特点
快速读取访问时间 - 55纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 40 mA最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁抗扰度
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS-与TTL兼容的输入和输出
综合产品标识代码
工业和汽车温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
2-megabit
（ 256K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C020
1.描述
该AT27C020是一个低功率，高性能， 2097152位，一次性编程
序的只读8位， 256K存储器（ OTP EPROM ） 。它仅需要
在正常的读操作模式1 5V电源。任何字节可接
在小于55纳秒，省去了减速等待状态的高
高性能微处理器系统。
在读取模式下， AT27C020典型功耗8毫安。待机模式下电源电流
通常小于10微安。
该AT27C020可在行业标准的JEDEC批准单的选择
一次性可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC和TSOP封装。所有设备为特色的
TURE两线控制（ CE ， OE） ，使设计人员能够灵活地防止公交车
争。
以256K字节的存储容量， AT27C020允许固件被存储可靠性
巧妙地，也可以通过系统而不大容量存储媒体的延迟访问。
Atmel公司的AT27C020具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产
化利用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。编程时间通常只
100微秒/字节。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0570G–EPROM–12/07
AT27C020
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1 μF高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
1.最小电压为-0.6V的DC ，其可以下冲至-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流，这可能会过冲至+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
3
0570G–EPROM–12/07
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
）除了A9 ，其被设定为V
H
和A0 ，其已切换
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A17 = V
IL
V
PP
X
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C020
-55
IND 。
工作温度（外壳）
自动。
V
CC
电源
5V
±
10%
-40° C - 125° C
5V
±
10%
-40° C - 85° C
-90
-40° C - 85° C
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
（融为一体，印第安纳州）
V
OUT
= 0V至V
CC
（融为一体，印第安纳州）
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1.0
±5.0
±10
100
1.0
25
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
4
AT27C020
0570G–EPROM–12/07
AT27C020
9. AC特性读操作
AT27C020
-55
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE或CE高到输出浮动，
以先发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
7
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
55
55
20
18
0
民
-90
最大
90
90
35
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时，数据将不再被驱动。
5
0570G–EPROM–12/07
AT27C020
特点
快速读取访问时间 - 55纳秒
低功耗CMOS操作
– 100
A
最大。待机
- 40 mA最大。活跃在5MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚600密耳PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 100
微秒/字节
（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
2-Megabit
（ 256K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C020
描述
该AT27C020是一款低功耗，高性能的2,097,152位一次性可编
BLE只读了8位， 256K存储器（ OTP EPROM ） 。它仅需要
在正常的读操作模式1 5V电源。任何字节可以被访问
小于55纳秒，省去了减速等待状态高perfor-
曼斯微处理器系统。
在读取模式下， AT27C020典型功耗8毫安。待机模式下电源电流
通常小于10
A.
PLCC顶视图
引脚名称
A0 - A17
O0 - O7
CE
OE
PGM
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
A12
A15
A16
VPP
VCC
PGM
A17
销刀豆网络gurations
PDIP顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
A11
A9
A8
A13
A14
A17
PGM
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP顶视图
类型1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
GND
02
01
O0
A0
A1
A2
A3
01
02
GND
03
04
05
06
14
15
16
17
18
19
20
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
牧师0570C -B -九十七分之一十二
1
该AT27C020可在行业标准的选择
JEDEC批准的一次性可编程（ OTP ）塑料
PDIP ， PLCC ，和TSOP封装。所有器件具有两
行控制（ CE ， OE）给设计者灵活地预
发泄总线争用。
以256K字节的存储容量， AT27C020允许
固件被可靠地存储并要由被访问
系统，而无需大容量存储媒体的延迟。
Atmel的27C020具有附加功能，以确保高
优质高效的生产使用。快速
编程
明算法减少了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。程序设计
时间通常仅为100
微秒/字节。
综合产品
识别码的电子识别设备和
制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬时电压偏移。
除非容纳由系统设计中，这些转录
sients可能会超出数据表的限制，造成设备
不符合。至少，一个0.1
F
高频率，
固有的低电感，陶瓷电容应泌尿道感染
lized每个设备。该电容应连接
在V之间
CC
和接地装置的终端，如
靠近器件成为可能。另外，为了稳定
在印刷电路板上的大电源电压电平
EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应
被利用，再连接在V之间
CC
和地面
终端。该电容的位置应尽可能靠近
能够在电源被连接在点
到阵列中。
框图
2
AT27C020
AT27C020
绝对最大额定值*
高温下偏置.......................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度............................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面............................... -2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面............................ -2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
1.
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性
损坏设备。这是一个压力等级
该装置的唯一的和功能性操作
这些或超出其它任何条件
在这个业务部门所标明
规范是不是暗示。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
最低电压为-0.6V DC这可能
冲至-2.0V少于20个脉冲
纳秒。最大输出引脚电压为V
CC
+
0.75V直流可能过冲至+ 7.0V的
小于20纳秒的脉冲。
V
PP
与电源电压
对于地面............................. -2.0V至+ 14.0V
(1)
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A17 = V
IL
V
PP
X
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
3
直流和交流工作条件的读操作
AT27C020
-55
工作温度
（案例）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85C
5V
±
10%
-70
0°C - 70°C
-40°C - 85C
5V
±
10%
-90
0°C - 70°C
-40°C - 85C
5V
±
10%
-12
0°C - 70°C
-40°C - 85C
5V
±
10%
-15
0°C - 70°C
-40°C - 85C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
（融为一体，印第安纳州）
V
OUT
= 0V至V
CC
（融为一体，印第安纳州）
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1.0
±5.0
±10
100
1.0
25
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C020
-55
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE或CE高
到输出的浮动，
以先发生
输出保持
从报告中，行政长官
或OE ，取
第一次发生
7
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
55
55
20
18
民
-70
最大
70
70
30
20
民
-90
最大
90
90
35
20
民
-12
最大
120
120
35
30
民
-15
最大
150
150
40
40
单位
ns
ns
ns
ns
t
OH
注意：
7
0
0
0
ns
1， 2，3 ， 4 ， 5，见AC波形的读操作图。
4
AT27C020
AT27C020
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE 。
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
输入测试波形和测量水平
对于只有-55设备：
3.0V
AC
主动
水平
0.0V
1.5V
AC
测量
水平
输出测试负载
(1)
t
R
, t
F
< 5纳秒（10％至90％）的
为-70 ， -90 ， -12 ， -15设备只：
注意：
1.
CL = 100 pF包括夹具
除了电容-55
设备，其中CL = 30 pF的。
t
R
, t
F
＆ LT ; 20毫微秒（10％至90％）的
引脚电容
F = 1MHz时， T = 25℃
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
最大
8
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
QQ：2880707522 复制
