分立半导体
数据表
M3D379
M3D461
BLF0810-90 ; BLF0810S -90
基站LDMOS晶体管
产品speci fi cation
取代2003年05月09日的数据
2003 6月12日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
基站LDMOS晶体管
特点
典型的CDMA IS95性能标准设置
与27 V和I电源电压
DQ
560毫安。
相邻信道的带宽为30千赫，相邻
在通道
±
750千赫：
- 输出功率= 15 W（ AV）
- 增益= 16分贝
- 效率= 27 ％
- ACPR =
46
dBc的750 kHz和BW = 30 kHz的
70瓦CW性能
简单的电源控制
出色的耐用性
高功率增益
优良的热稳定性
专为宽带运营（ 800至1000兆赫）
内部匹配的易用性。
钉扎 - SOT502A
针
1
2
3
漏
门
来源;连接法兰FL
描述
BLF0810-90 ; BLF0810S -90
应用
RF功率放大器用于GSM ，EDGE和CDMA基
在车站和多载波操作
800至1000兆赫的频率范围。
描述
基站90瓦的功率LDMOS晶体管
应用的频率范围从800至1000兆赫。
钉扎 - SOT502B
针
1
2
3
漏
门
来源;连接法兰FL
描述
手册， halfpage
1
1
3
2
顶视图
3
MBK394
2
顶视图
MBL105
Fig.1简化外形SOT502A （ BLF0810-90 ） 。
图2简体外形SOT502B （ BLF0810S - 90 ）
快速参考数据
典型的射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共同的源测试电路。
操作模式
AB类（ 2音）
CDMA （ IS95 ）
f
（兆赫）
f
1
= 890.0; f
2
= 890.1
890
V
DS
(V)
27
27
P
L
(W)
70 （ PEP ）
15 （ AV）
G
p
（ dB）的
16
16
η
D
(%)
39
27
d
3
（ DBC）
28
ACPR 750
（ DBC）
46
2003 6月12日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
基站LDMOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
参数
BLF0810-90 ; BLF0810S -90
分钟。
65
马克斯。
75
±15
150
200
V
V
单位
°C
°C
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J- HS
笔记
1.热电阻在RF的操作条件来确定。
2.根据安装情况的应用程序。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DSON
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
通态漏电流
栅极漏电流
正向跨导
漏源导通电阻
条件
V
GS
= 0; I
D
= 3毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 300毫安
V
GS
= 0; V
DS
= 36 V
V
GS
= V
gsth
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 9 V ;我
D
= 10 A
分钟。
75
4
24
典型值。
4.4
120
马克斯。
5
1.5
0.5
单位
V
V
A
A
A
S
m
参数
从结热阻到外壳
热阻的散热片结
条件
T
h
= 25
°C,
P
L
= 35 W（ AV ） ，注意事项1
T
h
= 25
°C,
P
L
= 35 W（ AV ） ，注2
价值
1
1.3
单位
K / W
K / W
2003 6月12日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
基站LDMOS晶体管
应用信息
RF性能在一个共同的源AB类电路。
BLF0810-90 ; BLF0810S -90
V
DS
= 27 V ;我
DQ
= 560毫安; F = 890 MHz的;牛逼
h
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6
27
单位
经营模式： 2音CW ， 100 kHz间隔
G
p
η
D
IRL
d
3
G
p
η
D
d
3
获得权力
漏EF网络效率
输入回波损耗
三阶互调
失真
获得权力
漏EF网络效率
三阶互调
失真
耐用性
VSWR = 10 ： 1通过所有
阶段; P
L
= 125 W（ PEP ）
P
L
= 15 W（ AV）
P
L
= 15 W（ AV）
在BW = 30 kHz的
P
L
= 63 W（ PEP ）
P
L
= 45 W（ PEP ）
15
29
33
16.5
32
10
40
16.5
38
32
dB
%
dB
dBc的
dB
%
dBc的
在输出功率不降低
运作模式： CDMA ， IS95 （飞行员，分页，同步和TRAF网络码8 13 ）
G
p
η
D
ACPR 750
获得权力
漏EF网络效率
相邻通道功率比
16
27
46
dB
%
dBc的
手册， halfpage
20
MDB170
50
Gp
（ dB）的
Gp
η
D
(%)
40
手册， halfpage
0
MDB171
d3
（ DBC）
20
IDQ = 400毫安
450毫安
40
500毫安
600毫安
16
η
D
12
30
8
20
60
4
10
0
0
20
40
60
0
80
100
PL （ PEP ） （ W）
80
0
20
40
60
80
100
PL （ PEP ） （ W）
V
DS
= 27 V ; F
1
= 890.0兆赫; F
2
= 890.1兆赫。
V
DS
= 27 V ;我
DQ
= 560毫安; F
1
= 890.0兆赫; F
2
= 890.1兆赫。
Fig.4
Fig.3
功率增益和EF网络效率的功能
峰值包络功率，典型值。
三阶互调失真为
峰值包络功率的功能，典型的
值。
2003 6月12日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
基站LDMOS晶体管
BLF0810-90 ; BLF0810S -90
手册， halfpage
0
MDB172
手册， halfpage
0
MDB173
d5
（ DBC）
20
IDQ = 600毫安
500毫安
d7
（ DBC）
20
40
40
IDQ = 600毫安
500毫安
60
450毫安
400毫安
60
450毫安
400毫安
80
80
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
PL （ PEP ） （ W）
PL （ PEP ） （ W）
V
DS
= 27 V ; F
1
= 890.0兆赫; F
2
= 890.1兆赫。
V
DS
= 27 V ; F
1
= 890.0兆赫; F
2
= 890.1兆赫。
Fig.5
五阶互调失真为
峰值包络功率的功能;典型
值。
Fig.6
第七阶互调失真
峰值包络功率的函数;典型
值。
手册， halfpage
20
MDB174
40
Gp
（ dB）的
15
Gp
η
D
(%)
手册， halfpage
0
MDB175
ACPR
（ dB）的
20
30
10
20
40
750千赫
5
η
D
10
60
1.98兆赫
0
20
30
40
50
PL （ AV ） （ DBM）
0
80
20
30
40
50
PL （ AV ） （ DBM）
V
DS
= 27 V ;我
DQ
= 560毫安; F = 890兆赫。
CDMA的条件下进行测定;测试信号的标准IS-95 。
V
DS
= 27 V ;我
DQ
= 560毫安; F = 890兆赫。
CDMA的条件下进行测定;测试信号的标准IS-95 。
Fig.7
功率增益和漏极效率为功能
平均负载功率;典型值。
Fig.8
ACPR作为平均负载功率的函数;
典型值。
2003 6月12日
5
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