MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC869
BC869-16
BC869-25
PNP中等
功率晶体管
1.55
.061
25
特点
大电流（最大1.0A ）
低电压（最大20V ）
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，直流
PEAK
BASE
当前
集电极耗散功率
T
AMB
结温
储存温度
价值
20
32
5.0
1.0
200
0.50
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
W
O
C
O
C
≤
25
°C;
C
D
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=25Vdc)
(V
CB
= 25VDC ，我
E
= 0时，环境温度为150
O
C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0VDC ，我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 10Vdc的，我
C
=5.0mAdc)
(V
CE
= 1.0VDC ，我
C
=500mAdc)
(V
CE
= 1.0VDC ，我
C
=1.0Adc)
直流电流增益
(V
CE
= 1.0VDC ，我
C
=500mAdc)
BC869-16
BC869-25
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=1.0Adc,I
B
=100mAdc)
跃迁频率
(V
CE
= 5.0VDC ，我
C
=10mAdc,
f=100MHz)
民
典型值
最大
单位
开关特性
I
CBO
---
---
---
---
---
---
100
10
100
NADC
uAdc
NADC
SOT-89
A
B
K
E
H
J
F
B
C
E
I
ê BO
h
FE
50
100
60
100
160
---
40
---
---
---
---
---
---
---
---
375
---
250
375
500
---
---
REF 。
---
MVDC
兆赫
V
CE （ SAT ）
f
T
器件标识
BC869=CEC
BC869-16=CGC
BC869-25=CHC
www.mccsemi.com
修订版：A
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;1Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
2 2
2011/01/01
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大20V） 。
应用
低电压，高电流的应用中低频。
描述
在SOT89塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充： BC868 。
记号
类型编号
BC869
BC869-16
BC869-25
标识代码
CEC
CGC
CHC
1
底部视图
2
3
MAM297
BC869
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
手册， halfpage
2
3
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
32
20
5
1
2
200
1.35
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
93
13
BC869
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
25
V
I
E
= 0; V
CB
=
25
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
10
V ;见图2
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
1
V ;见图2
I
C
=
1
A; V
CE
=
1
V ;见图2
直流电流增益
BC869-16
BC869-25
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
I
C
=
5
毫安; V
CE
=
10
V
I
C
=
1
A; V
CE
=
1
V
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
1
V ;见图2
100
160
620
250
375
500
1
mV
mV
V
兆赫
分钟。
50
100
60
典型值。
马克斯。
100
10
100
375
单位
nA
A
nA
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的40
1999年4月08
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP中等功率晶体管;
20 V ，1 A
订购信息
包
类型编号
名字
BC869
BC869-16
BC869-25
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
注1和2
注1和3
注1和4
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考SOT89标准安装条件。
2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
储存温度
结温
环境温度
65
65
0.5
0.85
1.2
+150
150
+150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
32
20
5
1
2
200
SC-62
描述
塑料表面贴装封装;收集垫好热
转让; 3引线
BC869
VERSION
SOT89
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
°C
°C
°C
3.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
4.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
2004年11月8日
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP中等功率晶体管;
20 V ，1 A
BC869
手册， halfpage
1.6
MLE323
P合计
(W)
1.2
(1)
(2)
0.8
(3)
0.4
0
-65
-5
55
115
175
TAMB （ ° C）
（ 1 ） FR4印刷电路板; 6厘米
2
安装垫的收藏家。
（ 2 ） FR4印刷电路板; 1厘米
2
安装垫的收藏家。
（ 3 ）标准的足迹。
图1功率降额曲线。
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C
注1和2
注1和3
注1和4
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOT89标准安装条件。
2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
3.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
4.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
从结热阻到焊点
T
AMB
≤
25
°C
250
147
104
20
K / W
K / W
K / W
K / W
价值
单位
2004年11月8日
4
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
BC869
特点
大电流。
三个电流增益选择。
1.2 W的总功耗。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
* 1 ，* 2
* 1， * 3
* 1和* 4
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
* 1 ，* 2
* 1， * 3
* 1和* 4
从结热阻到焊点
* 1.Refer以SOT89标准安装条件。
* 2.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的足迹。
* 3.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
* 4.Device安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
R
日（ J- S）
R
号（j -a）的
T
英镑
T
j
R
AMB
P
合计
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
等级
-32
-20
-5
-1
-2
-200
0.5
0.85
1.2
-65到+150
150
-65到+150
250
147
104
20
K / W
K / W
K / W
K / W
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
BCP69 ; BC869 ; BC69PA
20 V ，2 A PNP中功率晶体管
启示录7 - 2011年10月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP中等功率晶体管系列的表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BCP69
BC869
BC69PA
[1]
类型编号
[1]
NPN补
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP68
BC868
BC68PA
SOT223
SOT89
SOT1061
适用于所有可用的选项组。
1.2特点和优点
HIGH CURRENT
三个电流增益的选择
高功率耗散能力
裸露散热片的优良导热和导电性能（ SOT89 ， SOT1061 ）
无铅非常小的SMD塑料封装中功率能力（ SOT1061 ）
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
线性稳压器
高边开关
电池驱动设备
电源管理
MOSFET驱动器
放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
单脉冲;吨
p
1毫秒
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
20
2
3
单位
V
A
A
恩智浦半导体
BCP69 ; BC869 ; BC69PA
20 V ，2 A PNP中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP69
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
32
20
5
2
3
0.4
0.4
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BC869
[1]
[2]
[3]
BC69PA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
BCP69_BC869_BC69PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录7 - 2011年10月12日
4 24
恩智浦半导体
BCP69 ; BC869 ; BC69PA
20 V ，2 A PNP中功率晶体管
1.5
(1)
006aac674
1.5
(1)
006aac675
P
合计
(W)
(2)
P
合计
(W)
1.0
(2)
1.0
(3)
(3)
0.5
0.5
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT223
2.0
P
合计
(W)
1.5
(1)
图2 。
功率降额曲线SOT89
006aac676
(2)
1.0
(3)
(4)
0.5
(5)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4 PCB ， 4层铜垫安装集热1厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB ，单面铜，安装垫集热6厘米
2
（3）的FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
（ 4 ） FR4 PCB ， 4层铜，标准的足迹
（ 5 ） FR4 PCB ，单面铜，标准的足迹
图3 。
功率降额曲线SOT1061
BCP69_BC869_BC69PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录7 - 2011年10月12日
5 24
QQ：2880707522 复制
