添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第498页 > BCR158
BCR158...
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
=2.2 k,
R
2
=47 k)
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BCR158/F
BCR158W
C
3
R
1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
TYPE
BCR158
BCR158F
BCR158W
1
含有铅，
记号
WIS
WI
WIS
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
SOT323
包可能是可根据特殊要求
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
输入正向电压
输入反向电压
集电极电流
总功率dissipation-
BCR158,
T
S
≤
102°C
BCR158F,
T
S
≤
128°C
BCR158W,
T
S
≤
124°C
结温
储存温度
1
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
我（ FWD ）
V
我（ REV ）
I
C
P
合计
价值
50
50
20
5
100
200
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
英镑
150
-65 ... 150
°C
2007-08-27
BCR158...
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BCR158
BCR158F
BCR158W
符号
R
thjs
价值
≤
240
≤
90
≤
105
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
2)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1
为
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/R
2
f
T
C
cb
50
-
-
70
-
0.4
0.5
1.5
0.042
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
0.047
200
3
-
100
164
-
0.3
0.8
1.1
2.9
k
nA
A
-
V
0.052 -
-
-
兆赫
pF
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
脉冲
2
2007-08-27
BCR158...
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
I
C
/I
B
= 20
0.5
V
0.4
V
CESAT
h
FE
10
2
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
1
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
0 -4
10
10
-3
10
-2
A
10
-1
0
-3
10
10
-2
A
10
-1
I
C
I
C
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
1
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
V
10
0
V
我（关闭）
V
我（上）
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
V
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
0
10
-1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
A
10
-1
10
-1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
A
10
-1
I
C
I
C
3
2007-08-27
BCR158...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158
300
mW
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158F
300
mW
250
225
250
225
P
合计
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
200
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158W
300
mW
250
225
P
合计
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
4
2007-08-27
BCR158...
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
BCR158
10
3
K / W
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
BCR158
10
3
10
2
P
totmax
/
P
totDC
-
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
许用载荷普尔斯
R
thjs
=
(t
p
)
BCR158F
10
2
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
BCR158F
10
3
10
1
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
P
totmax
/P
totDC
K / W
R
thjs
10
2
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
2007-08-27
BCR158.../SEMB10
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
=2.2k,
R
2
=47k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR158/F/L3
BCR158T/W
C
3
SEMB10
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07173
TYPE
BCR158
BCR158L3
BCR158F
BCR158T
BCR158W
SEMB10
记号
WIS
WI
WIS
WIS
WIS
W5
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
TSFP-3
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
May-18-2004
BCR158.../SEMB10
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
集电极电流
总功率dissipation-
BCR158,
T
S
≤
102°C
BCR158F,
T
S
≤
128°C
BCR158L3,
T
S
≤
135°C
BCR158T,
T
S
≤
109°C
BCR158W,
T
S
≤
124°C
SEMB10,
T
S
≤
75°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BCR158
BCR158F
BCR158L3
BCR158T
BCR158W
SEMB10
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
价值
50
50
5
10
100
200
250
250
250
250
250
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
90
≤
60
≤
165
≤
105
≤
300
单位
V
mA
mW
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
°C
单位
K / W
2
May-18-2004
BCR158.../SEMB10
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/R
2
f
T
C
cb
50
-
-
70
-
0.4
0.5
1.5
0.042
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
0.047
200
3
-
100
164
-
0.3
0.8
1.1
2.9
k
nA
A
-
V
0.052 -
-
-
兆赫
pF
3
May-18-2004
BCR158.../SEMB10
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
I
C
V
CESAT
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-3
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
1
V
我（上）
V
我（关闭）
4
May-18-2004
BCR158.../SEMB10
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158F
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158L3
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR158T
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
5
May-18-2004
BCR 158
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
=采用2.2kΩ ，R
2
=47k)
TYPE
BCR 158
订购代码标识
WIS
Q62702-C2338
引脚配置
1=B
2=E
3=C
包
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 102°C
结温
储存温度
符号
值
50
50
5
10
100
200
150
- 65 ... + 150
mA
mW
°C
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
R
thJA
R
thjs
≤
350
≤
240
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米
2
Cu
半导体集团
1
Nov-26-1996
BCR 158
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
50
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
0.047
-
-
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
50
I
C
= 10 A,
I
B
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
100
nA
A
-
164
-
70
-
V
-
0.3
0.8
1.1
2.9
0.052
k
-
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
0.4
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
V
我（上）
0.5
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
R
1
R
1
/R
2
1.5
0.042
AC特性
跃迁频率
f
T
-
200
3
-
兆赫
pF
-
-
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
2
Nov-26-1996
BCR 158
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
F（我
C
),
h
FE
= 20
10
3
10
2
-
h
FE
10
2
I
C
mA
10
1
10
1
10
0
-1
10
10
0
10
1
mA
I
C
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
F（我
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
输入过电压
V
我（关闭）
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
2
10
1
mA
mA
I
C
10
1
I
C
10
0
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
-1
10
10
0
10
1
V
V
我（上）
10
-3
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V 1.0
V
我（关闭）
半导体集团
3
Nov-26-1996
BCR 158
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
300
mW
P
合计
200
T
S
T
A
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F（T
p
)
10
3
10
3
K / W
-
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
10
-1
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Nov-26-1996
查看更多BCR158PDF信息
推荐型号
BDP1A16E-TR
BUS-61559-380W
BL-HKD36D-TRB
B32592C1105J008
BZB84-C2V4
BC869-25
BC86925
BZX784C7V5
B65843A0000R030
BZX884-B3V0
B65807N0250A048
B32683-A1223-K289
BD4942G
BUS-855958
BQ2026
B43504B9227M000
BYR10-35T
B39881-B7701-K910
BL-HS135A-AV-TRB
BMB1206A-121
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCR158
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BCR158
Infineon Technologies
2414+
2
000￥/片,SOT-23-3
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制

电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
BCR158
Infineon
24+
4000
SOT23
授权分销 现货热卖
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BCR158
INFINEON
25+23+
21500
SOT-23
绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BCR158
英飞凌代理现货
22+
3000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
BCR158
Infineon Technologies
24+
22000
000￥/片,原装正品假一赔百！
深圳市毅创腾电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355507165 复制

电话：755-83616256 // 83210909
联系人：王小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
BCR158
INFINEON
22+
37500
SOT23
【绝对自己现货】100%全新原装正品，欢迎查询！！
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BCR158
INFINEON
25+
4500
QFN
全新原装现货特价销售！
深圳市海虹微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
BCR158
INFINEON
2022
345860
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
BCR158
INFINEON
25+
4500
SOT-23
全新原装正品特价售销！
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881620402 复制

电话：18922805453
联系人：连
地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
BCR158
INFINEON
2023+
700000
SOT-23
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
查询更多BCR158供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！