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特点
单2.7V - 3.6V电源
串行外设接口(SPI )兼容
20 MHz的最大时钟频率
页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 1024页( 264字节/页)主内存
支持页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
硬件数据保护功能
100 %兼容AT45DB021和AT45DB021A
5.0V容错输入: SI , SCK , CS , RESET和WP引脚
商用和工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
2-megabit
2.7伏只
数据闪存
AT45DB021B
1.描述
该AT45DB021B是2.7伏只,串行接口闪存非常适合
各种各样的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据存储应用。
其2162688位存储器组织为1024页,每页264字节。此外
灰到主存储器中, AT45DB021B还包含两个SRAM数据缓冲区
每264个字节。该缓冲器允许同时在主MEM-页面接收数据
储器进行重新编程,以及读取或写入一个连续的数据流。
EEPROM仿真(位或字节变性)很容易与自我处理
包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存
了与多个地址线和平行随机访问的存储器接口
面,该数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。
数据闪存支持SPI模式0和模式3。简单的串行接口功能有助于
硬件布局,提高了系统的可靠性,减少开关噪声,并降低了
封装尺寸和积极的引脚数。该设备是在许多商业用应用进行了优化
CIAL和工业应用中,高密度,低引脚数,低电压和低
电源是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达20 MHz的带
为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可再编程,该AT45DB021B不需要
高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电,
2.7V至3.6V ,为节目和读取操作。该AT45DB021B启用
通过芯片选择引脚(CS ),并通过三线接口,由访问
串行输入( SI ) ,串行输出( SO )和串行时钟( SCK ) 。
所有的编程周期是自定时,之前没有单独的擦除周期是必需的
编程。
当设备从爱特梅尔,存储器中最显著页运
阵列可以不会被擦除。换句话说,在最后一页中的内容可能并不
充满FFH 。
1937J–DFLSH–9/05
2.引脚配置和引脚
表2-1 。
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
销刀豆网络gurations
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
图2-1 。
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
TSOP顶视图,类型1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
图2-2 。
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8-SOIC
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
图2-3 。
28-SOIC
(1)
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
图2-4 。
1
A
SCK
CBGA顶视图
通过包装
2
3
GND
VCC
B
CS RDY / BSY WP
C
SO
SI
RESET
注意:
1.不建议用于新设计这个包。
2
AT45DB021B
1937J–DFLSH–9/05
AT45DB021B
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 264字节)
缓冲器1 ( 264字节)
缓冲液2 ( 264字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB021B的存储器阵列被划分为三个等级
粒度组成的部门,块和页面。内存架构图illus-
trates每个级别的故障,并详细说明的每个扇区和块的页数。所有
程序操作的数据闪存出现在页面上逐页的基础;然而,可选的
擦除操作可在块或页级别来执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇区0
行业0A = 8页
2112字节( 2K + 64 )
块0
1座
部门架构
页面架构
8页
块0
第0页
第1页
部门1
BLOCK 2
部门0B = 248页
65472字节( 62K + 1984)
第6页
第7页
第8页
BLOCK 30
31座
行业0C = 256页
67,584字节( 64K + 2K )
2区
BLOCK 33
1座
BLOCK 32
第9页
第14页
第15页
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
BLOCK 65
1扇区= 512页
135,168字节( 128K + 4K )
第16页
第17页
第18页
PAGE 1021
BLOCK 126
BLOCK 127
PAGE 1022
PAGE 1023
块= 2112个字节
(2K + 64)
页= 264个字节
(256 + 8)
3
1937J–DFLSH–9/05
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码是通过图4(页载于表1
9
11).
