BC 856W ... BC 860W
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
BC 856W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
2.1
±0.1
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 857W
BC 860W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 858W
BC 859W
30 V
30 V
特性(T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 2毫安
h
FE
h
FE
(典型值) 。 90
110...220
(典型值) 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
B组
(典型值) 。 150
200...450
(典型值) 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
(典型值) 。 2 * 10
-4
C组
(典型值) 。 270
420...800
(典型值) 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
(典型值) 。 3 * 10
-4
H-参数为 - V
CE
= 5V , - 我
C
= 2毫安, F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
h
ie
h
oe
h
re
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
2
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhltnis
#
2%
16
01.11.2003
通用晶体管
特性(T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安, - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安, - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安, - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安, - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ,T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, F = 1 kHz时,
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, F = 30 ... 15千赫
BC 856W ...
F
BC 858W
BC 859W ...
BC860W
BC 859W
BC 860W
F
F
–
–
–
–
R
THA
f
T
C
CB0
100兆赫
–
- I
EB0
–
- I
CB0
- I
CB0
–
–
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
–
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
BC 856W ... BC 860W
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
典型值。
75毫伏
250毫伏
700毫伏
850毫伏
650毫伏
–
–
–
–
–
10 pF的
马克斯。
300毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
4
:
A
100 nA的
–
12 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
–
–
–
–
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
BC 856AW = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857AW = 3E
BC 858AW = 3J
BC 846W ... BC 850W
BC 856BW = 3B
BC 857BW = 3F
BC 858BW = 3K
BC 859BW = 4B
BC 860BW = 4F
BC 857CW = 3G
BC 858CW = 3L
BC 859CW = 4C
BC 860CW = 4G
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhltnis
#
2%
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
1
2
17
PNP硅晶体管自动对焦
BC 856W ... BC 860W
特点
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
30 Hz至15 kHz的低噪音
q
互补类型:BC 847W ,BC 848W ,
BC 849W , 850W BC ( NPN )
TYPE
公元前856 AW
公元前856 BW
公元前857 AW
公元前857 BW
公元前857 CW
公元前858 AW
公元前858 BW
公元前858 CW
公元前859 AW
公元前859 BW
公元前859 CW
公元前860 BW
公元前860 CW
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-C2335
Q62702-C2292
Q62702-C2293
Q62702-C2294
Q62702-C2295
Q62702-C2296
Q62702-C2297
Q62702-C2298
Q62702-C2299
Q62702-C2300
Q62702-C2301
Q62702-C2302
Q62702-C2303
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-323
1)
为
详细信息,请参阅本章包装说明。
半导体集团
1
04.96
BC 856W ... BC 860W
最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗,
T
S
= 115 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
240
≤
105
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
BC 856W 857W BC BC 858W单位
BC 860W BC 859W
65
80
80
5
45
50
50
5
100
200
250
150
-65到150
30
30
30
5
V
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
K / W
K / W
半导体集团
2
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BC 856W
BC 857W , 860W BC
BC 858W , 859W BC
V
(BR)CE0
65
45
30
80
50
30
80
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
h
FE
–
–
–
125
220
420
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE(上)
600
–
650
–
750
820
700
850
–
–
75
250
300
650
140
250
480
180
290
520
–
–
–
250
475
800
mV
–
–
15
5
nA
A
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
(BR)CB0
I
C
= 10
A
BC 856W
BC 857W , 860W BC
BC 858W , 859W BC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
BC 856W
BC 857W , 860W BC
BC 858W , 859W BC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
V
( BR ) CES
测试:
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
噪声系数
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 30 Hz的... 15千赫
BC 859W
BC 860W
BC 859W
f
= 1千赫,
f
= 200赫兹
BC 860W
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
BC 860W
半导体集团
4
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
–
–
–
250
3
10
–
–
–
兆赫
pF
k
–
–
–
2.7
4.5
8.7
–
–
–
10
– 4
–
–
–
1.5
2.0
3.0
–
–
–
–
–
–
–
200
330
600
–
–
–
S
h
12e
h
21e
h
22e
–
–
–
F
–
–
–
–
V
n
1.2
1.0
1.0
1.0
4
3
4
4
18
30
60
–
–
–
dB
V
–
–
0.110