TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
互补硅功率Ttransistors
BD139 / BD140
描述
据intented在用电
放大器和开关应用。
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗在
马克斯。工作结温
O
l
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
80
80
5
1.5
0.5
12.5
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
储存温度
TO-126
电气特性（ TA = 25
O
C)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
测试条件
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ，我
C
=150mA
分钟。
—
—
80
25
40
—
—
3
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
10
10
—
—
250
0.5
1.0
—
V
V
兆赫
单位
uA
uA
V
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
I
C
=0.5A,I
B
=50mA
V
BE （ SAT ）
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
f
T
V
CE
=10V,I
C
=500mA
BD136 ， BD138 ， BD140
塑料中功率
硅PNP晶体管
这一系列的塑料，中等功率硅PNP晶体管
专为使用音频放大器和驱动程序利用
互补或准互补电路。
http://onsemi.com
特点
无铅包可用
*
直流电流增益 - ^ h
FE
= 40 （分） @我
C
= 0.15 ADC
BD 136 ， 138和140都与BD 135 ， 137 ， 139互补的
1.5 A功率晶体管
PNP硅
45 ， 60 ， 80 V， 12.5 W
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BD136
BD138
BD140
BD136
BD138
BD140
符号
V
首席执行官
价值
45
60
80
45
60
100
5.0
1.5
0.5
1.25
10
12.5
100
- 55
+ 150
单位
VDC
3 2
1
VDC
TO225AA
CASE 77
风格1
集电极 - 基极电压
V
CBO
标记图
VDC
ADC
ADC
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
BD136
BD136G
BD138
BD138G
设备
xx
Y
WW
= 36, 38, 40
=年
=工作周
YWW
BD1xx
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
订购信息
包
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能的OC
CUR 。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果这些
超过极限，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
热阻，
结到外壳
热阻，
结到环境
符号
q
JC
q
JA
最大
10
100
单位
° C / W
° C / W
BD140
BD140G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年4月 - 12牧师
出版订单号：
BD136/D
BD136 ， BD138 ， BD140
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BD136/D
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
特点
大电流（最大1.5 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
通用功率应用，如驱动阶段
在高保真放大器和电视电路。
描述
PNP功率晶体管采用TO -126 ; SOT32塑料
封装。 NPN补充： BD135 ， BD137 BD139和。
3
钉扎
针
1
2
BD136 ; BD138 ; BD140
描述
辐射源
集电极，连接到的金属部分
安装面
BASE
手册， halfpage
2
3
1
1
2
3
顶视图
MAM272
Fig.1
简化外形（ TO- 126 ; SOT32 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BD136
BD138
BD140
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD136
BD138
BD140
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
mb
≤
70
°C
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1.5
2
1
8
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
记
1.参考TO- 126 （ SOT32 ）标准安装条件。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
BD136 ; BD138 ; BD140
条件
注1
价值
100
10
单位
K / W
K / W
分钟。
40
63
25
63
100
典型值。
160
1.3
MAX 。 UNIT
100
10
100
250
160
250
0.5
1
1.6
V
V
兆赫
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ; （见图2）
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
直流电流增益
I
C
=
150
毫安; V
CE
=
2
V;
BD136-10 ; BD138-10 ; BD140-10 （见图2）
BD136-16 ; BD138-16 ; BD140-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
1999年04月12
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
包装外形
BD136 ; BD138 ; BD140
塑料单端含铅（通孔）包;安装到散热片，1个安装孔; 3引线SOT32
E
A
P1
P
D
L1
L
1
bp
2
w
M
3
c
Q
e
e1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
2.7
2.3
b
p
0.88
0.65
c
0.60
0.45
D
11.1
10.5
E
7.8
7.2
e
4.58
e1
2.29
L
16.5
15.3
L1
(1)
最大
2.54
Q
1.5
0.9
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
w
0.254
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT32
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-126
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-03-04
1999年04月12
5
热特性
最大额定值
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
Temperarture范围
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
器件总功耗@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
PD
PD
IC
IB
符号
θ
JC
θ
JA
BD 136
BD 138
BD 140
BD 136
BD 138
BD 140
TYPE
- 55至+ 150
最大
100
10
价值
12.5
100
1.25
10
45
60
100
0.5
1.5
45
60
80
5
CASE 77-08
TO- 225AA型
瓦
毫瓦/
_
C
瓦
毫瓦/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
直流电流增益 - 的hFE = 40 （分钟） @ IC = 0.15 ADC
BD 136 ， 138和140都与BD 135 ， 137 ， 139互补的
。 。 。专为使用音频放大器和驱动程序利用互补或准
互补电路。
塑料中功率硅
PNP晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
1.5安培
功率晶体管
PNP硅
45 ，60， 80伏
10瓦
BD136
BD138
BD140
BD140-10
订购此文件
通过BD136 / D
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
1
BD136 BD138 BD140 BD140-10
*脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
基射极电压上*
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压*
（ IC = 0.5 ADC ， IB = 0.05 ADC）
直流电流增益
（ IC = 0.005 ， VCE = 2 V）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ， TC = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压*
（ IC = 0.03 ADC ， IB = 0 ）
2
（ IC = 0.5 A， VCE = 2 V）
（ IC = 0.15 A ， VCE = 2 V）
x
300
s,
占空比
x
2.0%.
