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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第15页 > ADG509FBRW
a
特点
低导通电阻(典型值300 )
快速开关时间
t
ON
250 ns(最大值)
t
关闭
250 ns(最大值)
低功耗( 3.3毫瓦最大)
故障和过压保护( -40 V至+55 V)
关闭所有开关与电源OFF
在通道钳位的模拟输出功率范围内
耗材如果发生过压
闩锁防建设
先断后建设
TTL和CMOS兼容输入
应用
现有的多路复用器应用程序(故障保护
和Nonfault保护)
新设计要求复用器的功能
概述
4/8通道故障保护
模拟多路复用器
ADG508F/ADG509F/ADG528F*
功能方框图
ADG508F/ADG528F
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
ADG528F
WR
RS
1第8
解码器
S4B
1 4
解码器
ADG509F
A0 A1 A2 EN
A0 A1 EN
2.在通道关闭时存在故障。
3.低R
ON 。
4.快速开关时间。
5.先开后合式开关。
交换机可以保证先开后合做,使输入
信号免受瞬时短路。
6.沟槽隔离消除闩锁。
电介质沟道分开的p和n沟道MOSFET
从而防止闩锁。
订购指南
该ADG508F , ADG509F和ADG528F均为CMOS模拟
多路复用器,该ADG508F和ADG528F包括八
单声道和ADG509F包括四个差分
通道。这些多路复用器提供故障保护。利用
串联n沟道, p沟道, n沟道MOSFET结构,
器件和信号源保护的情况下提供
过压或功率损耗。多路复用器可以承受
-40 V至+55 V.连续过压输入时
故障的条件下,多路转换器的输入(或输出)表现为
开路和漏电流只有几nA
流动。这不仅保护多路复用器和所述电路
由多路转换器驱动的,但也可以保护传感器或信号
源驱动多路复用器。
该ADG508F和ADG528F切换八个输入一至
作为由3位二进制地址线确定的公共输出端
A0,A1和A2中。该ADG509F切换4路差分1
输入至公共差分输出如由2-确定
位二进制地址线A0和A1 。该ADG528F具有片
地址和控制锁存器有利于微处理器接口
面对。一个EN输入的每个设备上,用来使能或禁用
该设备。禁用时,所有通道被关闭。
产品亮点
模型
1
ADG508FBN
ADG508FBRN
ADG508FBRW
ADG508FTQ
ADG509FBN
ADG509FBRN
ADG509FBRW
ADG509FTQ
ADG528FBN
ADG528FBP
ADG528FTQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项
2
N-16
R-16N
R-16W
Q-16
N-16
R-16N
R-16W
Q-16
N-18
P-20A
Q-18
1.故障保护。
该ADG508F / ADG509F / ADG528F可以承受CON-
-40 V至+55 V.当一个故障连续的电压输入
发生由于电源被关闭时,所有的
信道被关闭,几只有漏电流
纳安流动。
*专利申请中。
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 , B类加工零件,添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片载体( PLCC ) ; Q = CERDIP ;
RN = 0.15"小外形集成电路( SOIC ) , RW = 0.3"小外形集成电路( SOIC ) 。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1998年
ADG508F/ADG509F/ADG528F–SPECIFICATIONS
1
双电源
(V
DD
=
+15 V
10%, V
SS
= –15 V
的10% ,GND = 0V,除非另有说明)
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
V
SS
+ 3
V
DD
– 1.5
400
450
0.6
5
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
B版本
-40 ℃
+25 C +85 C
V
SS
+ 3
V
DD
– 1.5
350
400
单位
V分钟
V最大
典型值
测试条件/评论
300
300
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG508F/ADG528F
ADG509F
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
ADG508F/ADG528F
ADG509F
故障
输出漏电流
(具有过压)
输入漏电流
(具有过压)
输入漏电流
(带电源OFF)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
( EN ,
WR )
t
关闭
( EN ,
RS)
t
SETT
,稳定时间
0.1%
0.01%
ADG528F只有
t
W
,写脉宽
t
S
,地址,启用设置时间
t
H
,地址,使能保持时间
t
RS
,复位脉冲宽度
电荷注入
关断隔离
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG508F/ADG528F
ADG509F
电源要求
I
DD
I
SS
0.6
5
±
0.02
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
50
±
60
±
30
±
60
±
30
-10 V < V
S
< +10 V,I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V
±
10%, V
SS
= –15 V
±
10%
最大
-10 V < V
S
< +10 V,I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V
±
5%, V
SS
= –15 V
±
5%
%/℃典型值V
S
= 0 V,I
S
= 1毫安
%最大
V
S
= 0 V,I
S
= 1毫安
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路2
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
V
S
=
±
33 V, V
D
= 0 V ,测试电路3
V
S
=
±
25 V, V
D
=
10 V ,测试电路5
10 V;
10 V;
±
0.02
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.02
±
2
±
0.005
±
2
±
0.001
±
2
±
50
±
200
±
100
±
200
±
100
±
0.02
±
2
±
2
±
0.005
±
2
±
0.001
±
2
2.4
0.8
±
1
5
200
300
50
25
200
250
200
250
V
S
=
±
25 V, V
D
= V
EN
= A 0 ,A 1, A 2 = 0V
测试电路6
2.4
0.8
±
1
5
200
300
50
25
200
250
200
250
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
s
典型值
s
典型值
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
400
10
400
400
1
2.5
400
10
400
400
1
2.5
R
L
= 1 MΩ ,C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
10 V, V
S8
= 10 V ;测试电路7
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路8
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路9
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路9
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= +5 V
100
120
100
10
100
100
200
100
10
100
4
68
50
5
50
25
0.1
0.1
0.2
0.1
4
68
50
5
50
25
0.1
0.1
0.2
0.1
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路12
R
L
= 1千欧,C
L
= 15 PF, F = 100千赫;
V
S
= 7 V均方根值;测试电路13
最大mA
最大mA
V
IN
= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本C
ADG508F/ADG509F/ADG528F
表一ADG508F真值表
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
5
6
7
8
A1
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
