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数据表
双运算放大器
概述
该AZ4558包括两个高性能的操作
tional放大器。该IC具有高增益,高输入
性,优良的声道分离度,范围广
工作电压和内部频率补偿
化。它可以工作
±18V
最大电源供应器
电压。
的AZ4558是特别适合于应用
差动式,差动输出,以及在无电位
度量放大器和其中的增益和相位匹配
渠道是强制性的。
该AZ4558是提供DIP -8和SOIC- 8封装
年龄。
AZ4558
特点
·
·
·
·
·
·
内部频率补偿
大信号电压增益为100 dB(典型)
与5MΩ典型的高输入电阻
最大电源电压:
±18V
兼容NJM 4558
低输入电压噪声与
10nV / Hz的
在1kHz
应用
·
·
音频的AC-3解码器系统
音频放大器器
SOIC-8
DIP-8
AZ4558图1.包装类型
2006年7月修订版1.2
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器
引脚配置
AZ4558
男包/ P封装
(SOIC-8/DIP-8)
输出1
输入1
输入1+
V
EE
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
输出2
输入2-
输入2+
顶视图
图2. AZ4558的引脚配置
功能框图
3.1 K
V
CC
150
- 输入
+输入
25
产量
25
10pF
87
pF
7.1
K
7.1
K
480
4.2 K
36 K
V
EE
AZ4558图3.代表性示意图(每个放大器)
2006年7月修订版1.2
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器
订购信息
AZ4558
AZ4558
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
电路类型
M: SOIC - 8
P: DIP - 8
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AZ4558M
AZ4558MTR
AZ4558P
无铅
AZ4558M-E1
AZ4558MTR-E1
AZ4558P-E1
标记ID
铅锡
4558M
4558M
AZ4558P
无铅
4558M-E1
4558M-E1
AZ4558P-E1
包装类型
磁带&卷轴
SOIC-8
DIP-8
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2006年7月修订版1.2
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
输入电压
差分输入电压
工作结温
存储温度范围
引线温度(焊接10秒)
功耗
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
ID
T
J
T
英镑
T
L
DIP-8
P
D
SOIC-8
价值
+20
-20
±15
±30
150
-65到150
260
800
500
mW
V
V
V
o
o
o
AZ4558
单位
C
C
C
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性损坏
该设备。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute MAX-
imum Ratings"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
±4
-40
最大
±18
85
单位
V
o
C
2006年7月修订版1.2
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器
电气特性
工作条件: V
CC
=
+
15V, V
EE
= -15V ,T
A
=25
o
C除非另有规定ED 。
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入阻抗
电源电流
大信号电压增益
共模抑制比
电源抑制比
来源
输出电流
SINK
R
L
=
∞,
在整个温度
V
CM
=0V
V
CM
=0V
条件
AZ4558
典型值
0.5
25
2.5
最大
6
250
100
5.7
单位
mV
nA
nA
M
mA
dB
dB
dB
mA
mA
V
V / μs的
nV
Hz
0.3
范围
R
L
≥2Κ,
V
O
=
±
10V
R
S
≤10k
R
S
≤10k
V+=1V, V-=0V, V
O
=
2
V
V+=0V, V-=1V, V
O
=
2
V
R
L
2K
R
L
10K
R
L
=为2kΩ ,C
L
=100pF
R
S
= 50Ω , F = 1KHz的
R
L
= 2KΩ , F = 10KHz的
5
3.3
85
80
80
100
92
95
50
50
±10
±12
±13
±14
1.3
10
3.4
输出电压摆幅
压摆率
等效输入噪声电压密度
增益带宽积
兆赫
2006年7月修订版1.2
5
BCD半导体制造有限公司
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