特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
5伏仅重编程
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 内部地址和数据锁存为64字节
内部控制程序和定时器
硬件和软件数据保护
快速的程序循环时间
- 页面（ 64字节）计划时间 - 10毫秒
- 芯片擦除时间 - 10毫秒
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 300 μA CMOS待机电流
典型的耐力> 10,000次
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
5伏只有
FL灰内存
AT29C256
描述
该AT29C256是一个五伏仅在系统闪存可编程和可擦除的读
只读存储器（ PEROM ） 。它的内存256K是由8位， 32,768字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
访问时间70 ns的只有275毫瓦的功率耗散。当该装置是
取消选择，将CMOS待机电流小于300 μA 。该器件耐力
这样，任何扇区通常可以被写入到超过10000次。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
WE
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
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27
28
1
2
3
4
5
6
7
TSOP顶视图
类型1
21
20
19
18
17
16
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14
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10
9
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A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
PLCC与LCC顶视图
4
3
2
1
32
31
30
A7
A12
WE
DC
VCC
A14
A13
注意：
PLCC封装引脚1和17
不要连接。
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
15
16
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A6
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NC
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21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
启示录0046P -FLASH - 10/04
1
以允许简单的系统重新编程，该AT29C256不需要高
输入电压进行编程。五伏特只命令确定的动作
该设备。读数据从装置中类似于从一个静态RAM的读取。
重新编程的AT29C256是在页面的基础上进行; 64个字节的数据是
装载到该设备，然后同时被编程。整个的内容
设备可以通过使用一个6字节的软件代码（被擦除虽然亲之前擦除
编程是不需要的） 。
期间重新编程周期中，地址单元和64字节的数据，在内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。以下的引发
一个程序循环，该装置将自动地擦除的页面，然后编程
使用一个内部的定时器控制锁存的数据。可以检测一个程序周期结束时
通过I / O7数据轮询。一旦一个程序循环结束时已经检测到一个新的
访问读取，编程或擦除芯片就可以开始。
框图
设备操作
阅读：
该AT29C256是像访问一个静态RAM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚确定
被置位的输出。的输出被置于高阻抗状态，每当
CE或OE为高电平。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防公交车
争。
字节加载：
一个字节的负载是由施加低脉冲，在WE或CE输入执行
与CE或WE低（分别）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。字节负载被用来输入64字节的页面进行编程或
软件代码用于数据保护和芯片擦除。
2
AT29C256
0046P–FLASH–10/04
AT29C256
程序：
该装置被重新编程以页为单位。如果数据内的一个字节
页面将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节
其页面的编程期间没有装入将是不确定的。一旦
一个页面的字节被装入到该装置，它们同时在编程
内部编程周期。后的第一个数据字节已被加载到
装置中，连续的字节被输入以相同的方式。每个新的字节被亲
编程必须在150微秒的低到了对我们（或CE ）以其高向低转换
高转换WE （或CE ）前一个字节的。如果从高至低跳变不
在150微秒的最后低到高的转变的检测，负载周期将结束与
内部编程周期将开始。 A6至A14指定的页面地址。页面
地址必须在每个高到低WE （或CE ）的转换是有效的。 A0到A5指定
的页中的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序
不需要加载。一旦编程操作已启动，并且为
吨的持续时间
WC
，一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能，
可在AT29C256 。一旦软件保护已启用软件algo-
rithm必须向设备发出一个程序可被执行之前。软件
保护功能可被使能或者被用户禁用; Atmel公司出厂时，
该软件的数据保护功能将被禁用。要启用该软件的数据保护，
一系列的三个程序命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。之后，该软件的数据保护已启用相同的三个程序的COM
mands必须从每一个程序循环，以便发生的程序。所有软件
程序的命令必须服从页编程时序规范。一旦设定，
软件数据保护功能仍然有效，除非其发出禁止命令。
电源转换不会复位软件数据保护功能，但是软
洁具的功能将在电源转换防范意外的程序循环。
一旦设定，软件，数据保护将保持活跃，除非禁用命令
顺序发出。
SDP设置后，任何试图写入设备没有三字节指令
序列将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而
以往，对于T的持续时间
WC
，一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护的3字节的命令码发出后，一个字节负载
通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE为低电平（ respec-进行
tively ）和OE高。的地址被锁存的CE或WE的下降沿，取
