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NPN硅晶体管自动对焦
BCX 58
BCX 59
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型: BCX 78 BCX 79 ( PNP )
2
3
1
TYPE
BCX 58八
BCX 58 IX
BCX 58 X
BCX 59八
BCX 59 IX
BCX 59 X
记号
订购代码
Q62702-C619
Q62702-C620
Q62702-C621
Q62702-C623
Q62702-C624
Q62702-C625
引脚配置
1
2
3
C
B
E
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
结 - 壳
2)
1)
2)
符号
BCX 58
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
英镑
32
32
BCX 59
45
45
7
100
200
200
500
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
总功耗,
T
C
= 70 C
P
合计
mW
C
R
日JA
R
日JC
250
160
K / W
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
BCX 58
BCX 59
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 2毫安
BCX 58
BCX 59
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
BCX 58
BCX 59
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 32 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 32 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 45 V,
T
A
= 150 C
BCX 58
BCX 59
BCX 58
BCX 59
I
CEX
I
EB0
h
FE
BCX 59七
BCX 59八
BCX 59 IX
BCX 59 X
BCX 59七
BCX 59八
BCX 59 IX
BCX 59 X
BCX 59七
BCX 59八
BCX 59 IX
BCX 59 X
20
20
40
100
120
180
250
380
40
45
60
60
78
145
220
300
170
250
350
500
220
310
460
630
20
20
20
nA
V
(BR)CE0
32
45
V
(BR)CB0
32
45
V
(BR)EB0
I
CB0
20
20
10
10
nA
nA
A
A
A
典型值。
马克斯。
单位
V
7
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 32 V,
V
BE
= 0.2 V ,T
A
= 100 C
V
CE
= 45 V,
V
BE
= 0.2 V ,T
A
= 100 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
BCX 58七,
BCX 58八,
BCX 58九,
BCX 58 X,
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
BCX 58七,
BCX 58八,
BCX 58九,
BCX 58 X,
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
1)
BCX 58七,
BCX 58八,
BCX 58九,
BCX 58 X,
1)
脉冲测试:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
2
BCX 58
BCX 59
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
= 2.5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
= 2.5毫安
基射极电压
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
1)
V
CESAT
V
BESAT
V
BE(上)
0.55
0.52
0.65
0.83
0.75
0.5
1.0
V
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
3
BCX 58
BCX 59
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCX 58七,
BCX 58八,
BCX 58九,
BCX 58 X,
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
BCX 59七
BCX 59八
BCX 59 IX
BCX 59 X
h
12e
h
21e
h
22e
BCX 59七
BCX 59八
BCX 59 IX
BCX 59 X
F
18
24
30
50
2
dB
200
260
330
520
S
典型值。
马克斯。
单位
200
3
8
兆赫
pF
k
2.7
3.6
4.5
7.5
10
–4
1.5
2.0
2.0
3.0
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCX 58七, BCX 59七
BCX 58八, BCX 59八
BCX 58九, BCX 59 IX
BCX 58 X, BCX 59 X
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCX 58七, BCX 59七
BCX 58八, BCX 59八
BCX 58九, BCX 59 IX
BCX 58 X, BCX 59 X
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
BCX 58七,
BCX 58八,
BCX 58九,
BCX 58 X,
噪声系数
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 1千赫,
f
= 200赫兹
半导体集团
4
BCX 58
BCX 59
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
;
T
C
)
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 5 V (共发射极配置)
允许的脉冲负载
R
thJA
=
f
(t
p
)
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V (共发射极配置)
半导体集团
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCX58X
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    -
    -
    -
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电话:0755-83035161
联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
BCX58X
SIEM/98+
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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