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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第268页 > BC859BW
分立半导体
数据表
dbook , halfpage
M3D187
BC859W ; BC860W
PNP通用晶体管
产品数据表
取代1997年的数据9月3日
1999年04月12
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流(最大100 mA时)
低电压(最大45 V ) 。
应用
在磁带录像机,高保真音响放大器低噪声级和
其他声频设备。
描述
PNP晶体管在SOT323塑料包装。
NPN补充: BC849W和BC850W 。
记号
TYPE
BC859W
BC859BW
BC859CW
1.
= - :香港制造。
= T:在马来西亚。
记号
CODE
4D
4B
4C
TYPE
BC860W
BC860BW
BC860CW
记号
CODE
4H
4F
4G
1
顶视图
手册, halfpage
BC859W ; BC860W
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
2
MAM048
Fig.1简化外形( SOT323 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC859W
BC860W
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC859W
BC860W
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
1999年04月12
2
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC859W ; BC860W
BC859BW ; BC860BW
BC859CW ; BC860CW
V
CESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure ;
BC859W ; BC860W ;
BC859BW ; BC860BW ;
BC859CW ; BC860CW
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 kΩ;
F = 10 Hz至15.7千赫
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 kΩ;
F = 1千赫B = 200赫兹
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V;
参见图2和图3
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC859W ; BC860W
价值
625
单位
K / W
分钟。
典型值。
10
马克斯。
15
4
100
800
475
800
300
650
750
820
5
4
4
单位
nA
μA
nA
220
220
420
600
100
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
1.脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
1999年04月12
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
BC859W ; BC860W
手册,全页宽
400
MBH727
的hFE
VCE =
5
V
300
200
100
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC859BW ; BC860BW 。
图2直流电流增益;典型值。
手册,全页宽
600
MBH728
的hFE
500
VCE =
5
V
400
300
200
100
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC859CW ; BC860CW 。
图3直流电流增益;典型值。
1999年04月12
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BC859W ; BC860W
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月12
5
SMD型
PNP通用晶体管
BC859W,BC860W
晶体管
IC
特点
低电流(最大100 mA时) 。
低电压(最大45 V ) 。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
储存温度
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
AMB
R
日J-一
BC859W
-30
-30
-5
-100
-200
-200
200
150
-65到+150
-65到+150
625
K / W
BC860W
-50
-45
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BC859W,BC860W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BC859W ; BC860W
直流电流增益
BC859BW ; BC860BW
BC859CW ; BC860CW
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= -10毫安;我
B
= -0.5毫安
I
C
= -100毫安;我
B
= -5毫安;
基极 - 发射极电压* 2
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
V
BE
C
C
C
e
f
T
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5 V
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
=集成电路= 0; V
EB
= -500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5V ; F = 100 MHz的
I
C
= -200 IA ; V
CE
= -5V ;
S
= 2 KU ; F
= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= -200 IA ; V
CE
= -5V ;
S
= 2 KU ; F =
1千赫; B = 200赫兹
h
FE
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V;
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -30 V
I
E
= 0; V
CB
= -30 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -5 V
晶体管
IC
典型值
最大
-15
-4
-100
单位
nA
ìA
nA
220
220
420
800
475
800
-300
-650
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
4
dB
4
600
750
820
5
10
100
噪声系数
BC859W ; BC860W ;
BC859BW ; BC860BW ;
BC859CW ; BC860CW
NF
*1. V
BESAT
降低了约-1.7毫伏/ K随温度的升高。
*2. V
BE
降低了约-2毫伏/ K随温度的升高。
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
BC859W
4D
BC860W
4H
BC859BW
4B
BC860BW
4F
BC859CW
4C
BC860CW
4G
2
www.kexin.com.cn
BC 856W ... BC 860W
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
BC 856W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
2.1
±0.1
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 857W
BC 860W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 858W
BC 859W
30 V
30 V
特性(T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 2毫安
h
FE
h
FE
(典型值) 。 90
110...220
(典型值) 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
B组
(典型值) 。 150
200...450
(典型值) 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
(典型值) 。 2 * 10
-4
C组
(典型值) 。 270
420...800
(典型值) 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
(典型值) 。 3 * 10
-4
H-参数为 - V
CE
= 5V , - 我
C
= 2毫安, F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
h
ie
h
oe
h
re
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
2
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhltnis
#
2%
16
01.11.2003
通用晶体管
特性(T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安, - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安, - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安, - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安, - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ,T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, F = 1 kHz时,
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, F = 30 ... 15千赫
BC 856W ...
F
BC 858W
BC 859W ...
BC860W
BC 859W
BC 860W
F
F
R
THA
f
T
C
CB0
100兆赫
- I
EB0
- I
CB0
- I
CB0
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
BC 856W ... BC 860W
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
典型值。
75毫伏
250毫伏
700毫伏
850毫伏
650毫伏
10 pF的
马克斯。
300毫伏
600毫伏
750毫伏
820毫伏
15 nA的
4
:
A
100 nA的
12 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
BC 856AW = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857AW = 3E
BC 858AW = 3J
BC 846W ... BC 850W
BC 856BW = 3B
BC 857BW = 3F
BC 858BW = 3K
BC 859BW = 4B
BC 860BW = 4F
BC 857CW = 3G
BC 858CW = 3L
BC 859CW = 4C
BC 860CW = 4G
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhltnis
#
2%
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
1
2
17
BC856W...BC860W
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型:
BC846W , BC847W , BC848W
BC849W , BC850W ( NPN )
3





