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初步
Am29DL640G
64兆位(8M ×8位/ 4米×16位)
CMOS 3.0伏只,同步读/写闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现
所需的银行部门。
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
- 任何部门的结合可以被删除
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (安全硅)行业:额外256字节
扇形
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
只有一次性可编程。
一旦被锁定,数据不能被改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每次保证至少1百万次写周期
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以允许从读
在同一家银行其他部门
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 ,
140和141 ,无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
封装选项
63球精细间距BGA
64 - ball加固BGA
48针TSOP
性能特点
高性能
- 存取时间快65纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速
功能
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
25693
启:
A
Amendment/+2
发行日期:
2002年6月7日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29DL640G是64兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 4,194,304字
每一比特或8,388,608字节,每个字节8比特。字
模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;字节模式数据
出现在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件可提供65 , 70的访问时间,
90 ,或120纳秒,并提供48引脚TSOP , 63球
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
标准控制引脚芯片使能( CE # ),写恩
能( WE# ) ,并且输出使能(OE #), - 控制正常
读取和写入操作,并且避免总线竞争
问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
是一台DV的TA gecompa重新d可SYS TE MSW他再
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该SYS TEM还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
两个8 Mb的银行和小
大部门,大部门的两个24 Mb的银行。
扇区地址是固定的,系统软件可
用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能
SYS TEM编程或在一个银行呃酶,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL640G可以被组织为两个一顶
和底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
Am29DL640G特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的
256字节扇区的能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi标志位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
2
Am29DL640G
2002年6月7日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊处理的说明BGA封装..................... 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29DL640G设备总线操作................................ 9
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
图4.擦除操作............................................. ................. 26
表12. Am29DL640G命令定义............................. 27
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 28
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 28
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 29
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 29
图6.切换位算法............................................ ............ 29
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
加快程序运行............................................. 10
自选功能................................................ .............. 10
同时读/写操作零延迟....... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29DL640G部门架构.................................... 11
表3.银行地址............................................. ....................... 14
表4. SecSi
TM
扇区地址................................................ 14
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 30
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 30
表13.写操作状态............................................ ....... 31
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图7.最大负过冲波形...................... 32
图8.最大正过冲波形........................ 32
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 34
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 34
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图11.测试设置............................................. ....................... 35
图12.输入波形和测量水平................. 35
自选模式................................................ ..................... 14
表5. Am29DL640G自动选择码, (高压法) 15
部门/部门块保护和unprotection的.................. 16
表6. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 16
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
只读操作.............................................. ............. 36
图13.读操作时序............................................ ... 36
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 37
图14.复位时序............................................. .................. 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
表7. WP # / ACC模式.......................................... .................... 17
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... 38
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 38
图16. BYTE #时序写操作............................ 38
临时机构撤消............................................... ... 17
图1.临时机构撤消操作........................... 17
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 18
擦除和编程操作.............................................. 39
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
40
40
41
42
42
43
43
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 19
硬件数据保护............................................... ....... 19
低VCC写禁止.............................................. .............. 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
表8. CFI查询标识字符串.......................................... 20
表9.系统接口字符串............................................ .......... 21
表10.设备几何定义............................................ 21
表11.主要供应商特定的扩展查询...................... 22
临时机构撤消............................................... ... 44
图24.临时机构撤消时序图.............. 44
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 45
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 46
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 47
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 23
自选命令序列............................................ 23
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 23
字节/字编程命令序列............................. 24
解锁绕道命令序列..................................... 24
图3.程序操作............................................. ............. 25
芯片擦除命令序列........................................... 25
扇区擦除命令序列........................................ 25
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
FBE063-63球细间距球栅阵列( FBGA )
12 ×11毫米封装............................................. ................. 49
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( FBGA )
13 ×11毫米封装............................................. ................. 50
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 51
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
2002年6月7日
Am29DL640G
3
P L I M I N A R
产品选择指南
产品型号
速度选项
标准电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
65
65
65
30
Am29DL640G
70
70
70
30
90
90
90
35
120
120
120
50
最大访问时间(纳秒),叔
CE#访问( NS ) ,T
CE
OE #访问( NS ) ,T
OE
框图
V
CC
V
SS
OE # BYTE #
MUX
A21–A0
银行地址1
银行1
Y型门
X解码器
A21–A0
RY / BY #
银行地址2
2银行
X解码器
DQ15–DQ0
A21–A0
RESET#
WE#
CE#
BYTE #
WP # / ACC
DQ0–DQ15
A21–A0
X解码器
银行3地址
状态
控制
&放大器;
命令
注册
状态
DQ15–DQ0
控制
DQ15–DQ0
MUX
3银行
Y型门
X解码器
A21–A0
MUX
4银行地址
4银行
4
Am29DL640G
DQ15–DQ0
DQ15–DQ0
2002年6月7日
P L I M I N A R
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE#
RESET#
A21
WP # / ACC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
48引脚TSOP标准
A8
NC
A7
NC
B8
NC
B7
NC
C7
A13
C6
A9
C5
WE#
C4
D7
A12
D6
A8
D5
RESET#
D4
63球精细间距BGA ( FBGA )
顶视图,球朝下
L8
NC *
M8
NC *
M7
NC *
E7
A14
E6
A10
E5
A21
E4
A18
E3
A6
E2
A2
F7
A15
F6
A11
F5
A19
F4
A20
F3
A5
F2
A1
G7
A16
G6
DQ7
G5
DQ5
G4
DQ2
G3
DQ0
G2
A0
H7
J7
K7
V
SS
K6
DQ6
K5
DQ4
K4
DQ3
K3
DQ1
K2
V
SS
L7
NC *
BYTE # DQ15 / A- 1
H6
DQ14
H5
DQ12
H4
DQ10
H3
DQ8
H2
CE#
J6
DQ13
J5
V
CC
J4
DQ11
J3
DQ9
J2
OE #
RY / BY # WP # / ACC
C3
A7
A2
NC *
A1
NC *
B1
C2
A3
D3
A17
D2
A4
L2
NC *
L1
M2
NC *
M1
NC *
*球是通过在衬底短接在一起,但不连接到模具上。
NC *
NC *
2002年6月7日
Am29DL640G
5
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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