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特点
单电压,范围为3V至3.6V电源供电
3伏,只有读写操作
软件保护程序
快速读取访问时间 - 150纳秒
低功耗
- 15毫安工作电流
- 40 μA CMOS待机电流
部门工作计划
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 2048个扇区( 256字节/扇区)
- 内部地址和数据锁存为256字节
两次与锁定16K字节的引导块
行业的快速程序的周期时间 - 20 ms最大。
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
典型的耐力> 10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
4-megabit
( 512K ×8 )
3伏只
256字节的扇区
FL灰内存
AT29LV040A
描述
该AT29LV040A是3伏只在系统可编程闪存和可擦写阅读
只读存储器( PEROM ) 。它的4兆内存的组织结构524,288字经
8位。与Atmel先进的非易失性EEPROM CMOS工艺制造,
该设备提供了存取时间150毫微秒,和一个低54毫瓦的功率耗散。当
该装置被选中,在CMOS待机电流小于40微安。该装置
耐力是这样的,任何扇区通常可以被写入到超过10000次。
编程算法与Atmel的3伏的其他设备兼容只
闪存。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP顶视图
类型1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
PLCC顶视图
4
3
2
1
32
31
30
A12
A15
A16
A18
VCC
WE
A17
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
牧师0334F -FLASH - 5月2日
1
以允许简单的系统重新编程,该AT29LV040A不需要高输入
电压进行编程。三伏特仅命令决定了设备的操作。
读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。重新编程的
AT29LV040A的是,一个扇区的基础上执行; 256字节的数据被加载到该设备并
然后同时编程。
期间重新编程周期中,地址位置和256字节的数据被捕获在微
处理器速度和内部锁存,从而释放地址和数据总线,用于其它操作。
下面的程序周期开始时,设备会自动擦除扇区和
然后程序中使用的内部控制定时器锁存数据。一个程序周期结束可以
由I / O 7的数据的轮询来检测。一旦一个程序循环结束时被检测到,一个
用于读出或程序的新的访问可以开始。
框图
设备
手术
阅读:
该AT29LV040A访问像EPROM 。当CE和OE低, WE是
高,存储在由地址引脚确定的存储器位置中的数据被置上
的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这
双线控制给出了防止总线争用设计的灵活性。
软件数据保护编程:
该AT29LV040A有2048个人
个扇区,每个256字节。使用该软件的数据保护功能,字节负荷来
输入的256字节的扇区进行编程。该AT29LV040A只能被编程
或使用该软件的数据保护功能重新编程。对器件进行编程上
部门依据。在该扇区内的数据的字节将被改变,数据为整个256字节
扇区必须被加载到设备中。该AT29LV040A自动执行一个扇区擦除
之前,将数据加载到该扇区。不需要的擦除命令。
软件数据保护可以防止意外的编程设备。三个系列
程序的命令来与特定数据的特定地址必须被提供给该装置
之前,可能会出现编程。同样的三个程序的命令必须开始每个亲
克操作。所有的软件程序的命令必须服从部门的程序定时
规格。电源转换不会然而重置软件数据保护功能,
该软件的功能将在电源转换防范意外的程序循环。
写入设备,而不3字节的命令序列中的任何尝试都将启动内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;然而,在t的持续时间
WC
,一个读操作
ATION将有效地成为一个轮询操作。
软件数据保护的3字节命令代码发出后,一个字节负载进行
通过施加一个低脉冲,在WE或CE输入带CE或WE低(分别地)和OE高。
地址被锁存, CE或WE的下降沿,最后为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。
2
AT29LV040A
0334F–FLASH–05/02
AT29LV040A
在256个字节的数据必须被加载到每一个扇区。未在装载任何字节
该领域的节目将被删除阅读FFH 。一旦一个扇区的字节加载
到器件中,它们同时在内部编程的时间编程。
后的第一个数据字节已被加载到设备中,连续字节的输入
相同的方式进行。每一个新的字节进行编程,必须对我们的高到低的转换
(或CE )内150微秒WE (或CE )前一个字节的低到高的转变。如果一个
高到低转换未在150微秒的最后低到高的转变,负载检测
期将结束,并在内部编程周期将开始。 A8到A18指定部门
地址。扇区地址必须在每个高到低WE (或CE )的过渡是有效的。
A0到A7的指定扇区内的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;
不要求顺序装载。一旦编程操作已经开始,并且对
吨的持续时间
WC
,一个读操作将有效是一个轮询操作。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外亲
克到AT29LV040A以下方式:(1 )V
CC
感 - 如果V
CC
低于1.8V (典型值) ,
该程序的功能是抑制; (二)V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
已达到在V
CC
层次感,设备会自动超时编程前10毫秒(典型值) ; (三)亲
抑制革兰氏 - 控股OE低, CE高任一个或WE高抑制方案周期;和
(四)噪声滤波器 - 小于15纳秒(典型值)的WE或CE输入脉冲不会启动
项目周期。
输入电平:
同时,采用3.3V ± 10 %电源工作时,地址输入和
