【特点单2.7V - 3.6V电源串行接口架构页编程操作- 单周期重新编程（擦除和编程）- 2048页】,IC型号AT45DB041,AT45DB041 PDF资料,AT45DB041经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.7V - 3.6V电源

串行接口架构

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 2048页（ 264字节/页）主内存

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器的重新编程

内部的计划和控制的定时器

快速页编程时间 - 7毫秒典型

120

典型的页面，以缓冲传输时间

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

– 8

一种CMOS待机电流典型

5 MHz的最大时钟频率

硬件数据保护功能

串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3

CMOS和TTL兼容输入和输出

商用和工业温度范围

4-Megabit

2.7伏只

串行

数据闪存

AT45DB041

描述

该AT45DB041是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系

TEM重新编程。其4325376比特的存储器被组织为2048页

264字节每个。除了在主存储器中， AT45DB041还包含两个

每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据

在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-

被访问随机与多个地址线和并行接口里斯，

该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行

接口方便了硬件的布局，提高了系统的可靠性，减少了切换

（续）

销刀豆网络gurations

PLCC

SOIC

GND

VCC

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

SCK

注： PLCC封装引脚16

和17请勿连接。

TSOP顶视图

类型1

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

RESET

RDY / BUSY

GND

SCK

VCC

RESET

RDY / BUSY

CBGA顶视图

通过包装

SCK GND VCC

CS RDY / BSY WP

SI RESET NC

牧师0669D - 07 / 98

噪音，并降低了封装尺寸和积极的引脚数。该

装置被用在许多商业和工业优化

试验应用高密度，低引脚数，低

电压和低功耗是必不可少的。典型应用

对于数据闪存的数字化语音存储，图像存储，

和数据的存储。该器件工作的时钟频率

高达5兆赫与典型有效的读电流消耗

为4 mA 。

为了让简单的系统内可重编程中，

AT45DB041不要求高输入电压为亲

编程。该器件采用单电源工作支持

P LY ， 2. 7V至3 6V ，福尔波个T他的公关OGR是一个可怕

操作。该AT45DB041通过芯片使能

通过三线接口选择引脚（ CS）和访问

由串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和

串行时钟（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时的，并没有单独的

编程前擦除周期。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

GND

RDY / BUSY

I / O接口

设备操作

该设备的操作是由从指令控制

主处理器。的指令和他们的相关的列表

操作码中包含的表1和表2中的有效

指令开始的CS随后的下降沿

合适的8位操作码和所需的缓冲器或主

内存地址的位置。当CS引脚为低电平，触发

SCK引脚控制的操作码和加载

通过所需的缓冲区或主内存地址位置

在SI （串行输入）引脚。所有的指令，地址和

数据传输与最显著位（MSB ）在前。

（ PA10 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定起始字节地址

内的页面。 32不在乎它跟随24位

地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，在SCK脉冲的附加

结果以串行数据通过SO被输出（串行输出）

引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，和数据的读出。当

在一个主达到在主存储器中的页的结束

内存页读取，该设备将继续阅读在

开始在同一页的。低到高的转变

CS引脚将终止读操作和三态的

SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从的任一个被读

两个缓冲器，采用不同的操作码，以指定哪一个缓冲区

从阅读。 54H的一个操作码被用来从读出的数据

缓冲器1和56H的一个操作码被用来从读出的数据

缓冲区2.要执行的缓冲区读取，则8位的

操作码必须跟15无关位， 9

地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小

是264个字节，九位地址（ BFA8 - BFA0 ）是必需的

指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。

读

通过指定适当的操作码，数据可以被读出

从主存储器或从所述两个数据中的任一个

缓冲区。

主存储器页读：