2
1
VSO05561
TYPE
BC856AW
BC856BW
BC857AW
BC857BW
BC857CW
BC858AW
BC858BW
BC858CW
BC859AW
BC859BW
BC859CW
BC860BW
BC860CW
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
1
Dec-11-2001
BC856W...BC860W
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
总功耗,
T
S
= 124 °C
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
BC856W BC857W BC858W
单位
BC860W BC859W
65
80
80
5
45
50
50
5
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
mW
°C
30
30
30
5
mA
mA
V
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

105
K / W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
BC856W
BC857/860W
BC858/859W
单位
马克斯。
典型值。
V
( BR ) CEO
V
65
45
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
BC856W
BC857/860W
BC858/859W
V
( BR ) CBO
80
50
30
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Dec-11-2001
BC856W...BC860W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
符号
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
BC856W
BC857/860W
BC858/859W
单位
马克斯。
V
典型值。
V
( BR ) CES
80
50
30
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
-
-
-
h
FE
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
125
220
420
V
CESAT
-
-
V
BESAT
-
-
V
BE(上)
600
-
650
-
750
820
700
850
-
-
75
250
300
650
180
290
520
250
475
800
140
250
480
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
nA
A
-
直流电流增益1 )
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
mV
1 )脉冲测试:吨
≤=
300
S,D = 2 %
3
Dec-11-2001
BC856W...BC860W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
h
12e
-
-
-
h
21e
-
-
-
h
22e
-
-
-
-
18
30
60
-
-
-
-
10
200
330
600
-
-
-
1.5
2
3
-
-
-
-
-
-
2.7
4.5
8.7
-
-
-
-
-
-
250
3
10
-
5
15
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
F
BC858W
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
等效噪声电压
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 10 ... 50赫兹
F
BC859W
BC860W
V
n
BC860W
-
-
-
1
1
-
4
4
0.11
4
Dec-11-2001

开路反向电压transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
短路正向电流transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
BC856W
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
BC857W
10
-4
-
dB
V

