AOK60N30
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
3550
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
410
22
0.8
70
V
GS
=10V, V
DS
= 240V ，我
D
=60A
4438
593
38
1.7
88
21
28
88
V
GS
=10V, V
DS
= 150V ，我
D
=60A,
R
G
=25
I
F
=60A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
250
11
222
224
132
320
14.5
390
18
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
= 240V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
= 40V ，我
D
=30A
I
S
=1A,V
GS
=0V
2.9
3.5
0.042
52
0.68
1
60
200
5330
770
54
2.6
106
300
350
0.26
1
10
±100
4.1
0.056
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=60A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 9.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
REV0 ： 2012年5月
www.aosmd.com
页2的5
AOK60N30
典型的电气和热特性
15
V
DS
=240V
I
D
=60A
电容（pF）
1000
C
OSS
10000
C
国际空间站
12
V
GS
（伏）
9
6
100
C
RSS
3
0
0
90
120
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
30
60
150
10
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
75
1000
额定电流我
D
(A)
60
100
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
DC
10ms
100ms
30
I
D
（安培）
45
10
1
15
0.1
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图9 ：电流降评级（注二）
25
50
150
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
100
1000
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全
对于AOK60N30 （注F）工作区
10
0.01
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.19°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
1E-06
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11： AOK60N30归最大瞬态热阻抗（注F）
1E-05
0.0001
1
10
REV0 ： 2012年5月
www.aosmd.com
第4 5
AOK60N30
300V ， 60A N沟道MOSFET
概述
该AOK60N30使用，旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
350@150℃
60A
< 0.056Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOK60N30
300
±30
60
40
200
9.5
1353
2707
5
658
5.3
-55到150
300
AOK60N30
40
0.5
0.19
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
1/5
www.freescale.net.cn
AOK60N30
300V ， 60A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
3550
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
410
22
0.8
70
V
GS
=10V, V
DS
= 240V ，我
D
=60A
4438
593
38
1.7
88
21
28
88
V
GS
=10V, V
DS
= 150V ，我
D
=60A,
R
G
=25
I
F
=60A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
250
11
222
224
132
320
14.5
390
18
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
= 240V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
= 40V ，我
D
=30A
I
S
=1A,V
GS
=0V
2.9
3.5
0.042
52
0.68
1
60
200
5330
770
54
2.6
106
300
350
0.26
1
10
±100
4.1
0.056
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=60A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 9.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
2/5
www.freescale.net.cn
AOK60N30
300V ， 60A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=240V
I
D
=60A
电容（pF）
1000
C
OSS
10000
C
国际空间站
12
V
GS
（伏）
9
6
100
C
RSS
3
0
0
90
120
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
30
60
150
10
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
75
1000
额定电流我
D
(A)
60
100
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
DC
10ms
100ms
30
I
D
（安培）
45
10
1
15
0.1
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图9 ：电流降评级（注二）
25
50
150
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
100
1000
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全
对于AOK60N30 （注F）工作区
10
0.01
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.19°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
1E-06
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11： AOK60N30归最大瞬态热阻抗（注F）
1E-05
0.0001
1
10
4/5
www.freescale.net.cn
QQ：2880707522 复制
