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Am29LV160D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22358
调整
B
修订
+3
发行日期
2000年11月10日
Am29LV160D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.23微米制程技术制造的
- 与0.32微米Am29LV160B设备完全兼容
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成(不可用
在44引脚SO )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22358
启:
B
Amendment/+3
发行日期:
2000年11月10日
概述
该Am29LV160D是16兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
在系统编程与标准系统3.0
伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
在用于写或擦除操作。该设备可以
be
程序
in
标准
EPROM编程器。
该器件提供70 , 90的访问时间,和120纳秒,
允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160D完全是命令集兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV160D
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV160D设备总线操作................................ 9
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 26
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 26
图6.切换位算法............................................ ............ 27
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 28
表10.写操作状态............................................ ....... 28
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图7.最大负过冲波形...................... 29
图8.最大正过冲波形........................ 29
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表( Am29LV160DT ) .......................... 12
表3扇区地址表( AM29LV160DB ) .......................... 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 31
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 31
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图11.测试设置............................................. ........................ 32
表11.测试规范............................................. ............ 32
图12.输入波形和测量水平................. 32
自选模式................................................ ..................... 14
表4. Am29LV160D自动选择代码(高压法) ..14
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
读操作................................................ .................... 33
图13.读操作时序............................................ 33
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
临时机构撤消............................................... ... 15
图1.临时机构撤消操作........................... 15
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 16
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 34
图14. RESET #时序............................................ .............. 34
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 35
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 35
图16. BYTE #时序写操作............................ 35
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 17
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 17
表6.系统接口字符串............................................ ......... 18
表7.设备几何定义............................................ ..18
擦除/编程操作.............................................. ....... 36
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6的擦除和
擦除挂起操作............................................... .............
图22.临时机构撤消/时序图..............
图23.部门保护/撤消时序图....................
图24.备用CE #控制的写操作时序......
37
38
39
39
40
40
41
43
硬件数据保护............................................... ....... 19
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 19
低V
CC
写禁止................................................ .............. 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 19
逻辑禁止................................................ .......................... 19
上电写禁止............................................. ............... 19
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
读阵列数据............................................... ................. 20
复位命令................................................ ..................... 20
自选命令序列............................................ 20
字/字节编程命令序列............................. 20
解锁绕道命令序列..................................... 21
图3.程序操作............................................. ............. 21
芯片擦除命令序列........................................... 21
扇区擦除命令序列........................................ 22
擦除暂停/删除恢复命令........................... 22
图4.擦除操作............................................. .................. 23
命令定义................................................ ............. 24
表9. Am29LV160D命令定义................................ 24
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 25
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 25
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 26
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 44
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 45 ..
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 46
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9mm的.............................................. .................................. 47
SO 044-44引脚小外形封装................................ 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
版本A( 1999年1月) ............................................ ......... 49
版本A + 1 ( 1999年4月19日) ........................................ ......... 49
版本B( 1999年11月23日) .......................................... .. 49
版本B + 1 ( 2000年2月22日) ........................................ .. 49
版本B + 2 ( 2000年11月7日) ........................................ 49
版本B + 3 ( 2000年11月10日) ....................................... 49
Am29LV160D
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
-70
70
70
30
Am29LV160D
-90
90
90
35
-120
120
120
50
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29LV160D
Am29LV160D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.23微米制程技术制造的
- 与0.32微米Am29LV160B设备完全兼容
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成(不可用
在44引脚SO )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22358
启:
B
Amendment/+3
发行日期:
2000年11月10日
概述
该Am29LV160D是16兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
在系统编程与标准系统3.0
伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
在用于写或擦除操作。该设备可以
be
程序
in
标准
EPROM编程器。
该器件提供70 , 90的访问时间,和120纳秒,
允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160D完全是命令集兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV160D
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV160D设备总线操作................................ 9
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 26
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 26
图6.切换位算法............................................ ............ 27
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 28
表10.写操作状态............................................ ....... 28
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图7.最大负过冲波形...................... 29
图8.最大正过冲波形........................ 29
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表( Am29LV160DT ) .......................... 12
表3扇区地址表( AM29LV160DB ) .......................... 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 31
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 31
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图11.测试设置............................................. ........................ 32
表11.测试规范............................................. ............ 32
图12.输入波形和测量水平................. 32
自选模式................................................ ..................... 14
表4. Am29LV160D自动选择代码(高压法) ..14
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
读操作................................................ .................... 33
图13.读操作时序............................................ 33
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
临时机构撤消............................................... ... 15
图1.临时机构撤消操作........................... 15
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 16
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 34
图14. RESET #时序............................................ .............. 34
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 35
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 35
图16. BYTE #时序写操作............................ 35
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 17
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 17
表6.系统接口字符串............................................ ......... 18
表7.设备几何定义............................................ ..18
擦除/编程操作.............................................. ....... 36
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6的擦除和
擦除挂起操作............................................... .............