主存储器的读使

用户可以直接从2048中的任何一个读数据

在主存储器中的页面，绕过这两个数据缓冲的的

ERS和离开该缓冲器中的内容不变。对

启动读出的页， 8位的操作码， 52H ，其次是24

地址位和32无关位。在AT45DB041中，

第4个地址位被保留以供更大密度

设备（参见第8页上的说明），在接下来的11个地址位

AT45DB041

AT45DB041

CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，读

荷兰国际集团的数据。当一缓冲器的末尾为止，该装置

将继续读回的缓冲区的开始。一

低到CS引脚将终止读高的转变

操作和三态SO引脚。

主内存页面缓冲转让：

一个页面

的数据可以从主存储器转移到任何

缓冲区1或2，缓冲8位操作码， 53H缓冲区1和

55H缓冲区2中，随后是四个保留比特， 11

地址位（ PA10 - PA0 ），这在主指定页面

要传送的存储器即，和9无关位。

CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载

操作码，地址位，而不会从不在乎位

SI引脚。数据的页的从主传送

内存缓冲区将开始在CS引脚转换时

从低到高状态。中的页面转移

数据（T

XFR

），状态寄存器可以读取来确定

是否传输已完成或没有。

主内存页面缓冲比较：

的页面

在主存储器中的数据可以进行比较，以在缓冲器中的数据

1或2，缓冲8位操作码， 60H缓冲区1 61H的

缓冲器2，之后是24个地址位组成的

4保留位， 11位地址（ PA10 - PA0 ）的光谱

IFY页面在主存储器中要被比较

的缓冲液中， 9无关位。的负载

操作码和地址位是相同的描述预

viously 。 CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚

加载操作码，地址位，而不在乎位

从SI引脚。在低到CS引脚的高过渡，

在所选择的主存储器页的264字节将是

用在缓冲液1或缓冲器2的264个字节在比较

这个时间（T

XFR

），状态寄存器将指示该部分

正忙。在比较操作完成后，第6位

状态寄存器与所述的COM的结果更新

削减。

另外不在乎位9 。当一个从低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除所选

在主内存中，以全1页，然后程序中的数据

存储在缓冲器中复制到指定的页面在主

内存。同时擦除和页面的编程

在内部自定时的，应在一个马克西

吨的妈妈时间

。在此期间，状态寄存器

指示该部分正忙。

BUFFER主存储器页编程与 -

OUT BUILT -IN ERASE ：

在一个以前删除页面

主存储器可以与内容进行编程

无论是缓冲器1或2，缓冲8位操作码， 88H缓冲1

或89H缓冲区2中，随后是四个保留比特， 11

地址位（ PA10 - PA0 ），在主指定页

存储器的写入，并且附加不在乎9位。

当一个从低到高的转变发生在CS引脚，部分

将程序存储在缓冲器中复制到指定的数据

在主存储器中的页面。必要的是，在页

被编程的是主存储器一直previ-

ously编程为全1 （擦除状态）。该编程

页面明在内部自定时的，应采取

放置在吨的最大时间

。在此期间，该状态

寄存器将指示该部分正忙。

主存储器页编程：

这个操作是

的缓冲区写缓冲区组合和主内存

页编程带内置擦除操作。数据是第一

移入缓冲区1或从SI引脚，然后缓存2亲

编程成在所述主存储器中的指定页面。一个8

位操作码， 82H缓冲区1 85H缓冲区2 ，接着

由四个保留位和20个地址位。 11最

显著地址位（ PA10 - PA0 ）选择在页面

主存储器，其中的数据是要被写入，而在下一个9

地址位（ BFA8 - BFA0 ）选择在缓冲器中的第一个字节

被写入。之后所有的地址位被移位，所述部分

将数据从SI引脚和把它存储在数据中的一个

缓冲区。如果缓冲区的末尾为止，该装置将

绕回的缓冲区的开始。当

有一个从低到高的转变CS引脚，该部分

首先删除在主存储所选择的页面，全1，

接着编程存储在缓冲器到指定的数据

在主存储器中的页面。无论是擦除和编程

页面铭在内部自定时的，应采取

放置在一个最大的时间t

。在此期间，该状态

寄存器将指示该部分正忙。

自动换页重写：

这种模式只需要多的话

内的数据的一个页面或多个页面的PLE字节是作案

田间以随机方式。此模式是两个组合

操作：主内存页，以缓冲传输和

缓冲区到主存储器页编程带内置擦除。

数据的页被首先从主存储器转移到

缓冲器1或缓冲区2中，然后将相同的数据（来自缓冲器1

或缓冲液2 ）被编程入到原来的页面

主存储器。一个8位的操作码， 58H缓冲区1或59H为

缓冲器2，后面是四个保留比特，11个地址

节目

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入

无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何

缓冲器，一个8位的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，

之后是15无关位和9位地址位

（ BFA8 - BFA0 ）。的9个地址位中指定的第一个字节

该缓冲器被写入。的数据被输入后的

地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该

设备将环绕回缓冲区的开始。

数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到

高转换检测到CS引脚上。

缓冲区主要有记忆页编程

BUILT -IN ERASE ：

数据写入缓冲区要么1或缓冲区

2可被编程到主存储器中。一个8位

操作码83H为缓冲器1或86H为缓冲器2，其次是

