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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第15页 > AT45DB321C-CNC
特点
单2.7 - 3.6V电源
急流
串行接口: 40 MHz最大时钟频率
( SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的)
页编程
- 8192页( 528字节/页)
自动擦除操作
- 页擦除528字节
- 块擦除4224字节
两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 10毫安有效的读电流典型 - 串行接口
- 8 μA CMOS待机电流典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门锁定
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
每页100,000编程/擦除周期
数据保留 - 20岁
商用和工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物)包装选项
32-megabit
2.7伏
数据闪存
AT45DB321C
初步
描述
该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合
FO rawide VA rietyofdigital歌声 - 图像 - , programcode - anddata -
存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口
急流的要求非常高的速度操作的应用程序。
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页
写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
TSOP顶视图 - 1型
28
27
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21
20
19
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17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
2
3
4
5
CASON - 顶视图
通过包装
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
数据闪存卡
(1)
通过包顶视图
A
7 6
5 4 3 2 1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SO
GND
6
VCC
5
WP
8
7
B
NC
SCK GND VCC
CS RDY / BSY WP
SO
NC
C
NC
D
NC
SI RESET NC
NC
NC
NC
E
NC
3387B–DFLSH–9/04
注意:
1.见AT45DCB004数据表
1
它的34603008位的存储器被组织为8192页,每页528字节。此外
化到33兆位主存储器中, AT45DB321C还包含两个SRAM
每528字节的缓冲区。
缓冲区允许数据的接收,同时在主内存页面一个页面被
重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或
字节变性)被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理
操作。不同于与多随机访问的传统闪存
PLE地址线和并行接口,在数据闪存采用了急流串行接口
以顺序地存取其数据。简单的顺序访问极大地降低了
活跃的引脚数,简化硬件设计,提高了系统的可靠性,最小化
开关噪声,并降低了封装尺寸。该装置被用在许多优化
商业和工业应用中,高密度,低引脚数,低电压
和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达40 MHz的
以10mA的典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可再编程,该AT45DB321C不需要
高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电,
2.7V至3.6V ,为节目和读取操作。该AT45DB321C启用
通过芯片选择引脚(CS ),并通过三线接口,由访问
串行输入( SI ) ,串行输出( SO )和串行时钟( SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 528字节)
缓冲器1 ( 528字节)
缓冲液2 ( 528字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB321C的存储器阵列被划分为三个
粒度,包括行业,块和页面的水平。 “记忆Architec-
TURE图“示出了每一级的击穿,并详细说明的页面数
每扇区和块。所有程序操作的数据闪存出现逐页上
的基础。擦除操作可在块或页级别来执行。
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AT45DB321C [初步]
3387B–DFLSH–9/04
AT45DB321C [初步]
内存架构图
部门架构
行业0A = 8页
4224字节( 4K + 128)
座建筑
行业0A
块0
1座
页面架构
8页
第0页
第1页
行业0B = 504页
266112字节( 252K + 8064 )
行业0B
BLOCK 2
块0
第6页
第7页
第8页
BLOCK 62
BLOCK 63
1扇区= 512页
270,336字节( 256K + 8K )
部门2 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
部门1
BLOCK 65
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
行业14 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
行业15 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
PAGE 8189
BLOCK 1022
BLOCK 1023