一个有效的
指令开始在CS的后跟适当的8位的操作码和下降沿
所需的缓冲区或主存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发SCK引脚
控制所述操作码的加载和所需的缓冲区或主存储器地址位置
通过SI(串行输入)引脚。所有的指令,地址和数据传送与
最显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA8 - BFA0表示
所需要的9个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器
针对正在使用的术语引用PA9 - PA0和BA8 - BA0 ,其中PA9 - PA0
表示需要指定一个网页地址,并BA8 - BA0表示的10位地址
所需的9位地址的页面中指定一个字节的地址。
5.1
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取任
所述两个数据缓冲区。该数据闪存支持两种类型的读出模式有关的
SCK信号。模式之间的差异是在相对于的非活动状态
SCK信号以及其时钟周期的数据将开始被输出。两类,其中
是由四种模式总被定义为无效时钟极性低或不活动的时钟
高极性和SPI模式0和SPI模式3.独立操作码(参见
表5-3第9页
对于一个完整的列表) ,用于选择哪一个类别将用于读出。请参阅
本数据表“详细的位级读时序”图上的时钟周期的详细信息
序列的每个模式。
5.1.1
连续阵列读
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。要执行连续读取, 68H或E8H的操作码必须是
移入器件其次是24位地址位和32无关位。的前五个位
24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性,以较大的和
密度较小的设备(见注下“命令序列进行读/写操作” dia-
克) 。接下来的10个地址位( PA9- PA0 )指定主存储器阵列的哪一页到
读取,24位地址序列中的最后9位( BA8 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不在乎遵循,需要到起始的24个地址位的位
tialize读取操作。继32无关位,额外的时钟脉冲的SCK
销将导致串行数据是在SO (串行输出)引脚输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,该地址位,则不在乎
位,并且数据的读取。当在一个反面达到在主存储器中的页的结束
连续的阵列读取,所述装置将继续读取下一个页面的无初
页边界交叉(从一个页面的末端交叉过程中发生的延误
下一个页面的开始处) 。当主存储器阵列中的最后一位被读出,
装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。与交叉
在页面边界,无延迟,将的结束缠绕时,将发生
阵列到阵列的开头。
4
AT45DB021B
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AT45DB021B
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态SO引脚。
最大SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义
汽车
规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶子的内容
的缓冲区不变。
5.1.2
主存储器页读
A主存储器页读允许用户直接从1024页中的任何一个读数据
在主存储器中,从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容
不变。要启动页读取, 52H或D2H的操作码,必须移入设备跟着
24个地址位和32无关位钮。 24位的地址序列的第一个5位
是保留位,接下来的10个地址位( PA9 - PA0 )指定页地址,而下一个
9位地址( BA8- BA0 )指定页面内的起始字节地址。 32不要
关注位随后的24位地址位被发送到初始化读操作。继
32无关位,附加脉冲在SCK导致串行数据是在SO (串行输出
输出)引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址位的
无关位和数据的读出。当在主存储器中的页面的末尾为止能很好地协同
荷兰国际集团的主存储器页读,该设备将继续在读书的同时开始
页。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
SO引脚。
缓冲区读
数据可以从任一所述两个缓冲器的读出,使用不同的操作码来指定哪些
从缓冲区读取。 54H或D4H的一个操作码,用于读取来自缓冲器1的数据,和一个操作码
56H或D6H的用于读取从缓冲器2的数据要执行缓冲器读,则8位的
操作码必须跟15无关位, 9位地址,八不在乎位。自
缓冲区的大小为264字节,九位地址( BFA8 - BFA0 )需要指定的第一个字节
的数据被从缓冲区中读出。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,
地址位,不在乎比特和数据的读取。当达到缓冲器的结尾,
所述装置将继续读回的缓冲区的开始。在低到高的转变
CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。
5.1.4
状态寄存器读
状态寄存器可以用来确定设备的准备/繁忙状态,一个主要的结果
内存页面缓冲比较操作,或设备的密度。读状态寄存器,
57H或D7H的一个操作码必须被加载到设备中。之后的操作码的最后一位是
移入,则8位的状态寄存器,从最高位(第7位) ,将在移出
在接下来的8个时钟周期的SO引脚。状态寄存器的五个最显著位
将包含设备的信息,而剩余的三个最小显著位保留
将来使用,将有未定义的值。后位的状态寄存器0已经移出,
该序列将重演(只要CS仍然很低, SCK被触发)启动
再次用第7位,在状态寄存器中的数据被不断更新,所以各重复
序列将输出新的数据。
表5-1 。
第7位
RDY / BUSY
5.1.3
状态寄存器的格式
第6位
COMP
第5位
0
4位
1
第3位
0
第2位
1
第1位
X
位0
X
就绪/忙碌状态使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1 ,则该设备是
不忙,并准备接受下一个命令。如果第7位是0,则装置处于繁忙
状态。用户可以通过在一个低的水平停止SCK连续轮询位的状态寄存器的第7
5
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