四个保留位， 11位地址（ PA10 - PA0 ）表示

在主存储器中指定的页面的写入，并

位（ PA10 - PA0 ），在主内存中指定的页面

被改写，并且附加不在乎9位。当一个

从低到高的转变发生在CS引脚，该部分会先

从页面中主存储器的数据传输到一个缓冲器和

然后从缓冲器中的数据进行编程放回同一页

的主存储器。该操作是内部自定时的

应于吨的最大时间

。在这

时，状态寄存器将指示该部分正忙。

如果主存储器进行编程或再编程

由页依次页，则编程algo-

在图1所示rithm建议。否则，如果

在一个页面或多个页面的多个字节被编程

随机地在主存储器中，那么编程algo-

在图2所示rithm建议。

状态寄存器：

状态寄存器可用于

确定设备的就绪/忙状态的结果

主内存页，以缓冲比较操作，或

器件密度。读状态寄存器的操作码

57H必须被加载到设备中。之后的最后位

操作码偏移，则8位的状态寄存器的

首先是MSB （第7位），将被移出到SO

在接下来的8个时钟周期的引脚。五大最显

状态寄存器的位倾斜将包含设备信息

化，而剩余的三个最小显著位

保留以供将来使用，将具有未定义的值。

后位的状态寄存器的0已移出时，

顺序将重演（只要CS仍然很低，

SCK正在切换）与第7位，再次启动中的数据

状态寄存器是不断更新的，所以每一个重复

序列将输出新的数据。

Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压

存器。如果第7位是1，那么该设备不忙并准备

以接受下一个命令。如果第7位是0 ，则该设备

处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7

状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。

第7位的状态将继续通过SO引脚输出，

一旦设备不再忙，所以国家将

从0更改为1。有六种操作从而可以

导致设备处于繁忙状态：主存储器页

以缓冲传输，主存储器页到缓冲器比较，

缓冲区到主存储器页编程带内置擦除，

缓冲区到主存储器页编程没有内置

擦除，主存储器页编程和自动页面

重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区

比较操作使用的状态位6所示

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1 ，则在

数据存储在主存储器页面的至少一个比特不

匹配在缓冲器中的数据。

器件密度使用比特5,4所示，和图3的

状态寄存器。为AT45DB041 ，三个比特是0，1，

这三个二进制位1.十进制值不

不等同于设备的密度;三个比特表示

与串行不同密度的组合代码

数据闪存设备，允许总共八个不同密度

精读网络gurations 。

读/编程模式总结

上面列出的模式可以被分成两组

- 模式，这些模式利用所述快闪存储器阵列的

（ A组）和模式不使用闪光灯的

存储器阵列（ B组）。

A组的模式包括：

1.主存储器页读

2.主存储器页到缓冲器1 （或2 ）转让

3.主存储器页到缓冲器1 （或2 ）比较

4.缓冲1 （或2）主内存页编程与

内置擦除

5.缓冲液1 （或2）以主存储器页编程与 -

出内置擦除

6.主存储器页编程

7.自动页重写

B组的模式包括：

1.缓冲液1 （或2 ）读

2.缓冲液1 （或2）写入

3.状态读取

如果A组模式正在进行中（尚未完全竣工），然后

在A组的另一模式不应该被启动。不过，

在这段时间内，其中A组的方式进行时，

在B组的模式就可以开始。

这使得串行数据闪存的能力几乎

容纳一个连续的数据流。虽然数据

被编程到主存储器中，从缓冲存储器1中，数据

可以加载到缓冲器2（或反之亦然）。见应用

笔记AN- 4 （ “使用Atmel的串行数据闪存” ）以获取更多

详细信息。

硬件页面写入保护功能：

如果WP引脚

保持为低电平时，第一256页的主存储器的不可

重新编程。重新编程的第一个256的唯一途径

网页是第一驱动保护引脚为高电平，然后使用

程序命令前面所提到的。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

AT45DB041

AT45DB041

RESET ：

在复位引脚为低电平状态（ RESET）将终止

操作进行中和复位内部状态

机到空闲状态。该装置将保持在复位

只要调节为低电平是存在于RESET

引脚。正常操作就可以恢复，一旦RESET引脚

带回高电平。

该器件还集成了一个内部上电复位

电路;因此，存在于RESET没有限制

在上电序列的脚。

READY / BUSY ：

这种开漏输出引脚将被驱动

为低电平时，器件正忙于内部自定时能操作

通报BULLETIN 。该引脚，通常是在高状态（通过一

外部上拉电阻），编程时会被拉低

明操作，比较操作，并在页面用于─

缓冲区传输。

占线状态指示该闪速存储器阵列和

所述缓冲器中的一个不能被访问;读取和写入

操作到另一个缓冲器仍然可以进行。

上电/复位状态

当电源第一次施加到器件上时，或者当可收回

从复位状态荷兰国际集团，该设备将默认为SPI

模式3。此外， SO引脚将处于高阻抗

状态和高的电平转换的CS引脚将

开始一个有效的指令要求。 SPI模式将是

通过SAM-在CS的每一个下降沿自动选择

耦无效时钟状态。

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间会影响器件的条件

可靠性。

直流和交流工作范围

AT45DB041

工作温度（外壳）

电源

(1)

注意：

COM 。

IND 。

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

2.7V至3.6V

1.电源后加和V

是在指定的最低数据表值时，系统应等待20毫秒的能操作之前，

憩模式被启动。