PAGE 8190
PAGE 8191
块= 4224个字节
(4K + 128)
页= 528个字节
(512 + 16)
设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表
说明书和其相关的操作码是通过4,一种有效载于表1
指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿
和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时,将触发
岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主
通过SI (串行输入)引脚内存地址的位置。所有指令,地址,
和数据传送的最显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA9 , BFA0到
表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的10个地址位。主
内存寻址用的术语PA12 - PA0和BA9 - BA0被引用,
其中, PA12 - PA0表示指定的网页地址需要13个地址位和
BA9 - BA0表示指定范围内的一个字节地址需要10位地址
页。
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取
任两个SRAM数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持急流协议
模式0和模式3,请参阅在“详细的位级读时序”图
此数据表上的每一个模式时钟周期序列的详细信息。
连续阵列读取:
通过对主供给一个初始地址
存储器阵列,该阵列的连续读指令可以被用来依次
通过简单地提供一个时钟信号,从设备读取数据的连续流;没有
附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存
集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟
循环,使一个连续的读操作,而不会额外地址的需要
序列。要执行连续读取, E8H的操作码,必须移入
装置。操作码后跟三个地址字节(包括24位页
和字节地址的序列)和32不在乎时钟周期。 24位的第一位
地址序列被保留用于向上和向下兼容到更大和
3
3387B–DFLSH–9/04
密度较小的设备(参见读取命令序列下的“音符/写
第22页的下一个13位( PA12 - PA0 )上的操作(除状态寄存器读) “
24位的地址序列指定给读出页的主存储器阵列,并
24位的地址序列的最后10位( BA9 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不在乎遵循四个地址的时钟周期
字节需要初始化读操作。继不在乎时钟周期,
额外的时钟脉冲SCK引脚将导致数据上的SO被输出(串行
输出)引脚。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,
不在乎字节,并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是
在连续阵列读取达到,该设备将继续读书,最好在开头
无延迟的页边界交叉时发生的下一个页面的宁(中
交叉从一个页面的结尾到下一个页面的开始处) 。当最后一位
在主存储器阵列被读出时,所述装置将继续读回的
开始记忆的第一页。如同跨越页边界,没有延迟
从阵列的末端缠绕时的开头将发生
数组。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚(SO ) 。最大SCK频率允许的连续阵列读
由的F定义
汽车
规范。连续阵列读取绕过两个数据
缓冲液和离开缓冲区的内容不变。
主存储器页读:
主存储器页读允许读数据的用户
直接从任一8192页中的主存储器的,绕过这两个数据
缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取,一个
D2H的操作码,必须移入器件。在操作码之后是3
地址字节(其中包括24位和网页字节地址序列)和32不
关心的时钟周期。 24位的地址序列的第一个位是保留位,下
13位( PA12- PA0 )的24位地址序列中的主存储器用于指定页
读取,以及24位地址序列中的最后10位( BA9 - BA0 )指定的开始 -
该网页内ING字节的地址。 32不在乎遵循三是时钟周期
地址字节被发送到初始化读操作。继不在乎字节,
在SCK导致数据上的SO (串行输出)引脚输出额外的脉冲。该
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不
关心字节,并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是
达到,该设备将继续读回在同一页的开头。一
低到高的转变CS引脚将终止读操作和三态
输出引脚(SO ) 。最大SCK频率允许的主存储器页
阅读是由F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过这两个
数据缓冲器和离开该缓冲器中的内容不变。
缓冲区中读取:
数据可以从任一所述两个缓冲器的读出,使用不同的
操作码指定要读取哪个缓冲区。 D4H的一个操作码,用于读取数据
从缓冲器1中,并且D6H的一个操作码,用于读取来自缓冲器2的数据要执行
缓冲区中读取,操作码必须移入器件后跟三个地址字节
由14不在乎位和10缓冲区地址位( BFA9 - BFA0 ) 。继
3个地址字节,一个额外的不在乎字节的时钟必须在初始化
读操作。由于缓冲区大小为528个字节,10个缓冲器地址位需
指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。 CS引脚必须保持为低电平能很好地协同
荷兰国际集团的操作码,地址字节,不在乎字节加载,读取
的数据。当达到缓冲器的末端,所述装置将继续读回的
开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读
操作和三态输出引脚(SO ) 。
4
AT45DB321C [初步]
3387B–DFLSH–9/04
AT45DB321C [初步]
编程和擦除
COMMANDS
缓冲区写:
数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。
