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SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
7
C
BCX54-16 - BD
BCX55-16 - BM
BCX56-16 - BL
PARTMARKING详情： -
BCX54 - BA
BCX54-10 - BC
BCX55 - BE
BCX55-10 - BG
BCX56 - BH
BCX56-10 - BK
互补类型： -
BCX54 - BCX51
BCX55 - BCX52
BCX54
BCX55
BCX56
E
C
BCX56 - BCX53
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5
2
1
1
-65到+150
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
A
W
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
BCX54
BCX55
BCX56
BCX54
BCX55
BCX56
符号
V
（ BR ） CBO
MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。
45
60
100
45
60
80
5
0.1
20
20
0.5
1.0
25
40
25
63
100
150
15
250
160
250
V
I
C
=100A
V
（ BR ） CEO
V
V
A
A
nA
V
V
I
C
=10mA*
I
E
=10A
V
CB
=30V
V
CB
= 30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=4V
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 5毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=2V*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE（上）
h
FE
–10
–16
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
=10V,
f=100MHz
pF
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
3 - 35
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批号
数量
封装
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