关二极管阵列
图形数据
BAV756S
300
IF
（MA ）
200
单二极管装
MBK148
手册， halfpage
300
MBG382
IF
（MA ）
(1)
(2)
(3)
200
所有的二极管装
100
100
0
0
100
TS （ ° C）
200
0
0
1
VF （ V）
2
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为焊接点的函数
温度。
Fig.3
正向电流为一个函数
正向电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1997年10月21日
4
BAV756S ; BAW56系列
高速开关二极管
牧师05 - 2007年11月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
高速开关二极管，封装在小型表面贴装器件（ SMD ）
塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BAV756S
BAW56
BAW56M
BAW56S
BAW56T
BAW56W
SOT363
SOT23
SOT883
SOT363
SOT416
SOT323
JEITA
SC-88
-
SC-101
SC-88
SC-75
SC-70
JEDEC
-
包
CON组fi guration
非常小
CON组fi guration
普通四人间
阳极/共阴极
双共阳极
双共阳极
普通四人间
阳极/共阳极
双共阳极
双共阳极
类型编号
TO- 236AB小
-
-
-
-
无铅超
小
非常小
超小
非常小
1.2产品特点
I
高开关速度：吨
rr
≤
4纳秒
I
低漏电流
I
小型SMD塑料封装
I
低电容：C
d
≤
2 pF的
I
反向电压： V
R
≤
90 V
1.3应用
I
高速开关
I
通用开关
1.4快速参考数据
表2中。
符号
每二极管
I
R
V
R
t
rr
[1]
快速参考数据
参数
反向电流
反向电压
反向恢复时间
[1]
条件
V
R
= 80 V
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.5
90
4
单位
A
V
ns
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
恩智浦半导体
BAV756S ; BAW56系列
高速开关二极管
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BAV756S
BAW56
BAW56M
BAW56S
BAW56T
BAW56W
SC-88
-
SC-101
SC-88
SC-75
SC-70
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT363
SOT23
SOT883
SOT363
SOT416
SOT323
类型编号
4.标记
表5 。
BAV756S
BAW56
BAW56M
BAW56S
BAW56T
BAW56W
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
A7*
A1*
S5
A1*
A1
A1*
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
BAV756S
BAW56
BAW56M
BAW56S
BAW56T
BAW56W
BAV756S_BAW56_SER_5
参数
条件
民
-
-
最大
90
90
250
215
150
250
150
150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
T
s
= 60
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
s
= 60
°C
T
s
= 90
°C
T
AMB
≤
25
°C
-
-
-
-
-
-
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
BAV756S ; BAW56系列
高速开关二极管
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
FRM
I
FSM
参数
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
P
合计
总功耗
BAV756S
BAW56
BAW56M
BAW56S
BAW56T
BAW56W
每个器件
I
F
正向电流
BAV756S
BAW56
BAW56M
BAW56S
BAW56T
BAW56W
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[2]
[1]
条件
民
-
最大
500
单位
mA
-
-
-
-
-
[3]
4
1
0.5
350
250
250
350
170
200
A
A
A
mW
mW
mW
mW
mW
mW
T
s
= 60
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
s
= 60
°C
T
s
= 90
°C
T
AMB
≤
25
°C
[4]
-
-
-
-
T
s
= 60
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
s
= 60
°C
T
s
= 90
°C
T
AMB
≤
25
°C
-
-
-
-
-
-
-
65
65
100
125
75
100
75
130
150
+150
+150
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
T
j
= 25
°C
前激增。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
单二极管装。
6.热特性
表7中。
符号
每二极管
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
BAW56
BAW56M
BAW56W
[2]
热特性
参数
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
500
500
625
K / W
K / W
K / W
BAV756S_BAW56_SER_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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BAV756S ; BAW56系列
高速开关二极管
热特性
- 续
参数
从热阻
结点到焊点
BAV756S
BAW56
BAW56S
BAW56T
BAW56W
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
255
360
255
350
300
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
条件
民
典型值
最大
单位
表7中。
符号
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
V
R
= 25 V
V
R
= 80 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 80 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
FR
[1]
[2]
[3]
[1]
参数
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[2]
[3]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1
1.25
30
0.5
30
150
2
4
1.75
mV
mV
V
V
nA
A
A
A
pF
ns
V
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
-
-
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
从我开机时，
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒。
BAV756S_BAW56_SER_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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