将数据加载到任何缓冲器,一个1字节的操作码, 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2,
必须移入设备,其次是3个地址字节由14不会
关注位和10缓冲区地址位( BFA9 - BFA0 ) 。 10缓冲区地址位指定
在缓冲器中的第一个字节被写入。之后的最后一个地址字节被移入
该装置中,数据可以在随后的时钟周期时钟输入。如果该结束
数据缓冲器达到时,该装置将绕回的缓冲区的开始。
数据将继续被加载到缓冲器中,直到一个低到高的跳变被检测到上
CS引脚。
缓冲区带内置擦除主存储器页编程:
数据写入
入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动
操作时,一个8位的操作码, 83H缓冲区1 86H缓冲区2 ,必须移入
设备后跟三个地址字节包含一个保留位的, 13页地址
位( PA12 - PA0 ) ,在主内存中指定的页面写入和10不要
关注位。当低到高的转变发生在CS引脚上,部分会先擦除
在主存储器中选择的页(擦除状态是逻辑1),则程序的数据
存储在缓冲器中进入在主存储器中的指定页面。无论是擦除和亲
页面的编程是在内部自定时的,应在一个最大时间
的t
EP
。在此期间,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示
一部分是忙。
BUFFER主存储器页编程没有内置ERASE :
一个previ-
主存储器内ously擦除的页面可以与任意的内容进行编程
缓冲区1或缓冲区2.要开始操作,一个8位的操作码, 88H缓冲区1或89H为
缓冲区2 ,必须移入器件后跟三个地址字节组成的
一个保留位,第13页地址位( PA12 - PA0 ) ,在主指定的页面
内存写入和10个无关位。当低到高的转变发生在
CS引脚,该部分程序存储在缓冲器成在指定的页的数据
主存储器。必要的是在主存储器中的页面被编程的
已经使用擦除命令(页擦除或块以前删除
擦除) 。在页面的编程是在内部自定时的,应在一
吨的最大时间
P
。在此期间,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将indi-
美食,该部分正忙。
页擦除:
在页擦除命令可以用来单独擦除任何页面
主存储器阵列允许缓冲区到主存储器页编程,而不在
内置的擦除命令,在以后的时间被利用。要执行页擦除,一个
81H的操作码必须被加载到设备上,接着是三个地址字节的COM
珍贵的一个保留位,第13页地址位( PA12 - PA0 )中指定的页面
主存储器进行擦除和10无关位。当发生由低到高的转变
CS引脚,该部分将删除选定的页面(在擦除状态为逻辑1 ) 。该
擦除操作是在内部自定时的,应在吨的最大时间
PE
.
在此期间,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分是
忙。
BLOCK ERASE :
的八页的块可以同时被擦除。此命令是
有有用的,当大量的数据要被写入到该设备。这将避免使用
多页擦除命令。要执行块擦除, 50H的操作码必须是
加载到装置中,接着是三个地址字节包括一个保留位,
第10页地址位( PA12 - PA3 )和13无关位。 10页地址位
用于指定的八个页块是要被擦除。当低到高的转变
发生在CS引脚,该部分将擦除八页选定的块。擦除
操作是在内部自定时的,应在吨的最大时间
BE
。中
此时,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。
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3387B–DFLSH–9/04
特点
单2.7 - 3.6V电源
急流
串行接口: 40 MHz最大时钟频率
( SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的)
页编程
- 8192页( 528字节/页)
自动擦除操作
- 页擦除528字节
- 块擦除4224字节
两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 10毫安有效的读电流典型 - 串行接口
- 8 μA CMOS待机电流典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门锁定
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
每页100,000编程/擦除周期
数据保留 - 20岁
商用和工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物)包装选项
32-megabit
2.7伏
数据闪存
AT45DB321C
初步
描述
该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合
FO rawide VA rietyofdigital歌声 - 图像 - , programcode - anddata -
存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口
急流的要求非常高的速度操作的应用程序。
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页
写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
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TSOP顶视图 - 1型
28
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NC
NC
NC
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NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
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CASON - 顶视图
通过包装
SI
SCK
RESET
CS
1
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数据闪存卡
(1)
通过包顶视图
A
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5 4 3 2 1
NC
NC
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NC