控制输入端(OE , CE和WE)可被驱动为0 5.5V ,而不会不利影响
该装置的操作。在I / O线只能驱动为0 3.6V 。
产品标识:
产品标识模式标识该设备和
厂商爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程,以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。此外,用户可能希望使用该软件产品identi-
fication模式来识别部分(即,使用该设备码),并具有该系统软件
使用适当的扇区大小的程序操作。在这种方式中,用户可以有一个
常见的电路板设计为256K至4兆位的密度,并与每个密度的扇区大小在
的存储器映射,具有系统软件应用适当的扇区大小。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)或软件产品标识。
的制造商,设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT29LV040A设有数据轮询指示的节目的结束
周期。在一个程序循环中加载的最后一个字节的企图读取会导致在COM
二进制补码的I / O7加载的数据。一旦程序周期已经完成,真正的数据是
有效的对所有输出和下一个周期可能开始。数据轮询可能在随时开始
程序循环。
触发位:
除了数据轮询AT29LV040A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作, suc-
cessive尝试从设备中读取的数据将产生的I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换,有效的数据将
读取。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
可选的芯片擦除模式:
整个装置可以通过使用一个6字节擦除软
洁具代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
BOOT BLOCK编程锁定:
该AT29LV040A有两个指定的MEM
储器模块具有编程锁定功能。此功能可以防止编程
在一次的特征所指定的块中的数据已被启用。每个块CON组
的16K字节sists ;编程锁定功能,可独立设置或者块。
而锁定功能没有被激活,它可以为任一个或两者被激活
块。
3
0334F–FLASH–05/02
这两个16K内存段被称为
引导块
。安全代码,将带来
一个系统可以被包含在一个引导块。该AT29LV040A块位于所述第一
16K字节的存储器和最后一个16K字节的存储器。引导块编程锁定
因此功能可以支持从内存或较低的地址引导系统
高地址。一旦编程锁定功能被激活,在该数据
块不再被擦除或编程;在其他的存储位置的数据仍然可以是
通过定期的编程方法改变。要激活锁定功能,一系列
七个程序命令与具体数据的具体地址,必须执行。
请参阅引导块锁定功能,使算法。
如果引导块锁定功能已任块激活时,芯片擦除功能将
被禁用。
BOOT BLOCK闭锁检测:
软件方法可用于确定
无论是引导块段节目是否被锁定。请参见软件产品Identifi-
阳离子进入和退出的部分。当该装置是在软件产品识别模式,
从位置00002H读会显示,如果编程地址低引导块被锁定
出,而阅读的位置。
7FFF2H会做这样的上引导块。如果数据是FE,对应的块可以是
编程;如果数据是FF,则程序锁定功能已被激活,并且它对应
应的块不能被编程。软件产品标识的退出方式应
用于返回到标准操作。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在A9电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT29LV040A
0334F–FLASH–05/02
AT29LV040A
直流和交流工作范围
AT29LV040A-15
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
(1)
注意事项:
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
0.3V
AT29LV040A-20
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
0.3V
AT29LV040A-25
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
0.3V
1.电源后加和V
CC
是在指定的最低数据值时,系统应等待20毫秒的操作之前,
tional模式被启动。
2.
不建议用于新设计。
操作模式
模式
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
V
IL
V
IL
V
IH
A1 - A18 = V
IL
, A9 = V
H(3)
, A0 = V
IL
A1 - A18 = V
IL
, A9 = V
H(3)
, A0 = V
IH
软件
(5)
A0 = V
I
A0 = V
IH
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参考AC编程波形。
V
H
= 12.0V
±
0.5V.
制造商代码: 1F ,设备编号: C4 。
看到在软件产品标识进入/退出细节。
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
COM 。
IND 。
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安; V
CC
= 3.0V
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 3.0V
2.4
2.0
.45
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时; V
CC
= 3.6V
最大
1
1
40
50
1
15
0.6
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
5
0334F–FLASH–05/02
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