APT15GP60BDL(G
)
600V ， 15A ，V
CE （ON）的
= 2.2V典型
谐振模式的Combi IGBT
功率MOS 7
IGBT在这种谐振模式COMBI采用的是新一代的高
电压功率IGBT 。使用穿通科技这IGBT ，非常适合许多高
频率，高电压开关应用而进行了优化的高频
开关模式电源。
特点
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
低正向二极管电压（V
F
)
超软恢复二极管
额定SSOA
符合RoHS
典型应用
感应加热
焊接
医疗
高功率电信
移谐振模式阶段
桥
G
C
TO
-2
47
E
C
G
E
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
评级
单位
600
±20
±30
56
27
65
65A @ 600V
250
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
I
CES
I
GES
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
275
2
6
2.7
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2750
±100
nA
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循
.
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
052-6356
版本B
11-2008
μA
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT15GP60BDL(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 15A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5Ω,V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
4
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
1685
210
15
7.5
55
12
15
65
8
12
29
58
130
152
121
8
12
69
88
130
267
268
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
44
55
R
G
= 5Ω
T
J
= +25°C
导通开关能量（带二极管）
5
6
μ
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
R
G
= 5Ω
T
J
= +125°C
导通开关能量（带二极管）
66
μ
J
热和机械特性
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
.50
1.00
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和二极管的泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
052-6356
版本B
11-2008
典型性能曲线
4,000
C
IES
1,000
C，电容（ F）
500
C
OES
100
50
C
水库
10
P
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
APT15GP60BDL(G)
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.60
0.50
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
注意：
PDM
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
0.20
0.3
t1
t2
0.10
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
占空比D = T1 / T2
单脉冲
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
292
F
最大
，工作频率（千赫）
T
J
( C)
0.216
耗散功率
（瓦特）
0.0060
0.161
T
C
( C)
0.284
100
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
Z
EXT
50
10
图19B ，瞬态热阻抗模型
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 400V
CE
R =5
W
G
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
052-6356
版本B
T
J
T
C
R
θ
JC
11-2008
QQ：2880707522 复制