NC
NC
SO
GND
6
VCC
5
WP
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NC
SCK GND VCC
CS RDY / BSY WP
SO
NC
C
NC
D
NC
SI RESET NC
NC
NC
NC
E
NC
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注意:
1.见AT45DCB004数据表
1
它的34603008位的存储器被组织为8192页,每页528字节。此外
化到33兆位主存储器中, AT45DB321C还包含两个SRAM
每528字节的缓冲区。
缓冲区允许数据的接收,同时在主内存页面一个页面被
重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或
字节变性)被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理
操作。不同于与多随机访问的传统闪存
PLE地址线和并行接口,在数据闪存采用了急流串行接口
以顺序地存取其数据。简单的顺序访问极大地降低了
活跃的引脚数,简化硬件设计,提高了系统的可靠性,最小化
开关噪声,并降低了封装尺寸。该装置被用在许多优化
商业和工业应用中,高密度,低引脚数,低电压
和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达40 MHz的
以10mA的典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可再编程,该AT45DB321C不需要
高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电,
2.7V至3.6V ,为节目和读取操作。该AT45DB321C启用
通过芯片选择引脚(CS ),并通过三线接口,由访问
串行输入( SI ) ,串行输出( SO )和串行时钟( SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 528字节)
缓冲器1 ( 528字节)
缓冲液2 ( 528字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB321C的存储器阵列被划分为三个
粒度,包括行业,块和页面的水平。 “记忆Architec-
TURE图“示出了每一级的击穿,并详细说明的页面数
每扇区和块。所有程序操作的数据闪存出现逐页上
的基础。擦除操作可在块或页级别来执行。
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AT45DB321C [初步]
3387B–DFLSH–9/04
AT45DB321C [初步]
内存架构图
部门架构
行业0A = 8页
4224字节( 4K + 128)
座建筑
行业0A
块0
1座
页面架构
8页
第0页
第1页
行业0B = 504页
266112字节( 252K + 8064 )
行业0B
BLOCK 2
块0
第6页
第7页
第8页
BLOCK 62
BLOCK 63
1扇区= 512页
270,336字节( 256K + 8K )
部门2 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
部门1
BLOCK 65
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
行业14 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
行业15 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
PAGE 8189
BLOCK 1022
BLOCK 1023
PAGE 8190
PAGE 8191
块= 4224个字节
(4K + 128)
页= 528个字节
(512 + 16)
设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表
说明书和其相关的操作码是通过4,一种有效载于表1
指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿
和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时,将触发
岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主
通过SI (串行输入)引脚内存地址的位置。所有指令,地址,
和数据传送的最显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA9 , BFA0到
表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的10个地址位。主
内存寻址用的术语PA12 - PA0和BA9 - BA0被引用,
其中, PA12 - PA0表示指定的网页地址需要13个地址位和
BA9 - BA0表示指定范围内的一个字节地址需要10位地址
页。
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取
任两个SRAM数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持急流协议
模式0和模式3,请参阅在“详细的位级读时序”图
此数据表上的每一个模式时钟周期序列的详细信息。
连续阵列读取:
通过对主供给一个初始地址
存储器阵列,该阵列的连续读指令可以被用来依次
通过简单地提供一个时钟信号,从设备读取数据的连续流;没有
附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存
集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟
循环,使一个连续的读操作,而不会额外地址的需要
序列。要执行连续读取, E8H的操作码,必须移入
装置。操作码后跟三个地址字节(包括24位页
和字节地址的序列)和32不在乎时钟周期。 24位的第一位
地址序列被保留用于向上和向下兼容到更大和
3
3387B–DFLSH–9/04
密度较小的设备(参见读取命令序列下的“音符/写
第22页的下一个13位( PA12 - PA0 )上的操作(除状态寄存器读) “
24位的地址序列指定给读出页的主存储器阵列,并
