BD135T / BD137T / BD139T
NPN硅外延电
晶体管
这些设备被设计为音频放大器
和驱动程序利用。
E
C
B
TO- 126塑料包装
绝对最大额定值（T
a
=25
O
C)
参数
集电极 - 发射极电压
集电极发射极电压（R
BE
= 1 K)
集电极 - 基极电压
发射极电压
连续集电极电流 -
1)
集电极电流 - 峰值
基极电流 - 连续
总功率耗散@ T
A
=25
O
C
减免上述25
O
C
总功率耗散@ T
C
=25
O
C
减免上述25
O
C
总功率耗散@ T
C
=70
O
C
工作和存储结温范围
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
P
D
P
D
T
J
, T
s
R
θ
JA
R
θ
JC
价值
BD135T BD137T BD139T
45
45
45
60
60
60
5
1.5
2
0.5
1.25
10
12.5
100
8
-55到+150
100
10
O
单位
V
V
V
V
A
A
W
毫瓦/
O
C
W
毫瓦/
O
C
W
O
80
100
100
C
C / W
C / W
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 22/03/2006
BD135T / BD137T / BD139T
特点在T
a
=25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
在V
CE
= 2 V，I
C
= 500毫安
在V
CE
= 2 V，I
C
= 150毫安
-6
-10
-16
-25
集电极发射极电压维持
在我
C
= 30毫安
在我
C
=10mA
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 30 V
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基极发射极电压
在我
C
= 500毫安， V
CE
= 2 V
BD135T
BD137T
BD139T
V
CEO （ SUS ）
V
CEO （ SUS ）
V
CEO （ SUS ）
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
45
60
80
-
-
-
-
-
-
-
0.1
10
0.5
1
V
V
V
A
A
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
25
25
40
63
100
160
-
-
100
160
250
400
-
-
-
-
-
-
符号
分钟。
马克斯。
单位
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 22/03/2006
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