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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
高
直流电流GAIN-
: h
FE
= 1000 （最小值） @我
C
= 5A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V （最小值） - BDX83 ; 60V （最小值） - BDX83A
80V （最小值） - BDX83B ; 100V （最小） - BDX83C
应用
“权力
开关
·哈默
DRIVERS
系列
和并联稳压器
·音频
放大器器
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDX83
BDX83A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDX83B
BDX83C
BDX83
BDX83A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDX83B
BDX83C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDX83/A/B/C
价值
45
60
单位
V
80
100
45
60
V
80
100
5
10
15
250
125
200
-65~200
V
A
A
mA
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.4
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDX83
BDX83A
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
BDX83B
BDX83C
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)-1
V
BE （
on
)-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
BDX83
BDX83A
BDX83B
BDX83C
BDX83
BDX83A
BDX83B
BDX83C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= 5A ;我
B
= 10毫安
B
BDX83/A/B/C
条件
民
45
60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
80
100
2.0
2.8
4.5
0.5
3.0
0.5
3.0
0.5
3.0
0.5
3.0
V
V
V
I
C
= 5A ; V
CE
= 3V
I
C
= 10A ; V
CE
= 3V
V
CE
= 45V; V
BE
= -1.5V
V
CE
= 45V; V
BE
= -1.5V ;牛逼
C
= 150℃
V
CE
= 60V; V
BE
= -1.5V
V
CE
= 60V; V
BE
= -1.5V ;牛逼
C
= 150℃
V
CE
= 80V; V
BE
= -1.5V
V
CE
= 80V; V
BE
= -1.5V ;牛逼
C
= 150℃
V
CE
= 100V; V
BE
= -1.5V
V
CE
= 100V; V
BE
= -1.5V ;牛逼
C
= 150℃
V
CE
= 20V ;我
B
=0
B
I
CEV
集热器
截止目前
mA
I
首席执行官
集热器
截止目前
V
CE
= 30V ;我
B
=0
B
1.0
V
CE
= 40V ;我
B
=0
B
mA
V
CE
= 50V ;我
B
=0
B
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
= 3V
I
C
= 5A ; V
CE
= 3V
I
C
= 10A ; V
CE
= 3V
750
1000
250
5.0
mA
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BDX83C
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