图22.临时机构撤消/时序图..............
图23.部门保护/撤消时序图....................
图24.备用CE #控制的写操作时序......
37
38
39
39
40
40
41
43
硬件数据保护............................................... ....... 19
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 19
低V
CC
写禁止................................................ .............. 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 19
逻辑禁止................................................ .......................... 19
上电写禁止............................................. ............... 19
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
读阵列数据............................................... ................. 20
复位命令................................................ ..................... 20
自选命令序列............................................ 20
字/字节编程命令序列............................. 20
解锁绕道命令序列..................................... 21
图3.程序操作............................................. ............. 21
芯片擦除命令序列........................................... 21
扇区擦除命令序列........................................ 22
擦除暂停/删除恢复命令........................... 22
图4.擦除操作............................................. .................. 23
命令定义................................................ ............. 24
表9. Am29LV160D命令定义................................ 24
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 25
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 25
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 26
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 44
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 45 ..
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 46
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9mm的.............................................. .................................. 47
SO 044-44引脚小外形封装................................ 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
版本A( 1999年1月) ............................................ ......... 49
版本A + 1 ( 1999年4月19日) ........................................ ......... 49
版本B( 1999年11月23日) .......................................... .. 49
版本B + 1 ( 2000年2月22日) ........................................ .. 49
版本B + 2 ( 2000年11月7日) ........................................ 49
版本B + 3 ( 2000年11月10日) ....................................... 49
Am29LV160D
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
-70
70
70
30
Am29LV160D
-90
90
90
35
-120
120
120
50
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29LV160D
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
反向TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
Am29LV160D
5
Am29LV160D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22358
调整
B
修订
+3
发行日期
2000年11月10日
Am29LV160D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.23微米制程技术制造的
- 与0.32微米Am29LV160B设备完全兼容
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成(不可用
在44引脚SO )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22358
启:
B
Amendment/+3
发行日期:
2000年11月10日
概述
该Am29LV160D是16兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
在系统编程与标准系统3.0
伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
在用于写或擦除操作。该设备可以
be
程序
in
标准
EPROM编程器。
该器件提供70 , 90的访问时间,和120纳秒,
允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160D完全是命令集兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV160D
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV160D设备总线操作................................ 9
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 26
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 26
图6.切换位算法............................................ ............ 27
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 28
表10.写操作状态............................................ ....... 28
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图7.最大负过冲波形...................... 29
图8.最大正过冲波形........................ 29
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表( Am29LV160DT ) .......................... 12
表3扇区地址表( AM29LV160DB ) .......................... 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 31
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 31
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图11.测试设置............................................. ........................ 32
表11.测试规范............................................. ............ 32
图12.输入波形和测量水平................. 32
自选模式................................................ ..................... 14
表4. Am29LV160D自动选择代码(高压法) ..14
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
读操作................................................ .................... 33
图13.读操作时序............................................ 33
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
临时机构撤消............................................... ... 15
图1.临时机构撤消操作........................... 15
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 16
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 34
图14. RESET #时序............................................ .............. 34
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 35
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 35
图16. BYTE #时序写操作............................ 35
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 17
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 17
表6.系统接口字符串............................................ ......... 18
表7.设备几何定义............................................ ..18
擦除/编程操作.............................................. ....... 36
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6的擦除和
擦除挂起操作............................................... .............
图22.临时机构撤消/时序图..............
图23.部门保护/撤消时序图....................
图24.备用CE #控制的写操作时序......