24位的地址序列的最后10位( BA9 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不在乎遵循四个地址的时钟周期
字节需要初始化读操作。继不在乎时钟周期,
额外的时钟脉冲SCK引脚将导致数据上的SO被输出(串行
输出)引脚。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,
不在乎字节,并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是
在连续阵列读取达到,该设备将继续读书,最好在开头
无延迟的页边界交叉时发生的下一个页面的宁(中
交叉从一个页面的结尾到下一个页面的开始处) 。当最后一位
在主存储器阵列被读出时,所述装置将继续读回的
开始记忆的第一页。如同跨越页边界,没有延迟
从阵列的末端缠绕时的开头将发生
数组。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚(SO ) 。最大SCK频率允许的连续阵列读
由的F定义
汽车
规范。连续阵列读取绕过两个数据
缓冲液和离开缓冲区的内容不变。
主存储器页读:
主存储器页读允许读数据的用户
直接从任一8192页中的主存储器的,绕过这两个数据
缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取,一个
D2H的操作码,必须移入器件。在操作码之后是3
地址字节(其中包括24位和网页字节地址序列)和32不
关心的时钟周期。 24位的地址序列的第一个位是保留位,下
13位( PA12- PA0 )的24位地址序列中的主存储器用于指定页
读取,以及24位地址序列中的最后10位( BA9 - BA0 )指定的开始 -
该网页内ING字节的地址。 32不在乎遵循三是时钟周期
地址字节被发送到初始化读操作。继不在乎字节,
在SCK导致数据上的SO (串行输出)引脚输出额外的脉冲。该
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不
关心字节,并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是
达到,该设备将继续读回在同一页的开头。一
低到高的转变CS引脚将终止读操作和三态
输出引脚(SO ) 。最大SCK频率允许的主存储器页
阅读是由F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过这两个
数据缓冲器和离开该缓冲器中的内容不变。
缓冲区中读取:
数据可以从任一所述两个缓冲器的读出,使用不同的
操作码指定要读取哪个缓冲区。 D4H的一个操作码,用于读取数据
从缓冲器1中,并且D6H的一个操作码,用于读取来自缓冲器2的数据要执行
缓冲区中读取,操作码必须移入器件后跟三个地址字节
由14不在乎位和10缓冲区地址位( BFA9 - BFA0 ) 。继
3个地址字节,一个额外的不在乎字节的时钟必须在初始化
读操作。由于缓冲区大小为528个字节,10个缓冲器地址位需
指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。 CS引脚必须保持为低电平能很好地协同
荷兰国际集团的操作码,地址字节,不在乎字节加载,读取
的数据。当达到缓冲器的末端,所述装置将继续读回的
开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读
操作和三态输出引脚(SO ) 。
4
AT45DB321C [初步]
3387B–DFLSH–9/04
AT45DB321C [初步]
编程和擦除
COMMANDS
缓冲区写:
数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。
将数据加载到任何缓冲器,一个1字节的操作码, 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2,
必须移入设备,其次是3个地址字节由14不会
关注位和10缓冲区地址位( BFA9 - BFA0 ) 。 10缓冲区地址位指定
在缓冲器中的第一个字节被写入。之后的最后一个地址字节被移入
该装置中,数据可以在随后的时钟周期时钟输入。如果该结束
数据缓冲器达到时,该装置将绕回的缓冲区的开始。
数据将继续被加载到缓冲器中,直到一个低到高的跳变被检测到上
CS引脚。
缓冲区带内置擦除主存储器页编程:
数据写入
入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动
操作时,一个8位的操作码, 83H缓冲区1 86H缓冲区2 ,必须移入
设备后跟三个地址字节包含一个保留位的, 13页地址
位( PA12 - PA0 ) ,在主内存中指定的页面写入和10不要
关注位。当低到高的转变发生在CS引脚上,部分会先擦除
在主存储器中选择的页(擦除状态是逻辑1),则程序的数据
存储在缓冲器中进入在主存储器中的指定页面。无论是擦除和亲
页面的编程是在内部自定时的,应在一个最大时间
的t
EP
。在此期间,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示
一部分是忙。
BUFFER主存储器页编程没有内置ERASE :
一个previ-
主存储器内ously擦除的页面可以与任意的内容进行编程
缓冲区1或缓冲区2.要开始操作,一个8位的操作码, 88H缓冲区1或89H为
缓冲区2 ,必须移入器件后跟三个地址字节组成的
一个保留位,第13页地址位( PA12 - PA0 ) ,在主指定的页面
内存写入和10个无关位。当低到高的转变发生在
CS引脚,该部分程序存储在缓冲器成在指定的页的数据
主存储器。必要的是在主存储器中的页面被编程的
已经使用擦除命令(页擦除或块以前删除
擦除) 。在页面的编程是在内部自定时的,应在一
吨的最大时间
P
。在此期间,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将indi-
美食,该部分正忙。
页擦除:
在页擦除命令可以用来单独擦除任何页面
主存储器阵列允许缓冲区到主存储器页编程,而不在
内置的擦除命令,在以后的时间被利用。要执行页擦除,一个
81H的操作码必须被加载到设备上,接着是三个地址字节的COM
珍贵的一个保留位,第13页地址位( PA12 - PA0 )中指定的页面
主存储器进行擦除和10无关位。当发生由低到高的转变
CS引脚,该部分将删除选定的页面(在擦除状态为逻辑1 ) 。该
擦除操作是在内部自定时的,应在吨的最大时间
PE
.
