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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第411页 > BC847C
BC847C
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ NPN ）
特点
*功耗
P
CM
:
0.225
W（环境温度Tamb = 25
O
C）注1
*集电极电流
I
CM
:
0.1
A
*集电极 - 基极电压
V
CBO
:
50
V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
C至+150
O
C
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
辐射源
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 10毫安，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10毫安，我
C
=0)
收藏家切 - 关断电流（V
CB
= 50V ，我
E
=0)
收藏家切 - 关断电流（V
CE
= 45V ，我
B
=0)
发射器切 - 关断电流（V
EB
= 5V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安）
基地 - 发射极饱和电压（I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安）
过渡频率（V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安， F = 100MH
Z
)
器件标识
BC847C
注：1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2. “完全符合RoHS标准” ， “ 100 ％镀锡（无铅） ” 。
1G
2007-3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
民
50
45
6
-
-
-
420
-
-
100
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.1
800
0.5
1.1
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
V
V
MH
Z
f
T
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
SMD型
NPN通用晶体管
BC846,BC847,BC848
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
低电压（最大65V）时。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
低电流（最大100 mA时） 。
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗*
结温
储存温度
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
AMB
R
日J-一
BC846
80
65
6
BC847
50
45
6
100
200
200
250
150
-65到+150
-65到+150
500
K / W
BC848
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
*晶体管安装在一FR4印刷电路板，标准的足迹。
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BC846,BC847,BC848
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BC846
BC847
直流电流增益
BC846A,BC847A
BC846B,BC847B,BC848B
BC847C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
*脉冲测试： TP
300s,
0.02.
V
BE
C
C
f
T
NF
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
V
CB
= 10 V ;我
E
= IE = 0 ; F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安; F = 100 MHz的
I
C
= 200ìA ; V
CE
= 5 V ; R
S
= 2 k;
= 1千赫; B = 200赫兹
f
h
FE
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0 , T
j
= 150
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
晶体管
IC
民
典型值
最大
15
5
100
单位
nA
ìA
nA
110
110
110
200
420
180
290
520
90
200
700
900
580
660
450
800
220
450
800
250
600
mV
mV
mV
mV
700
770
2.5
mV
mV
pF
兆赫
2
10
dB
100
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BC846
1D
BC847
1H
BC848
1K
BC846A
1A
BC847A
1E
BC846B
1B
BC847B
1F
BC847C
1G
2
www.kexin.com.cn
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
牧师07 - 2008年12月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用NPN晶体管在小塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
/ DG：不含卤素的
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
-
JEDEC
TO-236AB
BC857
BC857A
BC857B
-
BC857C
SOT23
SOT323
SC-70
-
BC857W
BC857AW
BC857BW
-
BC857CW
SOT416
SC-75
-
BC857T
BC857AT
-
BC857BT
BC857CT
SOT883
SC-101
-
BC857AM
BC857BM
BC857CM
SOT54
SC-43A
TO-92
BC557
[2]
BC557B
[2]
BC557C
[2]
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
1.2产品特点
I
低电流
I
低电压
I
三种不同的增益选择
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
条件
开基
民
-
-
110
110
200
420
典型值
-
-
-
180
290
520
最大
45
100
800
220
450
800
单位
V
mA
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
006aaa144
简化的轮廓
图形符号
SOT23 ， SOT323 ， SOT416
3
1
2
sym021
3
SOT883
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
1
3
2
透明
顶视图
1
2
sym021
3
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
2 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
钉扎
- 续
描述
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab347
表3中。
针
SOT54
1
2
3
简化的轮廓
图形符号
3
2
1
sym026
SOT54A
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab348
3
2
1
sym026
SOT54变种
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab447
3
2
1
sym026
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
SC-70
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
3 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
订购信息
- 续
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SC-75
表4 。
类型编号
[1]
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
SC-101
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
SOT883
SC-43A
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
SOT54
/ DG：不含卤素的
此外，在SOT54和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
[1]
[2]
/ DG：不含卤素的
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[2]
1H*
1E*
1F*
* BC
1G*
1H*
1E*
1F*
G9*
1G*
1N
类型编号
[1]
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
BC547B
BC547C
-
标识代码
[2]
1E
B5
1F
1G
D4
D5
D6
C547
C547B
C547C
-
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
4 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
250
500
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
500
250
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
5 15
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
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BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
特点
非常适合自动插入。
产品规格
BC847AT/BT/CT
Pb
LEAD -FREE
对于开关和AF放大器应用。
应用
通用的开关和放大。
SOT-523
订购信息
型号
BC846AT/BT/CT
记号
1E/1F/1G
封装代码
SOT-523
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
价值
50
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
45
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
0.1
A
P
C
集电极耗散
150
mW
T
j,
T
英镑
结温和存储温度
-55~150
℃
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
符号测试条件
V
（ BR ） CBO
I
C
=10μA,I
E
=0
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA,I
B
=0
B
最小典型最大
50
45
6
0.1
110
200
420
220
450
800
0.25
0.6
0.7
0.9
100
4.5
10
4
单位
V
V
V
μA
V
（ BR ） EBO
I
E
=1μA,I
C
=0
I
CBO
BC847AT
BC847BT
FE
BC847CT
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
CB
=30V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
f
T
C
ob
NF
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,f=100KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
R
S
=2K,BW=200Hz
兆赫
Pf
dB
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
包装外形
塑料表面贴装封装
A
C
SOT-523
SOT-523
暗淡
A
民
1.5
0.75
0.6
0.15
0.9
0.02
最大
1.7
0.85
0.8
0.3
1.1
0.1
K
B
B
C
D
D
G
J
G
H
H
J
K
0.1Typical
1.45
1.75
尺寸：mm
包
设备
BC847AT/BT/CT
信息
包
SOT-523
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
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BC848A/B/C-BC849B/C
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我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
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BZD27C18P
BZD27-C18P
BZX1.5C16
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BD139-6
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