a
特点
激光调整到高精度： 2.500 V 0.4 ％
3 ，终端设备：电压/输出电压
优异的温度稳定性： 10 PPM / ℃（ AD580M ， U）
优异的长期稳定性： 250 V （ 25 V /月）
低静态电流：最大1.5毫安
小，密封IC封装形式：TO - 52
MIL -STD- 883可提供标准版本
精度高
2.5 V IC参考
AD580*
功能框图
产品说明
产品亮点
该AD580是一个三端，成本低，温度compen-
心满意足，带隙电压基准提供了一个固定的2.5 V
输出输入之间4.5 V至30 V的独特组合
先进的电路设计和激光晶圆化修剪thin-
薄膜电阻器提供AD580具有的初始容差
±
0.4％ ，更好为10ppm以下的温度下稳定性/ ° C和
优于250的长期稳定性
V.
此外，低
最大1.5毫安静态电流提供了一个明显的优势
在传统齐纳技术。
的AD580被推荐为所有8-稳定的基准，10-
并且需要外部基准12位D到A转换。
此外， AD580的宽输入范围允许操作
5伏特逻辑电源使AD580非常适合数字
面板仪表应用或当只有一个单一的逻辑电源
电源可用。
该AD580J ， K，L和M的工作在指定的
0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内;在AD580S ，T和U
操作上的扩展级温度范围
-55℃ + 125℃ 。
1.激光微调的薄膜电阻最小化
AD580输出错误。例如， AD580L输出
有容乃
±
10毫伏。
2.在/电压进行操作的三端子电压
该AD580提供稳定的输出电压不
任何外部元件。
3. AD580提供稳定的2.5伏的输出电压为
4.5 V至30 V的能力，输入电压
提供一种使用一个5伏的输入输出电压的稳定
使AD580的理想选择该CON组系统
覃一个逻辑电源。
4.薄膜电阻技术和严格控制的
双极处理提供随温度的AD580
稳定性至10ppm / ℃，长期稳定性好
超过250个
V.
5. AD580的低静态电流使其
适用于CMOS和其它低功耗应用。
6. AD580是兼容版本
MIL - STD-883标准。请参阅ADI公司军用
产品数据手册或电流AD580 / 883B数据表
详细的特定连接的阳离子。
*受专利号3887863 。 RE30,586 。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD580–SPECIFICATIONS
(@ E
模型
民
输出电压容差
（错误的标称2.500伏输出）
输出电压的变化
T
民
给T
最大
线路调整
7 V
≤
V
IN
≤
30 V
4.5 V
≤
V
IN
≤
7 V
负载调整率
I
= 10毫安
静态电流
噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ）
稳定性
长期
每月
温度性能
特定网络版
操作
存储
封装选项*
TO- 52 （ H- 03A ）
0
–55
–65
AD580JH
1.0
8
250
25
AD580J
典型值
IN
= + 15V和+ 25℃ ）
民
AD580K
典型值
最大
25
7
40
1.5
0.3
4
2
10
1.0
8
250
25
1.5
1.0
8
250
25
+70
+125
+175
AD580KH
0
–55
–65
AD580LH
+70
+125
+175
0
–55
–65
AD580MH
民
AD580L
典型值
最大
10
4.3
25
2
1
10
1.5
1.0
8
250
25
+70
+125
+175
民
AD580M
典型值
最大
10
1.75
10
2
1
10
1.5
单位
mV
mV
PPM /°C的
mV
mV
mV
mA
V
(p-p)
V
V
°C
°C
°C
最大
75
15
85
1.5
0.3
6
3
10
1.5
+70
+125
+175
0
–55
–65
模型
民
输出电压容差
（错误的标称2.500伏输出）
输出电压的变化
T
民
给T
最大
线路调整
7 V
≤
V
IN
≤
30 V
4.5 V
≤
V
IN
≤
7 V
负载调整率
I
= 10毫安
静态电流
噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ）
稳定性
长期
每月
温度性能
特定网络版
操作
存储
封装选项*
TO- 52 （ H- 03A ）
–55
–55
–65
AD580S
典型值
最大
25
25
55
1.5
0.3
6
3
10
1.0
8
250
25
+125
+150
+175
AD580SH
1.5
民
AD580T
典型值
最大
10
11
25
2
1
10
1.0
8
250
25
1.5
民
AD580U
典型值
最大
10
4.5
10
2
1
10
1.0
8
250
25
1.5
单位
mV
mV
PPM /°C的
mV
mV
mV
mA
V
(p-p)
V
V
–55
–55
–65
+125
+150
+175
AD580TH
–55
–55
–65
AD580UH
+125
+150
+175
°C
°C
°C
笔记
* H =金属罐。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
如图规格
粗体
所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。
所有的最小和最大规格有保证，但只有在那些所示
粗体
所有生产经营单位进行了测试。
–2–
REV 。一
AD580
绝对最大额定值
工作原理
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 V
功耗@ + 25°C
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