特征
0.01
0.02
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
1
图1.活动区安全工作区
TJ = 125°C
2
5
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
所有
BD140–10
所有
5毫秒
dc
0.5毫秒
VCE （星期六） *
VBE （ ON） *
符号
BVCEO
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ICBO
IEBO
的hFE *
BD136
BD138
BD140
0.1毫秒
BD 136
BD 138
BD 140
TYPE
民
63
25
25
40
45
60
80
—
—
—
—
—
最大
160
—
—
250
0.5
0.1
10
10
—
—
—
1
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
—
80
BD136 BD138 BD140 BD140-10
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD136 BD138 BD140 BD140-10
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD136/D*
BD136/D
热特性
最大额定值
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
Temperarture范围
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
器件总功耗@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
PD
PD
IC
IB
符号
θ
JC
θ
JA
BD 136
BD 138
BD 140
BD 136
BD 138
BD 140
TYPE
- 55至+ 150
最大
100
10
价值
12.5
100
1.25
10
45
60
100
0.5
1.5
45
60
80
5
CASE 77-08
TO- 225AA型
瓦
毫瓦/
_
C
瓦
毫瓦/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
直流电流增益 - 的hFE = 40 （分钟） @ IC = 0.15 ADC
BD 136 ， 138和140都与BD 135 ， 137 ， 139互补的
。 。 。专为使用音频放大器和驱动程序利用互补或准
互补电路。
塑料中功率硅
PNP晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
1.5安培
功率晶体管
PNP硅
45 ，60， 80伏
10瓦
BD136
BD138
BD140
BD140-10
订购此文件
通过BD136 / D
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
1
BD136 BD138 BD140 BD140-10
*脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
基射极电压上*
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压*
（ IC = 0.5 ADC ， IB = 0.05 ADC）
直流电流增益
（ IC = 0.005 ， VCE = 2 V）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ， TC = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压*
（ IC = 0.03 ADC ， IB = 0 ）
2
（ IC = 0.5 A， VCE = 2 V）
（ IC = 0.15 A ， VCE = 2 V）
x
300
s,
占空比
x
2.0%.
特征
0.01
0.02
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
1
图1.活动区安全工作区
TJ = 125°C
2
5
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
所有
BD140–10
所有
5毫秒
dc
0.5毫秒
VCE （星期六） *
VBE （ ON） *
符号
BVCEO
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ICBO
IEBO
的hFE *
BD136
BD138
BD140
0.1毫秒
BD 136
BD 138
BD 140
TYPE
民
63
25
25
40
45
60
80
—
—
—
—
—
最大
160
—
—
250
0.5
0.1
10
10
—
—
—
1
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
—
80
BD136 BD138 BD140 BD140-10
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD136 BD138 BD140 BD140-10
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应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
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旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
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4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD136/D*
BD136/D
BD136/138/140
BD136/138/140
中功率线性和开关
应用
补分别为BD135 ， BD137 BD139和
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： BD136
： BD138
： BD140
： BD136
： BD138
： BD140
价值
- 45
- 60
- 80
- 45
- 60
- 80
-5
- 1.5
- 3.0
- 0.5
12.5
1.25
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD136
： BD138
： BD140
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
- 45
- 60
- 80
- 0.1
- 10
25
25
40
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
V
CB
= - 30V ，我
E
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 5毫安
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 150毫安
I
C
= - 500毫安，我
B
= - 50毫安
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 0.5A
250
- 0.5
-1
V
V
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
*脉冲测试： PW = 350μS ，占空比= 2 ％脉冲
h
FE
Classificntion
分类
h
FE3
6
40 ~ 100
10
63 ~ 160
16
100 ~ 250
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
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产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
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生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
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在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
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初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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