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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第15页 > APM4230KC-TRL
APM4230K
N沟道增强型MOSFET
特点
25V/13.5A,
R
DS （ ON）
= 6MΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 7.5mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
SOP的顶视图
8
( 5,6,7,8 )
D D DD
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S S S
(1, 2, 3)
(4)
G
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 4230
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SO P- 8
操作摄像结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅冰开发空白：原创开发的冰
XXXXX - 日期代码
APM 4230 K：
APM 4230
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM4230K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
25
±20
13.5
55
3
150
-55到150
2
0.8
62.5
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM4230K
分钟。
典型值。
马克斯。
45
25
1
30
1.3
1.8
6
7.5
9.5
0.7
29
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=16A
3.6
12
2.5
±100
7.5
10
m
13
1.3
40
nC
V
测试条件
单位
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量，单脉冲
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
I
D
= 20A ，V
DD
=15V
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=13.5A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=10A,
T
J
=125°C
mJ
V
A
V
nA
R
DS （ ON）
a
漏源导通电阻
V
SD
a
二极管的正向电压
b
I
SD
= 1A ，V
GS
=0V
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月， 2005年
2
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APM4230K
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM4230K
分钟。
典型值。
2.3
3300
1180
790
15
28
24
170
75
ns
13
122
53
pF
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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3
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APM4230K
典型特征
功耗
2.5
15
漏电流
2.0
12
1.5
I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
9
1.0
6
0.5
3
o
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
T
A
= 25℃ ，V
G
=10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归瞬态热Resistacne
100
2
1
瞬态热阻抗
it
I
D
- 漏电流（ A）
Rd
10
on
)L
300
s
1ms
s(
im
占空比= 0.5
0.2
10ms
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
1
100ms
1s
0.01
单脉冲
0.1
DC
0.01
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
o
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏源电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
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4
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APM4230K
典型特征（续）
输出特性
60
V
GS
= 4,5,6,7,8,9,10V
3V
14
12
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
50
I
D
- 漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
40
30
20
2.5V
10
2V
0
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
60
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
50
40
30
T
j
=125 C
o
20
T
j
=25 C
10
o
T
j
=-55 C
o
归一化阈值电压
I
D
- 漏电流（ A）
0
0
1
2
3
4
0.0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
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电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
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