去年发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。将64个字节的
数据必须被加载到每一个扇区由相同的程序，在该程序中概述
根据设备的操作部分。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外
通过以下方式程序的AT29C256 ：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V
（典型值） ，该程序的功能是抑制; （二）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
有
达到V
CC
层次感，设备会自动前超时5毫秒（典型值）
编程; （三）禁止编程 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高
抑制方案周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
WE或CE输入将不会启动编程周期。
3
0046P–FLASH–10/04
产品标识：
产品标识模式识别设备
和制造商，可以由硬件操作来访问。有关详细信息，请参阅
操作模式或产品标识。
数据查询：
该AT29C256具有数据查询，表示亲的结束
克循环。在一个程序循环企图读取加载会导致最后一个字节
在加载的数据上的I / O 7的补码。一旦程序周期一直的COM
pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。数据可能投票
该程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询AT29C256提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止翻转，有效
读取数据。检查触发位可以在一个程序随时开始
周期。
可选的芯片擦除模式：
整个装置可以通过使用六字节擦除
软件代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT29C256
0046P–FLASH–10/04
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
5伏仅重编程
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 内部地址和数据锁存为64字节
内部控制程序和定时器
硬件和软件数据保护
快速的程序循环时间
- 页面（ 64字节）计划时间 - 10毫秒
- 芯片擦除时间 - 10毫秒
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 300 μA CMOS待机电流
典型的耐力> 10,000次
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
5伏只有
FL灰内存
AT29C256
描述
该AT29C256是一个五伏仅在系统闪存可编程和可擦除的读
只读存储器（ PEROM ） 。它的内存256K是由8位， 32,768字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
访问时间70 ns的只有275毫瓦的功率耗散。当该装置是
取消选择，将CMOS待机电流小于300 μA 。该器件耐力
这样，任何扇区通常可以被写入到超过10000次。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
OE
A11
A9
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A13
A14
VCC
WE
A12
A7
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A5
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TSOP顶视图
类型1
21
20
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18
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A10
CE
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I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
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PLCC与LCC顶视图
4
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A7
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WE
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VCC
A14
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注意：
PLCC封装引脚1和17
不要连接。
I/O1
I/O2
GND
DC
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14
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OE
A10
CE
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I/O6
启示录0046P -FLASH - 10/04
1
以允许简单的系统重新编程，该AT29C256不需要高
输入电压进行编程。五伏特只命令确定的动作
该设备。读数据从装置中类似于从一个静态RAM的读取。
重新编程的AT29C256是在页面的基础上进行; 64个字节的数据是
装载到该设备，然后同时被编程。整个的内容
设备可以通过使用一个6字节的软件代码（被擦除虽然亲之前擦除
编程是不需要的） 。
期间重新编程周期中，地址单元和64字节的数据，在内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。以下的引发
一个程序循环，该装置将自动地擦除的页面，然后编程
使用一个内部的定时器控制锁存的数据。可以检测一个程序周期结束时
通过I / O7数据轮询。一旦一个程序循环结束时已经检测到一个新的
访问读取，编程或擦除芯片就可以开始。
框图
设备操作
阅读：
该AT29C256是像访问一个静态RAM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚确定
被置位的输出。的输出被置于高阻抗状态，每当
CE或OE为高电平。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防公交车
争。
字节加载：
一个字节的负载是由施加低脉冲，在WE或CE输入执行
与CE或WE低（分别）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。字节负载被用来输入64字节的页面进行编程或
软件代码用于数据保护和芯片擦除。
2
AT29C256