S
k





BC856W...BC860W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CBO
)
发射极 - 基极电容
C
EB
=
f
(V
EBO
)
公元前856 ... 860
EHP00376
300
mW
C
CB0
(
C
EB0
)
12
pF
10
P
合计
200
8
C
EBO
150
6
100
4
C
CBO
50
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
10
-1
5
10
0
V
V
CB0
T
S
10
1
(
V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
t
p
D
=
T
t
p
T
EHP00377
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
EHP00378
f
T
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
-1
5 10
0
5
10
1
mA
Ι
C
10
2
5
Dec-11-2001
PNP硅晶体管自动对焦
BC 856W ... BC 860W
特点
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
30 Hz至15 kHz的低噪音
q
互补类型:BC 847W ,BC 848W ,
BC 849W , 850W BC ( NPN )
TYPE
公元前856 AW
公元前856 BW
公元前857 AW
公元前857 BW
公元前857 CW
公元前858 AW
公元前858 BW
公元前858 CW
公元前859 AW
公元前859 BW
公元前859 CW
公元前860 BW
公元前860 CW
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-C2335
Q62702-C2292
Q62702-C2293
Q62702-C2294
Q62702-C2295
Q62702-C2296
Q62702-C2297
Q62702-C2298
Q62702-C2299
Q62702-C2300
Q62702-C2301
Q62702-C2302
Q62702-C2303
引脚配置
1
2
3
B
E
C
1)
SOT-323
1)
详细信息,请参阅本章包装说明。
半导体集团
1
04.96
BC 856W ... BC 860W
最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗,
T
S
= 115 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
240
105
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
BC 856W 857W BC BC 858W单位
BC 860W BC 859W
65
80
80
5
45
50
50
5
100
200
250
150
-65到150
30
30
30
5
V
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
K / W
K / W
半导体集团
2
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BC 856W
BC 857W , 860W BC
BC 858W , 859W BC
V
(BR)CE0
65
45
30
80
50
30
80
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
h
FE
125
220
420
V
CESAT
V
BESAT
V
BE(上)
600
650
750
820
700
850
75
250
300
650
140
250
480
180
290
520
250
475
800
mV
15
5
nA
A
5
V
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
(BR)CB0
I
C
= 10
A
BC 856W
BC 857W , 860W BC
BC 858W , 859W BC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
BC 856W
BC 857W , 860W BC
BC 858W , 859W BC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
V
( BR ) CES
测试:
t
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
噪声系数
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 30 Hz的... 15千赫
BC 859W
BC 860W
BC 859W
f
= 1千赫,
f
= 200赫兹
BC 860W
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
BC 860W
半导体集团
4
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
250
3
10
兆赫
pF
k
2.7
4.5
8.7
10
– 4
1.5
2.0
3.0
200
330
600
S
h
12e
h
21e
h
22e
F
V
n
1.2
1.0
1.0
1.0
4
3
4
4
18
30
60
dB
V
0.110
BC 856W ... BC 860W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
5
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D088
BC859 ; BC860
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的数据07月16日
1999年5月28日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
低电流(最大100 mA时)
低电压(最大45 V ) 。
应用
对音频设备的低噪声输入级。
描述
PNP晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充: BC849和BC850 。
记号
TYPE
BC859B
BC859C
1.
= P :香港制造。
= T:在马来西亚。
记号
CODE
(1)
4B
4C
TYPE
BC860B
BC860C
记号
CODE
(1)
4F
4G
顶视图
手册, halfpage
BC859 ; BC860
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BC859
BC860
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC859
BC860
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年5月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC859B ; BC860B
BC859C ; BC860C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
BC859B ; BC860B ;
BC859C ; BC860C
噪音科幻gure
BC859B ; BC860B ;
BC859C ; BC860C
笔记
1. V
BESAT
减少了约
1.7
毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
减少了约
2
毫伏/ K随温度的升高。
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
毫安;注1
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V ;注意2
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 30赫兹到15千赫兹
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V;
参见图2和图3
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC859 ; BC860
价值
500
单位
K / W
分钟。
220
420
600
典型值。
1
75
250
700
850
650
4.5
10
马克斯。
15
4
100
475
800
300
650
750
820
4
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的100
4
dB
1999年5月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC859 ; BC860
手册,全页宽
400
MBH727
的hFE
VCE =
5
V
300
200
100
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC859B ; BC860B 。
图2直流电流增益;典型值。
手册,全页宽
600
MBH728
的hFE
500
VCE =
5
V
400
300
200
100
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC859C ; BC860C 。
图3直流电流增益;典型值。
1999年5月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BC859 ; BC860
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月28日
5
SMD型
晶体管
IC
BC859W,BC860W
特点
低电流(最大100 mA时) 。
低电压(最大45 V ) 。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
储存温度
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
AMB
R
日J-一
BC859W
-30
-30
-5
-100
-200
-200
200
150
-65到+150
-65到+150
625
K / W
BC860W
-50
-45
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
BC859W,BC860W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BC859W ; BC860W
直流电流增益
BC859BW ; BC860BW
BC859CW ; BC860CW
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= -10毫安;我
B
= -0.5毫安
I
C
= -100毫安;我
B
= -5毫安;
基极 - 发射极电压* 2
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
V
BE
C
C
C
e
f
T
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5 V
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
=集成电路= 0; V
EB
= -500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5V ; F = 100 MHz的
I
C
= -200 IA ; V
CE
= -5V ;
S
= 2 KU ; F
= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= -200 IA ; V
CE
= -5V ;
S
= 2 KU ; F =
1千赫; B = 200赫兹
100
4
dB
4
10
600
h
FE
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V;
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -30 V
I
E
= 0; V
CB
= -30 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -5 V
220
220
420
典型值
最大
-15
-4
-100
800
475
800
-300
-650
750
820
5
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
单位
nA
ìA
nA
噪声系数
BC859W ; BC860W ;
BC859BW ; BC860BW ;
BC859CW ; BC860CW
NF
*1. V
BESAT
降低了约-1.7毫伏/ K随温度的升高。
*2. V
BE
降低了约-2毫伏/ K随温度的升高。
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
BC859W
4D
BC860W
4H
BC859BW
4B
BC860BW
4F
BC859CW
4C
BC860CW
4G
http://www.twtysemi.com
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4008-318-123
2 2
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