【高性能32K×8CMOS SRAM32K×8 CMOS SRAM （通用I / O）特点组织： 32】,IC型号AS7C256L-10SC,AS7C256L-10SC PDF资料,AS7C256L-10SC经销商,ic,电子元器件-51电子网

高性能

32K

×

8

CMOS SRAM

32K

×

8 CMOS SRAM （通用I / O）

特点

组织： 32,768字

×

8位

高速

- 10/12/15/20/25/35 NS地址，访问时间

- 3/3/4/5/6/8 ns输出使能访问时间

低功耗

- 活动：

待机：

660毫瓦最大（ 10 ns的周期）

11毫瓦最大， CMOS I / O

2.75毫瓦最大， CMOS I / O ，L版本

平等接入和周期时间

AS7C256

AS7C256L

易于内存扩展CE和OE输入

TTL兼容，三态I / O

28引脚JEDEC标准封装

- 300万PDIP和SOJ

插座7C512和7C1024兼容

- 330密耳SOIC

- 8 × 13.4 TSOP

ESD保护> 2000伏

闩锁电流> 200毫安

- 主动式功率极低的直流分量

2.0V数据保留（L版）

逻辑框图

管脚配置

DIP ， SOJ ， SOIC

VCC

GND

输入缓冲器

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A14

行解码器

I/O7

256×128×8

ARRAY

(262,144)

SENSE AMP

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CE

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O0

列解码器

WE

控制

电路

OE

CE

TSOP 8

×

13.4

A A A A A A A

7 8 9 10 11 12 13

AS7C256-01

选购指南

7C256-10

最大地址访问时间

最大输出使能访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

10

3

120

2.0

L

0.5

7C256-12

12

3

115

2.0

0.5

OE

A11

A9

A8

A13

WE

VCC

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

22

23

24

25

26

27

28

1

2

3

4

5

6

7

AS7C256

21

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

10

9

8

A10

CE

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

A0

AS7C256-02

A1

A2

7C256-15

15

4

110

2.0

0.5

7C256-20

20

5

100

2.0

0.5

7C256-25

25

6

90

2.0

0.5

7C256-35

35

8

80

2.0

0.5

单位

ns

mA

半导体联盟

AS7C256

AS7C256L

功能说明

该AS7C256是一种高性能的CMOS 262,144位

组织为静态随机存取存储器（ SRAM）的

32,768字

×

8位。它是专为存储应用

系统蒸发散的地方快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口安排

荷兰国际集团是期望的。

平等地址访问和周期时间（T

AA

, t

RC

, t

WC

）的

10/12/15/20/25/35 NS与输出使能访问时间（T

OE

)

3/3/4/5/6/8的NS非常适合高性能应用

系统蒸发散。芯片使能（ CE ）输入允许容易记忆

扩大与多个银行的内存组织。

当CE为高电平时，器件进入待机模式。该

标准AS7C256保证不超过11毫瓦

功耗在待机模式;在L型是瓜尔

及担不超过2.75毫瓦，通常只需要

500

W.

在L型还提供2.0V数据保留，与

在300这一模式的最大功耗

W.

写周期是由断言芯片来完成使能（ CE ）

和写使能（WE ）低。输入引脚上的数据

I / O0 -I / O7被写在WE的上升沿（写周期1）

或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部

设备应驱动I / O引脚输出一直后才

残疾人与输出使能（ OE ）和写使能（ WE）。

读周期是由断言芯片来完成使能（ CE ）

和输出使能（OE ）低，用写使能（WE）

HIGH 。该芯片的驱动器的I / O引脚的数据字为参考

通过输入地址的转制。当芯片使能或输出

能为高，或写使能为低电平，输出驱动器留

在高阻抗模式。

所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作

化是从单一5V电源。该AS7C256打包

在所有大批量的工业标准封装。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于GND电压

功耗

存储温度（塑料）

在偏置温度

直流输出电流

符号

V

t

P

D

T

英镑

T

BIAS

I

OUT

民

–0.5

–

–55

–10

–

最大

+7.0

1.0

+150

+85

20

单位

V

W

o

C

o

C

mA

注意：

应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

值仅为器件在这些或任何其他条件以外的那些的业务部门所标明的功能操作

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

.

真值表

CE

H

L

WE

X

H

L

OE

X

H

L

X

数据

高Z

D

OUT

D

in

模式

待机（我

SB

, I

SB1

)

输出禁用

读

写

KEY：

X =无关，L =低，H =高

2

AS7C256

AS7C256L

推荐工作条件

参数

电源电压

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

民

4.5

0.0

2.2

–0.5*

典型值

5.0

0.0

–

(T

a

= 0 ° C至+ 70 ° C）

最大

5.5

0.0

V

CC

+1

0.8

单位

V

输入电压

*V

IL

分= -3.0V脉冲宽度小于T

RC

/2.

