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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1263页 > AP60T03GH
AP60T03GH/J
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
12mΩ
45A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP60T03GJ ）
可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±20
45
32
120
44
0.3
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
3.4
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200810135
AP60T03GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
25
-
-
-
12
4
7
10
9
58
18
6
200
135
1.4
MAX 。单位
-
-
12
25
3
-
1
250
±100
20
-
-
16
-
-
-
-
-
-
2.1
V
V/℃
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=20A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DD
=15V,V
GS
=0V
V
DS
=15V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
2
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
输出充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
漏极 - 源极漏电流（T
j
=175
o
C)
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
1135 1820
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 45A ，V
GS
=0V
I
S
= 20A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
16
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP60T03GH/J
125
90
T
C
=25
o
C
100
T
C
=175
o
C
10V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
60
10V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
75
6.0V
6.0V
5.0V
50
5.0V
30
V
G
=4.0V
25
V
G
=4.0V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
2
I
D
=15A
T
C
=25
℃
60
1.6
I
D
=20A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
40
1.2
20
0.8
0
2
4
6
8
10
0.4
-50
25
100
175
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.8
100
2.3
10
T
j
=175 C
o
T
j
=25 C
o
V
GS （ TH）
(V)
1.8
I
S
(A)
1.3
1
0.8
0.1
0
0.5
1
1.5
0.3
-50
25
100
175
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP60T03GH/J
12
10000
f=1.0MHz
I
D
=20A
V
GS
，门源电压（ V）
9
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
C（ pF）的
1000
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
100
0
6
12
18
24
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
10
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
T
10ms
100ms
DC
1
10
100
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
0.01
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 252
D
D1
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A2
A3
B1
D
D1
E3
1.80
0.40
0.40
6.00
4.80
3.50
2.20
0.5
5.10
0.50
--
0.35
2.30
0.50
0.70
6.50
5.35
4.00
2.63
0.85
5.70
1.10
2.30
0.50
2.80
0.60
1.00
7.00
5.90
4.50
3.05
1.20
6.30
1.80
--
0.65
E2
E3
E1
F
F1
E1
E2
e
C
B1
F1
F
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
e
A2
R : 0.127~0.381
A3
(0.1mm
C
最热资讯&包装： TO- 252
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
60T03GH
标志
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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推荐型号
AZ952-1CM-12DE
AME8501AEETBA16
A54SX16A-2CQ208M
ACM7060-701-2PL-TL01
ADM4850ACP-REEL
AZ78L09MTR
AAT3663-4.2-1
AD5380
AD239AQ
AT25HP512C1-10CI-1.8
APL431AEI-PB
AM79C13PC
AM29LV160DB-70EE
AFL27024SX-HB
AUIRF4104S
AM29F040-150JIB
APTGF90A60TG
AFCT-5760ANLZ
AD7576SQ/883B
AME8550
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP60T03GH
    -
    -
    -
    -
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电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
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地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
AP60T03GH
APEC
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