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模拟电源
& P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺
提供低R
DS （ ON）
并且，以确保最小的
功率损耗和散热。典型
应用的DC- DC转换器和
功率管理在便携式和
电池供电的产品如
计算机，打印机，PCMCIA卡，
蜂窝和无绳电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
G1
S2
G2
AM3524C
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.047 @ V
GS
= 4.5V
20
0.055 @ V
GS
= 2.5V
0.079 @ V
GS
= -4.5V
-20
0.110 @ V
GS
= -2.5V
TSOP-6
顶视图
1
2
3
6
5
4
D1
S1
D2
G
1
S
1
N沟道MOSFET
D
1
I
D
(A)
4.1
3.8
-3.2
-2.7
S
2
G
2
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
符号N沟道P沟道单位
参数
V
DS
20
-20
漏源电压
V
V
GS
±8
±8
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
4.1
3.3
8
1.05
1.15
0.7
-3.2
-2.6
-8
-1.05
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
吨< = 10秒
稳定状态
-55到150
C
符号
R
thJA
N沟道
典型值
最大
93
130
110
150
P沟道
典型值
最大
93
130
110
150
单位
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM3524_A
模拟电源
o
AM3524C
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
漏源导通电阻
A
转发Tranconductance
A
二极管的正向电压
A
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= -8 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55
o
C
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55
o
C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.1 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.8 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.7 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 4.1 A
V
DS
= -5 V，I
D
= -3.2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
符号
测试条件
范围
CH最小值典型值
0.4
-0.4
最大单位
V
100
-100
1
-1
10
-10
uA
uA
uA
A
5
-5
0.047
0.079
0.055
0.110
10
5
0.80
-0.83
7.5
3.8
0.6
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
S
S
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=4.1A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.2A
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=1A ,
R
GE
=15,
P沟道
V
DD
=-15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1A
R
根
=15
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号：
DS-AM3524_A
模拟电源
AM3524C
包装信息
TSOP- 6： 6LEAD
3
初步
出版订单号：
DS-AM3524_A
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AD5321BRT
AT24C04A-10SI
AT-11
AEO40M48-6L
APT15GP60BDLG
AM27LS00FC
ATMEGA16-16MC
AIAC-4125C-R538
APM4416KCTU
AT536RATR25_SZ
AZ2800-2C-208A
AME8500AEFTAE16
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AM3524C
    -
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    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市源丰诚电子科技有限公司
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电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
AM3524C
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17+
4550
SOT23-6
进口全新原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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23000
TSOP-6
一级代理专营，原装现货，价格优势
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联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
AM3524C
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25+
4500
TSOP-32
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