减免上述+ 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.8毫瓦/°C的
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
热阻
结到外壳。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100℃
结到环境。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360 ° C / W
AD580芯片尺寸
和PAD布局
尺寸以英寸（毫米）所示。
该AD580系列（ AD580 ， AD581 ， AD584 ， AD589 ）使用
的“带隙”的概念，以产生稳定的，低温度
系数的电压基准适用于高精度数据AC-
quisition部件和系统。该装置利用了
硅晶体管的基极 - 发射极的基本物理性质
电压在正向偏置工作区域。所有这些晶体管
器有大约-2毫伏/ ° C的温度系数，
不适合于直接用作为低TC参考;不过，
中的任一温度特性的外推
这些设备以绝对零度（与发射极电流成比例
以绝对温度）显示，则进入为V
BE
的1.205
伏在0K ，如示于图1中。因此，如果一个电压可以是
与相对温度系数，总结与发展
V
BE
总1.205伏，零TC基准会导致与
从单个电源电压低的操作是可能的。
的AD580电路提供了这样一个补偿电压，V
1
in
图2中，通过驱动两个晶体管在不同的电流密度
并放大所得到的V
BE
差（ΔV
BE
现在-which
具有正，TC） ;之和（Ⅴ
Z
）然后被缓冲和放大
高达2.5伏，以提供可用的参考电压输出端。图 -
茜3是AD580的示意图。
的AD580作为一个三端的参考，这意味着
不需要额外的组件都是必需的偏置或电流
租的设置。的连接图，图4是非常简单的。
的AD580也是在芯片的形式提供。咨询厂家
为规范和应用程序的信息。
的基射极电压图1.外推的变化
与温度（I
E
α
T） ，并要求赔偿，
如图所示为两个不同的设备
图2.基本的带隙基准稳压器电路
REV 。一
–3–
AD580
图5.典型AD580K输出电压与温度的关系
该AD580M保证了1.75 mV的最大偏差
在0° C至+ 70 °C温度范围。这可以证明
相当于为10 ppm / ℃的平均最大;即，
图3. AD580原理图
1.75
mV
最大
1
×
=10
PPM /°C的
最大
平均
70°C
2.5V
该AD580通常表现出1.5毫伏以上的变化
供电范围为7伏到30伏。图6是一个曲线图
AD580的线路抑制与频率的关系。
噪声性能
图4. AD580连接图
电压变化VS.温度
图7表示从峰 - 峰噪声的AD580的
1赫兹（3 dB点）上的水平显示3dB的高端
轴。从1赫兹到1 MHz的峰 - 峰噪声是约
600
V.
有些混乱存在于定义和指定的区域
参考电压误差过温。历史上，文献
使用每度最大偏差的特征厘
等级;即，为10ppm / ℃。然而，由于不一致的
在齐纳二极管的参考非线性（蝴蝶或“S”型字符
开创性意义） ，大多数厂家使用的最大限制误差带
方法描述它们的引用。这种技术测
SURES输出电压在3至5个不同的温度和
保证了输出电压的偏差将落入的
保证误差带这些离散的温度。这种方
当然proach ，并没有提及perfor-或担保
曼斯在工作温度范围内的任何其它温度
TURE范围的装置。
一贯的电压与一个典型的温度性能
卡尔AD580示于图5。注意，该特性是
准抛物线，而不是可能的“S”型的clas-特征
SICAL齐纳参考。这抛物线特性允许
最大输出功率偏差超过规范设备的全
的工作温度范围，而不是仅仅在3至5的离散
温度。
图6. AD580的电源抑制剧情
图7.峰 - 峰值输出噪声和频率
–4–
REV 。一
AD580
的AD580作为一种低功耗，低电压
精密基准数据转换器
该AD580具有许多功能，使它非常适合
与A / D和D使用/应用在复杂的数据转换器
基于微处理器的系统。校准的2.500伏输出
最大限度地减少用户的装饰要求，可工作在
单个低压电源。低功耗（ 1毫安
静态电流）是与的CMOS型DE-相称
虎钳，而低成本和小型封装补充DE-
压痕的最新转换器的成本和尺寸。
图10示出作为用于AD7542的基准的AD580
12位CMOS DAC，具有完整的微处理器接口。
的AD580和AD7542被指定为从一个操作
单5伏电源;这消除了需要提供一个15
伏电源操作的参考的唯一目的。
的AD7542包括三个4位数据寄存器，一个12位DAC
寄存器，地址译码逻辑;它可因此被接口
直接向4-， 8位或16位数据总线。的静态只有8毫安
从单一的+5伏电源的电流进行操作所需的
AD7542是封装在一个小型16引脚DIP封装。该AD544
输出放大器也低功耗，仅需要2.5毫安quies-
分电流。其激光微调偏移电压将保留
±
1/2 LSB线性度AD7542KN无需用户修剪，它
通常以平息
±
1/2 LSB在不到3
s.
它将提供
0伏特至-2.5伏的输出摆幅从
±
5伏电源。
图8.输入电流与输入电压（积分负载）
的AD580作为限流
该AD580代表了一个很好的替代的电流极限值
iter的二极管需要工厂选择，以实现所需的
电流。这种方法通常导致温度系数
的1％/ ℃。的AD580的方法并不限定于一个专门
选择出厂设置电流限制;它可以从被编程
1毫安10 mA的单个外部电阻器的插入。
限流的近似温度系数
在此模式下使用的AD580是0.13 ％/ ℃，我
LIM
= 1 mA和
0.01 ％ / ℃，我
LIM
= 13毫安（参见图9） 。图8显示
在AD580用作一个的电流极限值的高输出阻抗
国际热核实验堆的我
LIM
= 1 ，2，3 ，4，5毫安。
图9.双组分精确限流
图10.低功耗，低电压参考的
AD7542微处理器兼容的12位DAC
REV 。一
–5–
QQ：2880707522 复制
