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SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第4期 - 1996年1月
7
特点
*适用于一般AF应用和
B类音频输出级高达3W
*高
FE
与低饱和电压
互补式 -
PARTMARKING细节 -
BC868 （ NPN ）
BC869
- 中电联
BC869-16 - CHC
BC869-25 - CJC
BC869
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-25
-20
-5
-2
-1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
BC869-16
BC869-25
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
50
85
60
100
160
60
45
分钟。
-25
-20
-5
-10
-1
-10
-0.5
-1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
mA
A
V
V
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
E
=-10A
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=150
o
C
V
EB
=-5V
I
C
=-1A,I
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -5mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-1V*
兆赫
pF
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V
F = 35MHz时
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
375
250
375
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT549数据表
3 - 12
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