37
38
39
39
40
40
41
43
硬件数据保护............................................... ....... 19
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 19
低V
CC
写禁止................................................ .............. 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 19
逻辑禁止................................................ .......................... 19
上电写禁止............................................. ............... 19
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
读阵列数据............................................... ................. 20
复位命令................................................ ..................... 20
自选命令序列............................................ 20
字/字节编程命令序列............................. 20
解锁绕道命令序列..................................... 21
图3.程序操作............................................. ............. 21
芯片擦除命令序列........................................... 21
扇区擦除命令序列........................................ 22
擦除暂停/删除恢复命令........................... 22
图4.擦除操作............................................. .................. 23
命令定义................................................ ............. 24
表9. Am29LV160D命令定义................................ 24
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 25
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 25
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 26
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 44
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 45 ..
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 46
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9mm的.............................................. .................................. 47
SO 044-44引脚小外形封装................................ 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
版本A( 1999年1月) ............................................ ......... 49
版本A + 1 ( 1999年4月19日) ........................................ ......... 49
版本B( 1999年11月23日) .......................................... .. 49
版本B + 1 ( 2000年2月22日) ........................................ .. 49
版本B + 2 ( 2000年11月7日) ........................................ 49
版本B + 3 ( 2000年11月10日) ....................................... 49
Am29LV160D
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
-70
70
70
30
Am29LV160D
-90
90
90
35
-120
120
120
50
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29LV160D
Am29LV160D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.23微米制程技术制造的
- 与0.32微米Am29LV160B设备完全兼容
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成(不可用
在44引脚SO )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22358
启:
B
Amendment/+3
发行日期:
2000年11月10日
概述
该Am29LV160D是16兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
在系统编程与标准系统3.0
伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
在用于写或擦除操作。该设备可以
be
程序
in
标准
EPROM编程器。
该器件提供70 , 90的访问时间,和120纳秒,
允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160D完全是命令集兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV160D
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV160D设备总线操作................................ 9
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 26
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 26
图6.切换位算法............................................ ............ 27
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 28
表10.写操作状态............................................ ....... 28
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
图7.最大负过冲波形...................... 29
图8.最大正过冲波形........................ 29
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表( Am29LV160DT ) .......................... 12
表3扇区地址表( AM29LV160DB ) .......................... 13
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 31
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 31
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图11.测试设置............................................. ........................ 32
表11.测试规范............................................. ............ 32
图12.输入波形和测量水平................. 32
自选模式................................................ ..................... 14
表4. Am29LV160D自动选择代码(高压法) ..14
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
读操作................................................ .................... 33
图13.读操作时序............................................ 33
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
临时机构撤消............................................... ... 15
图1.临时机构撤消操作........................... 15
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 16
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 34
图14. RESET #时序............................................ .............. 34
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 35
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 35
图16. BYTE #时序写操作............................ 35
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 17
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 17
表6.系统接口字符串............................................ ......... 18
表7.设备几何定义............................................ ..18
擦除/编程操作.............................................. ....... 36
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6的擦除和
擦除挂起操作............................................... .............
图22.临时机构撤消/时序图..............
图23.部门保护/撤消时序图....................
图24.备用CE #控制的写操作时序......
37
38
39
39
40
40
41
43
硬件数据保护............................................... ....... 19
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 19
低V
CC
写禁止................................................ .............. 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 19
逻辑禁止................................................ .......................... 19
上电写禁止............................................. ............... 19
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
读阵列数据............................................... ................. 20
复位命令................................................ ..................... 20
自选命令序列............................................ 20
字/字节编程命令序列............................. 20
解锁绕道命令序列..................................... 21
图3.程序操作............................................. ............. 21
芯片擦除命令序列........................................... 21
扇区擦除命令序列........................................ 22
擦除暂停/删除恢复命令........................... 22
图4.擦除操作............................................. .................. 23
命令定义................................................ ............. 24
表9. Am29LV160D命令定义................................ 24
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 25
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 25
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 26
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 44
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 45 ..
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 46
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9mm的.............................................. .................................. 47
SO 044-44引脚小外形封装................................ 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
版本A( 1999年1月) ............................................ ......... 49
版本A + 1 ( 1999年4月19日) ........................................ ......... 49
版本B( 1999年11月23日) .......................................... .. 49
版本B + 1 ( 2000年2月22日) ........................................ .. 49
版本B + 2 ( 2000年11月7日) ........................................ 49
版本B + 3 ( 2000年11月10日) ....................................... 49
Am29LV160D
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
-70
70
70
30
Am29LV160D
-90
90
90
35
-120
120
120
50
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29LV160D
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
反向TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
Am29LV160D
5
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