表II中。 ADG509F真值表
EN
0
1
1
1
1
ON开关对
1
2
3
4
X =无关
X =无关
表Ⅲ。 ADG528F真值表
A2
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
X
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
X
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
X
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
WR
g
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
RS
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
ON
开关
保留了以前的交换机条件
NONE (地址和锁存使能清零)
1
2
3
4
5
6
7
8
X =无关
时序图( ADG528F )
3V
WR
0V
50%
50%
3V
RS
0V
50%
50%
t
W
t
S
t
H
3V
A0, A1, A2
EN
0V
2V
0.8V
t
RS
t
关闭
(RS) -
V
O
开关
产量
0V
0.8V
O
图1 。
图2中。
图1示出了用于闭锁开关的时序
解决和使能输入。锁存器是电平敏感; there-
脱颖而出,而
WR
保持低电平时,锁存器是透明的,
开关响应于所述地址和使能输入。该输入
数据被锁存的上升沿
WR 。
图2示出了复位脉冲宽度,叔
RS
和复位开启
关闭时间,t
关闭
(RS) 。
注:所有数字输入信号的上升和下降时间测量
从10 %到90% 3-五吨
R
= t
F
= 20纳秒。
版本C
–3–
ADG508F/ADG509F/ADG528F
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
ADG508F / ADG509F引脚配置
DIP / SOIC
DIP / SOIC
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
EN
, V
A
数字输入。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时,
以先到为准科幻RST
V
S
,模拟输入过压与电源。 。 。 。 。 V
SS
– 25 V
到V
DD
+ 40 V
V
S
,模拟输入过压关断电源
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 V至+55 V
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流,S或D
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(T版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP套餐
θ
JA
,热阻抗
16引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
18引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料包装
θ
JA
,热阻抗
16引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117℃
18引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110℃
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装
θ
JA
,热阻抗
窄体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
宽体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
PLCC封装
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
A0
EN
V
SS
S1
S2
S3
S4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
16 A1
15 A2
14 GND
13 V
DD
顶视图
(不按比例) 12 S5
11 S6
10 S7
9
S8
A0
EN
V
SS
S1A
S2A
S3A
S4A
DA
1
2
3
4
5
6
7
8
16 A1
15 GND
14 V
DD
13 S1B
顶视图
(不按比例) 12 S2B
11 S3B
10 S4B
9
DB
ADG508F
ADG509F
ADG528F引脚配置
DIP
PLCC
WR
NC
A0
RS
WR
A0
EN
V
SS
S1
S2
S3
S4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
RS
17 A1
16 A2
EN 4
V
SS
5
S1 6
S2 7
S3 8
3
2
1
20 19
18 A2
A1
17 GND
16 V
DD
15 S5
14 S6
S7
ADG528F
15 GND
ADG528F
顶视图
(不按比例)
顶视图
14 V
DD
(不按比例)
13 S5
12 S6
11 S7
10 S8
9
S4
10 11 12 13
NC
S8
D
NC =无连接
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然这些器件具有专有ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
版本C
ADG508F/ADG509F/ADG528F
术语
典型性能图
最积极的供电潜力。
最负电源电位。
接地( 0 V )参考。
D和S之间的欧姆电阻
变化在研发
ON
当温度变化
由一摄氏度。
R
ON
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
–15
V
DD
= +10V
V
SS
= –10V
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
–10
–5
0
5
V
D
(V
S
) - 伏
10
15
T
A
= +25 C
V
DD
V
SS
GND
R
ON
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
(关闭)
I
D
(关闭)
I
D
, I
S
(上)
V
D
(V
S
)
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
C
IN
t
ON
( EN )
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
在R的区别
ON
任何两种
通道。
当开关是源漏电流
关。
漏极漏电流时,开关处于关闭状态。
当开关处于信道的泄漏电流
ON 。
在端D ,S模拟电压
通道的输入电容为“OFF”
条件。
信道的输出电容为“关”
条件。
“ON”的开关电容。
数字输入电容。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”时的
条件。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入和开关“关”的
条件。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”
条件从一个地址转换时
状态到另一个状态。
测得的80 %点之间的“关”的时间
无论从一个切换开关时,
解决状态到另一个状态。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1 ” 。
输入电流的数字输入。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的通道。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
正电源电流。
负电源电流。
图3.导通电阻V的功能
D
(V
S
)
1m
100
V
DD
= 0V
V
SS
= 0V
V
D
= 0V
I
S
- 输入漏 - 一个
10
1
100n
10n
工作范围
1n
100p
10p
t
关闭
( EN )
t
过渡
1p
–50 –40 –30 –20 –10
0
10
20
30
V
IN
- 输入电压 - 伏特
40
50
60
t
开放
图4.输入漏电流为V的功能
S
(电源OFF )在过压条件
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
关断隔离
电荷注入
1m
100
I
D
- 输入漏 - 一个
10
1
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
D
= 0V
100n
10n
工作范围
1n
I
DD
I
SS
100p
10p
1p
–50 –40 –30
–20 –10
0
10
20
30
V
IN
- 输入电压 - 伏特
40
50
60
图5.输出漏电流为V的功能
S
(电源ON )在过压条件
版本C
–5–
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