BAT54-V/54A-V/54C-V/54S-V
威世半导体
小信号肖特基二极管，单&双
特点
这些二极管具有极低的导通
电压和快速开关
这些设备由一个PN保护
e3
防过电压接线保护环
年龄，如静电放电
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
BAT54-V
3
BAT54A-V
3
顶视图
1
2
机械数据
案例：
SOT23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
1
2
BAT54C-V
3
BAT54S-V
3
顶视图
1
18034
2
1
2
零件表
部分
BAT54-V
BAT54A-V
BAT54C-V
BAT54S-V
订购代码
BAT54 -V - GS18或BAT54 -V- GS08
BAT54A -V - GS18或BAT54A -V- GS08
BAT54C -V - GS18或BAT54C -V- GS08
BAT54S -V - GS18或BAT54S -V- GS08
键入标记
L4
L42
L43
L44
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌电流
功耗
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
价值
30
200
1)
300
1)
600
1)
230
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒
I
FSM
P
合计
设备上的玻璃基板，见下页的布局。
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BAT54-V/54A-V/54C-V/54S-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到Ambiant航
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
430
1)
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，见下页的布局。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
正向电压
测试条件
I
R
= 100微安（脉冲）
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
δ
为< 2 ％
V
R
= 25
V
I
F
= 0.1毫安，T
p
< 300微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
I
F
= 1毫安，T
p
< 300微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
I
F
= 10毫安，T
p
< 300微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
I
F
= 30毫安，T
p
< 300微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
I
F
= 100毫安，吨
p
< 300微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 1
V,
F = 1 MHz的
I
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安，
i
R
= 1毫安，R
L
= 100
Ω
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
t
rr
民
30
2
240
320
400
500
800
10
5
典型值。
最大
单位
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
布局的R
thJA
TEST
厚度：
玻纤1.5毫米（ 0.059英寸）
铜导线0.3毫米（ 0.012英寸）
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
12 (0.47)
15 (0.59)
0.8 (0.03)
2 (0.8)
1 (0.4)
2 (0.8)
5 (0.2)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
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典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
I
F
- 正向电压（毫安）
100
10
1
0.1
0.01
0
T
j
= 125 °C
- 40 °C
25 °C
0.2
18867
1.2
0.4 0.6 0.8
1
V
F
- 正向电流（ V）
1.4
图1.典型正向
电压
正向电流在
各个
温度
14
C
D
- 典型电容（pF ）
12
10
8
6
4
2
0
18868
0
4
8
12
16
20
24
V
R
- 反向电压（ V）
28
图2.二极管电容与反向
电压V
R
1000
T
j
= 125
°C
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
100
°
C
75
°
C
50
°
C
25
°
C
0.1
0.01
0
5
18869
10
15
20
25
V
R
- 反向电压（ V）
30
图3.典型
变异
的反向电流
各个
温度
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包装尺寸以毫米（英寸） ： SOT23
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
日前，Vishay
半导体GmbH的
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。
各个
国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay
半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay
半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用
日前，Vishay
半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿
日前，Vishay
对所有半导体
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
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半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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