SMD型
BCX54,BCX55,BCX56
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
Testconditons
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0; TJ = 125
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益BCX54-10 ， BCX55-10 ， BCX56-10
BCX54-16,BCX55-16,BCX56-16
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
V
BE
f
T
h
FE
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2V
晶体管
民
典型值
最大
100
10
100
单位
nA
ìA
nA
63
63
40
63
100
160
250
0.5
1
130
1.3
1.6
V
V
兆赫
250
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BCX54
BA
BCX55
BE
BCX56
BH
BCX54-10
BC
BCX55-10
BG
BCX56-10
BK
BCX54-16
BD
BCX55-16
BM
BCX56-16
BL
2
www.kexin.com.cn
BCX54
BCX55
BCX56
表面贴装
NPN硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BCX54 ， BCX55 ，
和BCX56类型NPN硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为高
目前通用放大器应用。
标记验证码：看标识代码表
下页
SOT- 89 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.3
-65到+150
96
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX54 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX55 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX56 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX54 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX55 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX56 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
40
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX54-10 ， BCX55-10 ， BCX56-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX54-16 ， BCX55-16 ， BCX56-16 ）
100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
25
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
典型值
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
130
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R5 （ 2009年20月）
BCX54
BCX55
BCX56
表面贴装
NPN硅晶体管
SOT- 89案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）集电极
3 ）基
设备
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
BCX56
BCX56-10
BCX56-16
标识代码
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
（底视图）
R5 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
NPN
塑料封装
晶体管
C
x
x
x
x
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
功耗： P
CM
= 0.5W （T
AMB
=25 )
集电极电流：I
CM
=1.0A
集电极 - 基极电压： V
（ BR ） CBO
=60V
标记： BCX55 = BE ， BCX55-10 = BG ， BCX55-16 = BM
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
等级
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极电流DC
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100uA的，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10毫安，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=为10uA ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30V ，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0V ，我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 2.0V ，我
C
=150mA)
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
直流电流增益
(V
CE
= 2.0V ，我
C
=5.0mA)
直流电流增益
(V
CE
= 2.0V ，我
C
=500mA)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=500mA,I
B
=50mA)
基射极电压
(I
C
= 500毫安，V
CE
=2.0V)
跃迁频率
(V
CE
= 10V ，我
C
=50mA,
f=100MHz)
民
价值
60
60
5
1.0
0.5
-55到+150
-55到+150
典型值
最大
单位
V
V
V
A
W
O
C
O
C
单位
最大额定值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
符号
电气特性@ 25qC除非另有说明
开关特性
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
60
60
5
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
0.1
0.1
V
V
V
uA
uA
D
G
1
SOT-89
A
B
K
E
H
J
F
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
63
63
100
40
25
---
---
130
---
---
---
250
160
250
---
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
1.55
.061
25
REF 。
---
---
---
0.5
1
---
V
V
兆赫
www.mccsemi.com
修改：
A
1
of
3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;1Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3
of
3
2011/01/01
4
BCX54...BCX56
NPN硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCX51 ... BCX53 （ PNP ）
1
2
3
2
VPS05162
TYPE
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
BCX56
BCX56-10
BCX56-16
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
包
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
1
Jul-10-2001
NPN硅晶体管自动对焦
BCX 54 BCX ... 56
特点
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCX 51 BCX ... 53 （ PNP ）
TYPE
BCX 54
BCX 54-10
BCX 54-16
BCX 55
BCX 55-10
BCX 55-16
BCX 56
BCX 56-10
BCX 56-16
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C954
Q62702-C1861
Q62702-C1731
Q62702-C1729
Q62702-C1730
Q62702-C1903
Q62702-C1614
Q62702-C1635
Q62702-C1613
引脚配置
1
2
3
B
C
E
包
1)
SOT-89
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
04.96
BCX 54 BCX ... 56
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCX 54
BCX 55
BCX 56
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BCX 54
BCX 55
BCX 56
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCX 54 BCX 55 BCX 56
BCX 54-10 ， BCX 55-10 ， BCX 56-10
BCX 54-16 ， BCX 55-16 ， BCX 56-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
100
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
20
nA
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
音频和视频放大器驱动阶段。
描述
在SOT89塑料NPN中功率晶体管
封装。 PNP补充： BCX51 ， BCX52和BCX53 。
记号
手册， halfpage
BCX54 ; BCX55 ; BCX56
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2
3
1
TYPE
数
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCX55
BCX55-10
记号
CODE
BA
BC
BD
BE
BG
TYPE
数
BCX55-16
BCX56
BCX56-10
BCX56-16
记号
CODE
BM
BH
BK
BL
1
底部视图
2
3
MAM296
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
1999年4月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCX54
BCX55
BCX56
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCX54
BCX55
BCX56
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCX54 ; BCX55 ; BCX56
分钟。
65
65
马克斯。
45
60
100
45
60
80
5
1
1.5
0.2
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
单位
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
94
14
单位
K / W
K / W
1999年4月19日
3
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
BCX54,BCX55,BCX56
Testconditons
民
典型值
最大
100
10
100
63
63
40
63
100
160
250
0.5
1
130
1.3
1.6
V
V
兆赫
250
单位
nA
ìA
nA
V
CB
= 30 V，I
E
= 0; TJ = 125
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益BCX54-10 ， BCX55-10 ， BCX56-10
BCX54-16,BCX55-16,BCX56-16
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
V
BE
f
T
h
FE
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2V
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BCX54
BA
BCX55
BE
BCX56
BH
BCX54-10
BC
BCX55-10
BG
BCX56-10
BK
BCX54-16
BD
BCX55-16
BM
BCX56-16
BL
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
QQ：2880707522 复制