0046P–FLASH–10/04
AT29C256
程序：
该装置被重新编程以页为单位。如果数据内的一个字节
页面将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节
其页面的编程期间没有装入将是不确定的。一旦
一个页面的字节被装入到该装置，它们同时在编程
内部编程周期。后的第一个数据字节已被加载到
装置中，连续的字节被输入以相同的方式。每个新的字节被亲
编程必须在150微秒的低到了对我们（或CE ）以其高向低转换
高转换WE （或CE ）前一个字节的。如果从高至低跳变不
在150微秒的最后低到高的转变的检测，负载周期将结束与
内部编程周期将开始。 A6至A14指定的页面地址。页面
地址必须在每个高到低WE （或CE ）的转换是有效的。 A0到A5指定
的页中的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序
不需要加载。一旦编程操作已启动，并且为
吨的持续时间
WC
，一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能，
可在AT29C256 。一旦软件保护已启用软件algo-
rithm必须向设备发出一个程序可被执行之前。软件
保护功能可被使能或者被用户禁用; Atmel公司出厂时，
该软件的数据保护功能将被禁用。要启用该软件的数据保护，
一系列的三个程序命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。之后，该软件的数据保护已启用相同的三个程序的COM
mands必须从每一个程序循环，以便发生的程序。所有软件
程序的命令必须服从页编程时序规范。一旦设定，
软件数据保护功能仍然有效，除非其发出禁止命令。
电源转换不会复位软件数据保护功能，但是软
洁具的功能将在电源转换防范意外的程序循环。
一旦设定，软件，数据保护将保持活跃，除非禁用命令
顺序发出。
SDP设置后，任何试图写入设备没有三字节指令
序列将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而
以往，对于T的持续时间
WC
，一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护的3字节的命令码发出后，一个字节负载
通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE为低电平（ respec-进行
tively ）和OE高。的地址被锁存的CE或WE的下降沿，取
去年发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。将64个字节的
数据必须被加载到每一个扇区由相同的程序，在该程序中概述
根据设备的操作部分。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外
通过以下方式程序的AT29C256 ：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V
（典型值） ，该程序的功能是抑制; （二）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
有
达到V
CC
层次感，设备会自动前超时5毫秒（典型值）
编程; （三）禁止编程 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高
抑制方案周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
WE或CE输入将不会启动编程周期。
3
0046P–FLASH–10/04
产品标识：
产品标识模式识别设备
和制造商，可以由硬件操作来访问。有关详细信息，请参阅
操作模式或产品标识。
数据查询：
该AT29C256具有数据查询，表示亲的结束
克循环。在一个程序循环企图读取加载会导致最后一个字节
在加载的数据上的I / O 7的补码。一旦程序周期一直的COM
pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。数据可能投票
该程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询AT29C256提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止翻转，有效
读取数据。检查触发位可以在一个程序随时开始
周期。
可选的芯片擦除模式：
整个装置可以通过使用六字节擦除
软件代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT29C256
0046P–FLASH–10/04
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
5伏仅重编程
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 内部地址和数据锁存为64字节
内部控制程序和定时器
硬件和软件数据保护
快速的程序循环时间
- 页面（ 64字节）计划时间 - 10毫秒
- 芯片擦除时间 - 10毫秒
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 300 μA CMOS待机电流
典型的耐力> 10,000次
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
5伏只有
FL灰内存
AT29C256
描述
该AT29C256是一个五伏仅在系统闪存可编程和可擦除的读
只读存储器（ PEROM ） 。它的内存256K是由8位， 32,768字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
访问时间70 ns的只有275毫瓦的功率耗散。当该装置是
取消选择，将CMOS待机电流小于300 μA 。该器件耐力
这样，任何扇区通常可以被写入到超过10000次。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
WE
A12
A7
A6
A5
A4
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1
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TSOP顶视图
类型1
21
20
19
18
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CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
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I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
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PLCC与LCC顶视图
4
3
2
1
32
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30
A7
A12
WE
DC
