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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第15页 > ADG723
a
特点
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
4 (最大值)导通电阻
低导通电阻平坦度
-3 dB带宽>200兆赫
轨到轨工作
8引脚SOIC封装
快速开关时间
t
ON
20纳秒
t
关闭
10纳秒
低功耗( <0.1
TTL / CMOS兼容
CMOS
低电压4双通道SPST开关
ADG721/ADG722/ADG723
功能方框图
ADG721
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
IN2
S2
D1
D2
S1
IN1
ADG722
W)
ADG723
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
开关所对于逻辑"0"输入
概述
产品亮点
该ADG721 , ADG722和ADG723均为单芯片CMOS
SPST开关。这些开关采用先进的设计
亚微米工艺,提供低功耗,
高开关速度,低导通电阻和低泄漏电流。
该ADG721 , ADG722和ADG723被设计成操作
从单一的+ 1.8V至+ 5.5V电源供电,非常适合
在电池供电的设备,在新一代使用
从ADI公司的DAC和ADC 。
该ADG721 , ADG722和ADG723包含两个独立的
单刀/单掷( SPST)开关。该ADG721和
只有ADG722的区别在于两个开关为常开和
分别常闭。而在ADG723 ,开关1
常开开关2是常闭的。
该ADG721 , ADG722和ADG723行为的每个开关
同样在两个方向上的时候。该ADG723展品
先开后合式开关动作。
1. +1.8 V至+5.5 V单电源供电。该ADG721 ,
ADG722和ADG723具有高性能,其中包括
低导通电阻和快速开关时间,并充分试样
田间,并保证与+3 V和+5 V电源轨。
2.非常低R
ON
(4
最多在5 V , 10
最多在3 V ) 。在1.8 V
操作中,R
ON
通常为40
在整个温度范围内。
3.低导通电阻平坦度。
4, -3 dB带宽>200兆赫。
5.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
6.快速吨
ON
/t
关。
7. 8引脚
μSOIC 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1998年
ADG721/ADG722/ADG723–SPECIFICATIONS
1
(V
DD
= +5 V
的10% , GND = 0V。所有规格-40 ℃至85 ℃,除非另有说明。 )
B版本
- 40℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
5
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG723 )
电荷注入
关断隔离
单位
V
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
4
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安,
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V
测试电路3
0.3
1.0
0.85
1.5
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.35
±
0.35
±
0.35
2.4
0.8
0.005
±
0.1
14
20
6
10
7
1
2
–60
–80
–77
–97
200
7
7
18
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ,测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ,测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S1
= V
S2
= 3 V ,测试电路5
V
S
= 2 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的,
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz时,
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz时,
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,测试电路9
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本, -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
第0版
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
ADG721/ADG722/ADG723
DD
= +3 V
的10% , GND = 0V。所有规格-40 ℃至85 ℃,除非另有说明。 )
B版本
- 40℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
6.5
10
0.3
1.0
3.5
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3V的
测试电路3
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG723 )
电荷注入
关断隔离
±
0.35
±
0.35
±
0.35
2.0
0.4
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
16
24
7
11
7
1
2
–60
–80
–77
–97
200
7
7
18
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ,测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ,测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S1
= V
S2
= 2 V ,测试电路5
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的,
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz时,
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz时,
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,
测试电路9
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
笔记
1
温度范围如下: B版本, -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG721/ADG722/ADG723
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
术语
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟,数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安,以先到为准
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
μSOIC
封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2千伏
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对的马克西 -
妈妈等级可能在任一时刻被应用。
2
过压IN ,S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表一,真值表( ADG721 / ADG722 )
ADG721在
0
1
ADG722在
1
0
开关状态
关闭
ON
表II中。真值表( ADG723 )
最积极的供电潜力。
接地( 0 V )参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻任意两个通道之间的匹配
即,R
ON
马克斯 - R的
ON
分钟。
R
平(ON)的
平整度是指之间的差
的导通电阻为最大值和最小值
测量在指定的模拟信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
I
S
(关闭)
I
D
(关闭)
漏极漏电流与开关“OFF”。
I
D
, I
S
(ON)的信道的泄漏电流与开关“ON”。
V
D
(V
S
)
在端D ,S模拟电压
C
S
(关闭)
“ OFF”开关的源极电容。
C
D
(关闭)
“ OFF”开关漏极电容。
C
D
, C
S
(ON)的“ON”的开关电容。
t
ON
施加的数字控制输入之间的延迟
和输出开关上。
t
关闭
施加的数字控制输入之间的延迟
并输出开关关闭。
t
D
“ON”的时间之间所测量的“关”的时间或
两个开关的90 %点,切换时
从一个地址状态到另一个状态。 (仅ADG723 )
相声
度量无用信号被耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
关断隔离,通过衡量耦合的无用信号
一个“关闭”开关。
收费
衡量的毛刺脉冲传递
注射
期间切换。
引脚配置
8引脚SOIC ( RM - 8 )
S1
1
D1
2
IN2
3
8
V
DD
V
DD
GND
S
D
IN
R
ON
R
ON
逻辑
0
1
开关1
关闭
ON
开关2
ON
关闭
ADG721/
722/723
7
IN1
6
D2
顶视图
GND
4
(不按比例)
5
S2
订购指南
模型
ADG721BRM
ADG722BRM
ADG723BRM
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
品牌*
S6B
S7B
S8B
包装说明
μSOIC
μSOIC
μSOIC
封装选项
RM-8
RM-8
RM-8
*品牌=由于封装尺寸的限制,这三个字符所代表的零件编号。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然ADG721 / ADG722 / ADG723具有专用ESD保护电路, per-
永久性损伤,可能会发生在遇到高能量静电放电设备。 There-
前,适当的ESD防范措施建议,以避免性能下降或丧失
功能。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
典型性能特征 - ADG721 / ADG722 / ADG723
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
R
ON
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
1n
10
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
10n
V
DD
= +5.0V
I
供应
– A
V
DD
= +3.0V
V
DD
= +4.5V
10
V
DD
= +2.7V
T
A
= +25 C
100
1m
V
DD
= +5V
1
100n
图1.电阻V的功能
D
(V
S
)单
耗材
图4.电源电流与输入开关频率
6.0
+85 C
5.0
截止隔离 - 分贝
V
DD
= +3V
–30
V
DD
= +3V, +5V
–40
–50
–60
–70
4.0
+25 C
R
ON
3.0
–40 C
2.0
–80
–90
–100
10k
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
100k
1M
10M
频率 - 赫兹
100M
图2.导通电阻V的功能
D
(V
S
)的
不同温度V
DD
= +3 V
图5.关断隔离与频率的关系
6.0
5.5
5.0
4.5
+25 C
+85 C
串扰 - 分贝
4.0
3.5
R
ON
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
–40 C
V
DD
= +5V
–30
V
DD
= +3V, +5V
–40
–50
–60
–70
–80
–90
–100
–110
10k
100k
10M
1M
频率 - 赫兹
100M
图3.导通电阻V的功能
D
(V
S
)的
不同温度V
DD
= +5 V
图6.串扰与频率的关系
第0版
–5–
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADG723
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881291855 复制

电话:0755-82524647
联系人:邝小姐
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ADG723
ADI
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绝对全新原装!欢迎来电咨询!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ADG723
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8374
贴◆插
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