直流工作特性

1

-10

参数

输入漏

当前

输出漏

当前

工作电源

电源电流

符号测试条件

(V

CC

= 5V ±10 ％， GND = 0V ，T

a

= 0 ° C至+ 70 ° C）

-12

-15

-20

-25

-35

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–

L

–

L

–

L

–

2.4

1

120

115

45

40

2.0

0.5

0.4

–

2.4

1

115

110

40

35

2.0

0.5

0.4

–

2.4

1

110

105

30

25

2.0

0.5

0.4

–

2.4

1

100

95

30

25

2.0

0.5

0.4

–

2.4

1

90

85

25

20

2.0

0.5

0.4

–

2.4

1

80

75

25

20

2.0

0.5

0.4

–

|

I

LI

|

I

LO

|

I

CC

I

SB

V

CC

=最大，

V

in

= GND到V

CC

CE = V

IH

, V

CC

=最大，

V

OUT

= GND到V

CC

CE = V

IL

,

f

=

f

最大，

I

OUT

= 0毫安

CE = V

IH

,

f

=

f

最大

CE > V

CC

–0.2V,

f

= 0,

V

in

≤

0.2V

or

V

in

≥

V

CC

–0.2V

I

OL

= 8毫安， V

CC

=分钟

I

OH

= -4毫安，V

CC

=分钟

A

mA

V

待机

电源

当前

I

SB1

V

OL

V

OH

输出电压

电容

2

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

A， CE， WE ， OE

I / O

（ F = 1 MHz时，T

a

=室温，V

CC

= 5V)

测试条件

V

in

= 0V

V

in

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

3

AS7C256

AS7C256L

读周期

3, 9

-10

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE ）访问时间

输出使能（ OE ）访问时间

从地址变更输出保持

CE低到低Z输出

CE高到输出高阻

OE低到低Z输出

OE高到高Z输出

电时间

关机时间

-12

(V

CC

= 5V ±10 ％， GND = 0V ，T

a

= 0 ° C至+ 70 ° C）

-15

-20

-25

-35

笔记

符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

t

RC

t

AA

t

ACE

t

OE

t

OH

t

CLZ

t

CHZ

t

OLZ

t

OHZ

t

PU

t

PD

10

–

2

3

–

0

–

0

–

10

3

–

3

–

3

–

10

12

–

3

–

0

–

0

–

12

3

–

3

–

3

–

12

15

–

3

–

0

–

0

–

15

4

–

4

–

4

–

15

20

–

3

–

0

–

0

–

20

5

–

5

–

5

–

20

25

–

3

–

0

–

0

–

25

6

–

6

–

6

–

25

35

–

3

–

0

–

0

–

35

8

–

8

–

8

–

35

ns

3

5

4, 5

读周期1的时序波形

3, 6, 7, 9

t

RC

地址

t

AA

D

OUT

AAAAAAAAAAAAAAAAAA

（地址控制）

t

OH

数据有效

读周期2时序波形

3, 6, 8, 9

t

RC1

CE

AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA

OE

AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA

（ CE控制）

t

OE

t

OLZ

AAAAAAAAAAAA

AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA

t

ACE

D

OUT

t

CLZ

供应

当前

t

PU

t

OHZ

t

CHZ

数据有效

t

PD

I

CC

I

SB

AS7C256-04

50%

4

AS7C256

AS7C256L

写周期

11

-10

参数

写周期时间

芯片使能写到底

地址设置写到底

地址建立时间

把脉冲宽度

从写结束地址保持

有效的数据写入结束

数据保持时间

写使能到输出中高Z

从输出的写端活跃

-12

(V

CC

= 5V ±10 ％， GND = 0V ，T

a

= 0 ° C至+ 70 ° C）

-15

-20

-25

-35

符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位注

t

WC

t

CW

t

AW

t

AS

t

WP

t

AH

t

DW

t

DH

t

WZ

t

OW

10

9

0

7

0

6

0

–

3

–

5

–

12

10

0

8

0

6

0

–

3

–

5

–

15

12

0

9

0

8

0

–

3

–

5

–

20

12

0

12

0

10

0

–

3

–

5

–

20

15

0

15

0

10

0

–

3

–

5

–

30

20

0

17

0

15

0

–

3

–

5

–

ns

4, 5

写周期1的时序波形

10, 11

t

WC

t

AW

地址

WE

AAAAAAAAAA

（我们控制）

t

AH

t

WP

t

DW

数据有效

t

WZ

t

OW

t

DH

t

AS

D

in

D

OUT

AS7C256-05

写周期2时序波形

10, 11

t

WC

t

AW

地址

t

AS

CE

AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA

WE

AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA

（ CE控制）

t

AH

t

CW

t

WP

t

WZ

t

DW

数据有效

AAAAAAAAAAAAAAA

AS7C256-06

AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA

t

DH

D

in

D

OUT

5