VCC
A14
A13
注意：
PLCC封装引脚1和17
不要连接。
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
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A8
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A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
启示录0046P -FLASH - 10/04
1
以允许简单的系统重新编程，该AT29C256不需要高
输入电压进行编程。五伏特只命令确定的动作
该设备。读数据从装置中类似于从一个静态RAM的读取。
重新编程的AT29C256是在页面的基础上进行; 64个字节的数据是
装载到该设备，然后同时被编程。整个的内容
设备可以通过使用一个6字节的软件代码（被擦除虽然亲之前擦除
编程是不需要的） 。
期间重新编程周期中，地址单元和64字节的数据，在内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。以下的引发
一个程序循环，该装置将自动地擦除的页面，然后编程
使用一个内部的定时器控制锁存的数据。可以检测一个程序周期结束时
通过I / O7数据轮询。一旦一个程序循环结束时已经检测到一个新的
访问读取，编程或擦除芯片就可以开始。
框图
设备操作
阅读：
该AT29C256是像访问一个静态RAM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚确定
被置位的输出。的输出被置于高阻抗状态，每当
CE或OE为高电平。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防公交车
争。
字节加载：
一个字节的负载是由施加低脉冲，在WE或CE输入执行
与CE或WE低（分别）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。字节负载被用来输入64字节的页面进行编程或
软件代码用于数据保护和芯片擦除。
2
AT29C256
0046P–FLASH–10/04
AT29C256
程序：
该装置被重新编程以页为单位。如果数据内的一个字节
页面将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节
其页面的编程期间没有装入将是不确定的。一旦
一个页面的字节被装入到该装置，它们同时在编程
内部编程周期。后的第一个数据字节已被加载到
装置中，连续的字节被输入以相同的方式。每个新的字节被亲
编程必须在150微秒的低到了对我们（或CE ）以其高向低转换
高转换WE （或CE ）前一个字节的。如果从高至低跳变不
在150微秒的最后低到高的转变的检测，负载周期将结束与
内部编程周期将开始。 A6至A14指定的页面地址。页面
地址必须在每个高到低WE （或CE ）的转换是有效的。 A0到A5指定
的页中的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序
不需要加载。一旦编程操作已启动，并且为
吨的持续时间
WC
，一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能，
可在AT29C256 。一旦软件保护已启用软件algo-
rithm必须向设备发出一个程序可被执行之前。软件
保护功能可被使能或者被用户禁用; Atmel公司出厂时，
该软件的数据保护功能将被禁用。要启用该软件的数据保护，
一系列的三个程序命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。之后，该软件的数据保护已启用相同的三个程序的COM
mands必须从每一个程序循环，以便发生的程序。所有软件
程序的命令必须服从页编程时序规范。一旦设定，
软件数据保护功能仍然有效，除非其发出禁止命令。
电源转换不会复位软件数据保护功能，但是软
洁具的功能将在电源转换防范意外的程序循环。
一旦设定，软件，数据保护将保持活跃，除非禁用命令
顺序发出。
SDP设置后，任何试图写入设备没有三字节指令
序列将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而
以往，对于T的持续时间
WC
，一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护的3字节的命令码发出后，一个字节负载
通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE为低电平（ respec-进行
tively ）和OE高。的地址被锁存的CE或WE的下降沿，取
去年发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。将64个字节的
数据必须被加载到每一个扇区由相同的程序，在该程序中概述
根据设备的操作部分。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外
通过以下方式程序的AT29C256 ：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V
（典型值） ，该程序的功能是抑制; （二）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
有
达到V
CC
层次感，设备会自动前超时5毫秒（典型值）
编程; （三）禁止编程 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高
抑制方案周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
WE或CE输入将不会启动编程周期。
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0046P–FLASH–10/04
产品标识：
产品标识模式识别设备
和制造商，可以由硬件操作来访问。有关详细信息，请参阅
操作模式或产品标识。
数据查询：
该AT29C256具有数据查询，表示亲的结束
克循环。在一个程序循环企图读取加载会导致最后一个字节
在加载的数据上的I / O 7的补码。一旦程序周期一直的COM
pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。数据可能投票
该程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询AT29C256提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止翻转，有效
读取数据。检查触发位可以在一个程序随时开始
周期。
可选的芯片擦除模式：
整个装置可以通过使用六字节擦除
软件代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
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AT29C256
0046P–FLASH–10/04
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