【APM4416N沟道增强型MOSFET特点30V / 8A ，RDS （ ON）= 15MΩ （典型】,IC型号APM4416KCTU,APM4416KCTU PDF资料,APM4416KCTU经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM4416

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 8A ，R

DS （ ON）

= 15MΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 22MΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

SO- 8封装

引脚说明

SO-8

S

S

S

G

1

2

3

4

8

7

6

5

D

D

D

D

顶视图

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

G

D

订购和标识信息

APM 4416

H A N D林克C 0 D E

TEM页。法兰

P ackage 颂歌

S

N沟道MOSFET

P ackage 颂歌

K： S 0 -8

P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é

C： -5 5月5日至一日0 ℃，

H A N D林克C 0 D E

TU ：管

TR ：带卷&

一个P M 4416克：

一个P M 4416

XXXXX

X X X X X - D上TE C 0 D E

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D*

I

DM

漏源电压

栅源电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

30

±20

8

32

A

V

单位

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

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1

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*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

APM4416

绝对最大额定值续。

符号

P

D

参数

最大功率耗散

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

J

T

英镑

R

θJA

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

2.5

1.0

150

-55到150

50

W

°C

°C

° C / W

单位

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

a

V

SD

a

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4416

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=24V , V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

= 0V ，T

j

= 55°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V , V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=4A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=2A

I

SD

= 2A ，V

GS

=0V

V

DS

= 15V ，我

DS

= 10A

V

GS

=5V

30

1

5

1

15

22

0.6

15

5.8

3.8

11

18

26

54

30

3

±100

18

30

1.3

20

V

A

V

nA

m

V

动态

b

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

nC

V

DD

= 15V ，我

DS

=2A ,

V

根

= 10V ，R

G

=6

V

GS

=0V

V

DS

=15V

17

37

20

1150

230

100

ns

pF

反向传输电容频率= 1.0MHz的

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

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APM4416

典型特征

输出特性

30

40

传输特性

V

GS

=5,6,7,8,9,10V

25

I

DS

- 漏电流（A ）

I

DS

- 漏电流（A ）

30

20

V

GS

=4V

15

20

T

J

=25°C

10

V

GS

=3.5V

V

GS

=3V

10

T

J

=125°C

T

J

=-55°C

5

0

0

2

4

6

8

10

0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.2

导通电阻与漏电流

0.040

V

GS （ TH）

-threshold电压（V ）

（归一化）

I

DS

=250A

1.0

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.035

0.030

V

GS

=4.5V

0.025

0.020

0.8

V

GS

=10V

0.015

0.010

0.005

0.6

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

0.000

0

5

10

15

20

25

30

T

j

-Junction温度（℃ ）

I

DS

- 漏电流（A ）

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APM4416

典型特征连拍。

导通电阻与栅极至源极电压

0.045

上Resistaence与结温

R

DS （ ON）

-on电阻（Ω）（归一化）

1.6

I

DS

=4A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.040

0.035

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

0.000

3

4

5

6

7

8

9

10

V

GS

=10V

I

DS

=4A

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

栅极电压（ V）

T

j

-Junction温度（℃ ）

栅极电荷

10

2000

电容特性

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

V

DS

=15V

I

DS

=10A

C-电容（pF ）

8

1000

西塞

500

6

科斯

4

2

100

CRSS

Frequency=1MHz

0

0

5

10

15

20

25

30

0.1

1

10

30

Q

G

- 总栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

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典型特征连拍。

源极 - 漏极二极管正向电压

100

单脉冲功率

60

50

I

SD

- 源电流（A ）

10

40

功率（W）的

1.2

1.4

30

1

T

J

=125°C

T

J

=-55°C

20

T

J

=25°C

0.1

0.0

10

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

V

SD

- 源漏极电压

时间（秒）

归瞬态热阻抗瞬态，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

0.1

D=0.05

1.占空比D = T1 / T2

2.每单位基础= R

thJA

=50°C/W

3. T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

4.表层嵌

-3

-2

-1

0

1

2

D=0.02

单脉冲

0.01

-4

10

10

10

10

10

10

10

方波脉冲持续时间（秒）

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联系人：杨小姐

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联系人：刘先生

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