在此期间,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分是
忙。
BLOCK ERASE :
的八页的块可以同时被擦除。此命令是
有有用的,当大量的数据要被写入到该设备。这将避免使用
多页擦除命令。要执行块擦除, 50H的操作码必须是
加载到装置中,接着是三个地址字节包括一个保留位,
第10页地址位( PA12 - PA3 )和13无关位。 10页地址位
用于指定的八个页块是要被擦除。当低到高的转变
发生在CS引脚,该部分将擦除八页选定的块。擦除
操作是在内部自定时的,应在吨的最大时间
BE
。中
此时,状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。
5
3387B–DFLSH–9/04
特点
单2.7 - 3.6V电源
急流
串行接口: 40 MHz最大时钟频率
( SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的)
页编程
- 8192页( 528字节/页)
自动擦除操作
- 页擦除528字节
- 块擦除4224字节
两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 10毫安有效的读电流典型
- 6 μA待机电流典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门锁定
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
商用和工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
32-megabit
2.7伏
数据闪存
AT45DB321C
1.描述
该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合
用于各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据 - 的
存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口
急流的要求非常高的速度操作的应用程序。
它的34603008位的存储器被组织为8192页,每页528字节。在
除了在33兆位主存储器中, AT45DB321C还包含两个SRAM
每528字节的缓冲区。
缓冲区允许数据的接收,同时在主内存页面一个页面被
重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位
或字节变性)被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理
操作。不同于与mul-随机访问的传统闪存
tiple地址线和并行接口,在数据闪存采用的是串行急流
接口以顺序地存取其数据。简单的顺序存取大幅
主动减少引脚数,简化硬件设计,提高了系统的可靠性, MIN-
imizes开关噪声,并降低了封装尺寸。该设备在使用的优化
许多商业和工业应用中,高密度,低引脚数,低
电压和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达
40兆赫与10 mA的典型有效的读电流消耗。
3387L–DFLASH–6/06
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB321C不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB321C通过片选引脚启用
( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI )中,串行输出访问
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
2.引脚配置和封装
表2-1 。
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
销刀豆网络gurations
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
图2-1 。
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
TSOP顶视图 - 1型
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
图2-2 。
1
CBGA顶视图
通过包装
2
3
4
5
图2-3 。
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
SOIC顶视图
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
B
NC
SCK GND VCC
CS RDY / BSY WP
SO
NC
C
NC
D
NC
SI RESET NC
NC
NC
NC
E
NC
图2-4 。
数据闪存卡
(1)
顶视图
通过包装
7 6
5 4 3 2 1
图2-5 。
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
CASON - 顶视图
通过包装
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
注意:
1.见AT45DCB004C数据表
2
AT45DB321C
3387L–DFLASH–6/06
AT45DB321C
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 528字节)
缓冲器1 ( 528字节)
缓冲液2 ( 528字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB321C的存储器阵列被划分为三个等级
粒度,包括行业,块和页面。在“内存体系结构图” illus-
trates每个级别的故障,并详细说明的每个扇区和块的页数。所有
程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。在擦除操作
可以在块或页级执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
行业0A
块0
1座
部门架构
行业0A = 8页
4224字节( 4K + 128)
页面架构
8页
第0页
第1页
行业0B = 504页
266112字节( 252K + 8064 )
行业0B
BLOCK 2
块0
第6页
第7页
第8页
BLOCK 62
BLOCK 63
1扇区= 512页
270,336字节( 256K + 8K )
部门2 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
部门1
BLOCK 65
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
