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APM9933
双P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -3.5A ，R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
-2.9A ，R
DS （ ON）
= 52mΩ （典型值） @ V
GS
=-3.0V
-2.6A ，R
DS （ ON）
=的60mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.7V
引脚说明
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
SOP
8
S1
S2
应用
G1
G2
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
D1
D1
D2
D2
订购和标识信息
APM 9933
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P一CK AG电子C 0 D E
P沟道MOSFET
P ackage 颂歌
K： S 0 P -8
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：磁带& 鳗鱼
一个P M 9933克：
一个P M 9933
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±12
-3.5
-16
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM9933
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
2.5
1.0
150
-55到150
50
W
°C
°C
° C / W
单位
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
BV
DSS
T
j
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS （ TH）
T
j
R
DS （ ON）
a
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通状态
阻力
通态漏电流
正向跨导
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM9933
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250
A
I
D
=-250
A，参考25℃
V
DS
=-16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250
A
V
GS
=
±
12V , V
DS
=0V
I
D
=-250
A，参考25℃
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-3.4A
V
GS
= -3.0V ，我
DS
=-2.9A
V
GS
= -2.7V ，我
DS
=-2.6A
V
GS
=-4.5V , V
DS
=-5.0V
V
DS
= -4.5V ，我
D
=-3.8A
I
SD
= -2.0A ，V
GS
=0V
V
DS
= -6V ，我
DS
=-3.5A
V
GS
=-4.5V
V
DD
= -6V ，我
DS
=-1A ,
V
根
= -4.5V ，R
G
=6
,
R
L
=6
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
-20
-16
-1
-0.5
-0.7
-1
±
100
2.5
45
52
60
-10
10
-0.7
12.7
1.75
2.8
12
25
52
18
1290
300
210
21
42
85
32
-1.3
15
70
80
100
V
毫伏/°C的
A
V
nA
毫伏/°C的
m
A
S
V
I
D（上）
g
FS
V
SD
a
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
nC
ns
pF
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
2
www.anpec.com.tw
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
APM9933
典型特征
输出特性
12
-V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
12
10
10
-I
D
- 漏电流（A ）
-I
D-
漏电流（ A）
8
6
4
2
-V
GS
=1V
-V
GS
=1.5V
8
6
4
2
0
0.0
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
0
0
1
2
3
4
5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
-I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.08
-V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.25
0.07
0.06
-V
GS
=3V
0.05
0.04
0.03
0.02
-V
GS
=4.5V
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
12
TJ - 结温（ ° C）
-I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
3
www.anpec.com.tw
APM9933
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.14
-I
D
=3.4A
导通电阻与结温
2.00
-V
GS
=4.5V
-I
D
=3.4A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
-V
DS
=6V
-I
D
=3.5A
电容
2500
Frequency=1MHz
-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
2000
3
电容（pF）
1500
西塞
2
1000
1
500
科斯
CRSS
0
0
3
6
9
12
15
0
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
4
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APM9933
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
100
单脉冲功率
-I
S
- 源电流（A ）
80
功率（W）的
60
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
40
20
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
单脉冲
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
5
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A14100A-1RQ208C
AM29PL160CB-65R
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厂家
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数量
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单价/备注
操作
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