BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
64K ×16位
描述
BS616LV1015
的Vcc工作电压： 4.5V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V
C-等级： 35毫安（最大）工作电流
I-等级： 40毫安（最大）工作电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在Vcc = 5.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV1015是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为65,536字和
工作在广泛的4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在5V工作55ns的0.4uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV1015具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1015是JEDEC标准44引脚TSOP提供
II型和48引脚BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV1015EC
BS616LV1015AC
BS616LV1015EI
BS616LV1015AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
Vcc=5.0V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0608
TSOP2-44
BGA-48-0608
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
+0
O
C至+70
O
C
4.5V ~ 5.5V
55
10uA
35mA
-40
O
C至+ 85
O
C
4.5V ~ 5.5V
55
20uA
40mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
BS616LV1015EC
BS616LV1015EI
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 2048
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
2
3
4
5
A
LB
OE
A0
A1
A2
NC
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
B
IO8
UB
A3
A4
CE
IO0
C
IO9
IO10
A5
A6
IO1
IO2
CE
WE
OE
UB
LB
控制
14
地址输入缓冲器
D
VSS
IO11
NC
A7
IO3
VCC
E
VCC
IO12
NC
NC
IO4
VSS
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
F
IO14
IO13
A14
A15
IO5
IO6
VCC
GND
G
IO15
NC
A12
A13
WE
IO7
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1015
1
修订版1.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS616LV1015
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择在RAM中的65,536个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE
H
L
L
WE
X
H
H
OE
X
H
L
LB
X
X
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
X
L
L
H
L
L
H
DQ0~DQ7
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
DQ8~DQ15
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616LV1015
2
修订版1.1
一月
2004
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
BS616LV1015
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
测试条件
Vcc=5.0V
分钟。
-0.5
2.2
--
--
Vcc=5.0V
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
0.4
马克斯。
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
35
2
10
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
Vcc=5.0V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
≧
Vcc-0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
(3)
--
2.4
--
--
--
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.02
--
--
马克斯。
--
0.3
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
R0201-BS616LV1015
3
修订版1.1
一月
2004
QQ：2881677436 复制