行业14 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
行业15 = 512页
270,336字节( 256K + 8K )
PAGE 8189
BLOCK 1022
BLOCK 1023
PAGE 8190
PAGE 8191
块= 4224个字节
(4K + 128)
页= 528个字节
(512 + 16)
3
3387L–DFLASH–6/06
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
及其相关的操作码至4载于表1有效指令开始
连拍的后跟适当的8位操作码和所需的缓冲器或主要的下降沿
内存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发SCK引脚控制的负载
操作码,并通过在SI (串行输入)所需的缓冲区或主存储器地址位置
引脚。所有的指令,地址和数据传送的最显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA9 - BFA0表示
所需要的10个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器寻址
ING使用的术语PA12 - PA0和BA9 - BA0 ,其中PA12 - PA0表示引用
指定页面地址和BA9 - BA0需要13位地址表示10位地址
在页面中指定一个字节的地址要求。
5.1
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取任
1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持急流协议模式0和
模式3,请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表
于每种模式的时钟周期序列的详细信息。
5.1.1
连续阵列读
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。要执行连续读取, E8H的操作码必须是
移入器件。操作码后跟三个地址字节(包括24位
页和字节地址的序列)和32不在乎时钟周期。 24位的第一位
地址序列被保留用于向上和向下兼容性,较大和较小的树突
sity设备(见下面的说明
第25页第13.6节。
的下一个13位( PA12 - PA0 )
24位地址序列指定给读出页的主存储器阵列的,上次
10位( BA9 - BA0 )的24位地址序列中的指定起始字节地址
页。 32不在乎请按照所需要的四个地址字节来初始化时钟周期
读出操作。继不在乎时钟周期,额外的时钟脉冲SCK引脚
会导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不关心
字节,并且数据的读取。当在一个被达到,主存储器中的页的结束
连续阵列读取,所述装置将继续读取下一个页面的开始
没有延迟页边界交叉(从一个页面末尾的交叉过程中发生的
到下一个页面的开始处) 。当主存储器阵列中的最后一位被读出,
所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。与交叉
荷兰国际集团在页面边界,无延迟,将的结束缠绕时,将发生
阵列到阵列的开头。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚
( SO ) 。对于连续阵列的最大SCK频率允许读由定义
f
汽车
规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶CON组
缓冲区不变的帐篷。
4
AT45DB321C
3387L–DFLASH–6/06
AT45DB321C
5.1.2
主存储器页读
读出的主存储器页面允许用户直接从8192页中的任何一个读数据
在主存储器中,从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容
不变。要启动页读取, D2H的操作码,必须移入器件。该
操作码后跟三个地址字节(其中包括24位和网页字节地址
的序列)和32不在乎时钟周期。 24位的地址序列的第一比特是
保留位, 24位地址序列中的下一个13位( PA12 - PA0 )在指定页面
主存储器被读取,并且该24位地址序列中的最后10位( BA9 - BA0 )指定
该页面内的起始字节地址。 32不在乎遵循三是时钟周期
地址字节被发送到初始化读操作。继不在乎字节,附加
脉冲在SCK导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。 CS引脚必须保持
操作码,地址字节,不在乎字节加载,以及在读期间低
数据。当达到在主存储器中的页的结束,该装置将继续读回
在同一页的开头。在CS引脚从低到高的跳变将终止读
操作和三态输出引脚( SO ) 。最大SCK频率允许的主
内存页读是由F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过
两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
缓冲区读
数据可以从任一所述两个缓冲器的读出,使用不同的操作码来指定哪些
从缓冲区读取。 D4H的一个操作码,用于读取来自缓冲器1的数据,并D6H的操作码
用于读取从缓冲器2的数据要执行的缓冲器读出时,操作码必须被读入
设备后跟三个地址字节由14不在乎位和10缓冲区地址
位( BFA9 - BFA0 ) 。以下的3个地址字节,一个额外的不在乎字节必须是
主频在初始化读操作。由于缓冲区大小为528个字节,10个缓冲器地址
位都需要指定的数据被从缓冲区中读出的第一个字节。 CS引脚必须
操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不在乎字节,
读取数据。当达到缓冲器的末端,所述装置将继续读回的
开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作
和三态输出引脚( SO ) 。
5.1.3
5.2
5.2.1
编程和擦除命令
缓冲区写
数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲区, 1个字节的操作码, 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ,必须移入器件时,请按照
通过三个地址字节由14不在乎位和10缓冲区地址位lowed ( BFA9-
BFA0 ) 。 10个缓冲器地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。在最后
地址字节被移入器件,数据就可以在随后的时钟主频在
周期。如果数据缓冲区的末尾为止,该装置将环绕回到开始
的缓冲液中。数据将继续被加载到缓冲器中,直到一个低到高的过渡是
CS引脚上检测到。
5
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