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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1263页 > AUIRF4104S
PD - 97471A
汽车级
特点
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅,符合RoHS
汽车合格*
AUIRF4104
AUIRF4104S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值。
马克斯。
I
D(硅有限公司)
40V
4.3mΩ
5.5mΩ
120A
75A
G
S
描述
I
D(包装有限公司)
k
专为汽车应用,这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的流程 -
荷兰国际集团的技术,以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这种设计的附加功能
一个175 ℃的结的工作温度,快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
特点相结合,使这个设计非常
高效,可靠的装置,用于在汽车用途
应用程序和各种各样的其它应用。
TO-220AB
AUIRF4104
D
2
PAK
AUIRF4104S
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;
并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作,是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下进行测量。环境温度(T
A
)是25℃ ,除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, VGS @ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V (焊线有限公司)
漏电流脉冲
功耗
马克斯。
120
84
75
470
140
k
k
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
°C
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量(热有限公司)
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
g
d
0.95
± 20
120
220
看到图12a , 12b中,15,16
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅的( 1.1N M)
工作结
存储温度范围
g
热阻
R
θJC
R
θCS
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
j
y
y
结到外壳
i
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.05
–––
40
单位
° C / W
外壳到散热器,平板油脂润滑表面
结到环境(印刷电路板安装)
R
θJA
是国际整流器公司的注册商标。
HEXFET
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
to
是第3页
www.irf.com
1
3/29/10
AUIRF4104/S
静态电气特性@ T
J
= 25 ° C(除非另有说明)
参数
V
( BR ) DSS
ΔV
( BR ) DSS
/ΔT
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
63
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5
4.0
–––
20
250
200
-200
V
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 75A
V
V
μA
nA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V ,我
D
= 75A
e
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态电气特性@ T
J
= 25 ° C(除非另有说明)
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
68
21
27
16
130
38
77
4.5
7.5
3000
660
380
2160
560
850
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A
R
G
= 6.8
Ω
V
GS
= 10V
e
e
铅之间,
6毫米(0.25英寸)。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
G
D
S
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V , = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
6.8
75
A
470
1.3
35
10
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 75A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 75A ,V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
2
www.irf.com
AUIRF4104/S
QUALI科幻阳离子信息
汽车
(每AEC- Q101 )
资质等级
评论:
这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资质等级
授予延长汽车更高水平。
TO-220AB
PAK
2
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
不适用
MSL1
一流的M4
AEC-Q101-002
类H1C
AEC-Q101-001
C3类
AEC-Q101-005
是的
ESD
??资格标准可在国际整流器公司?的网站上找到: HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出,在鉴定报告。
注意事项:
从样品失效的人口决定了这个值,
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (见图11)。
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.04mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 75A ,V
GS
=10V
限制T
JMAX
,起始物为
J
= 25℃时,L = 0.04mH
这个被施加到D
2
白,装在1"方形PCB时
R
G
= 25Ω, I
AS
= 75A ,V
GS
= 10V 。不属于
(FR-4或G- 10材料) 。对于推荐的足迹,
焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
推荐使用高于此值。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
脉冲宽度
1.0ms的;占空比
2%.
这仅适用于TO- 220AB pakcage 。
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,使该
基于最大允许计算出的连续电流
同样的充电时间为C
OSS
而V
DS
正在崛起
结温。键合线限流是75A 。注意
从0到80 %的V
DSS
.
从设备引线加热所产生的电流限制可能
出现了一些铅安装的安排。 (请参考
以AN- 1140
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1140.pdf )
www.irf.com
3
AUIRF4104/S
1000
顶部
V
GS
1000
顶部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
10
ID ,漏极 - 源极电流(A )
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
V
GS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
4.5V
1
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
10
10
100
4.5V
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
120
T J = 25°C
T J = 175℃
政府飞行服务队,正向跨导( S)
ID ,漏 - 源电流
(
A)
100
80
60
40
20
0
T J = 25°C
100
TJ = 175℃
10
1
4
6
8
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
10
12
VDS = 10V
380μs脉宽
0
20
40
60
80
100
VGS ,栅 - 源极电压( V)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
4
www.irf.com
AUIRF4104/S
5000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ,C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 75A
VDS = 32V
VDS = 20V
4000
VGS ,栅 - 源极电压( V)
16
C,电容(pF )
3000
西塞
12
2000
8
1000
科斯
CRSS
4
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100.0
T J = 175℃
10.0
T J = 25°C
1.0
1000
100
100μsec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
1msec
10msec
100
1000
0.1
0.2
0.6
1.0
VGS = 0V
1.4
1.8
1
VSD ,源toDrain电压( V)
VDS ,漏toSource电压(V )
ANCE
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AUIRF4104S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AUIRF4104S
Infineon Technologies
2417+
2330
DPAK-3 (TO-252-3)
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
AUIRF4104S
IR
21+
14
TO-263
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2433532182 复制

电话:755-83206150/83258002/83223169
联系人:蔡小姐
地址:新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
AUIRF4104S
ir
dc11
150
公司现货!只做原装!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AUIRF4104S
InternationRectifer
24+
25000
NA
全新进口原装现货!
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电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
AUIRF4104S
IR
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7000
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地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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5000
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
原装正品现货
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