APT15GP60B
APT15GP60S
600V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 400V ， 19A
200 kHz的工作频率@ 400V ， 12A
额定SSOA
G
C
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT15GP60B_S
单位
600
±20
±30
56
27
65
65A @ 600V
250
-55到150
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
250
2
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 15A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
050-7413
REV C
I
GES
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
±100
nA
5-2006
I
CES
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
2500
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
1
APT15GP60B_S
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 15A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
4
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
1685
210
15
7.5
55
12
15
65
8
12
29
58
130
152
121
8
12
69
88
130
267
268
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
44
55
R
G
= 5
T
J
= +25°C
导通开关能量（带二极管）
5
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（带二极管）
66
J
热和机械特性
.50
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和二极管的泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-7413
REV C
5-2006
典型性能曲线
4,000
I
C
，集电极电流（ A）
70
资本投资者入境计划
60
50
40
30
20
10
0
APT15GP60B_S
1,000
C，电容（ F）
500
卓越中心
100
50
CRES
10
P
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.60
0.50
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.3
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
注意：
PDM
t1
t2
0.20
0.10
0
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
292
F
最大
，工作频率（千赫）
T
J
( C)
0.216
耗散功率
（瓦特）
0.0060
0.161
T
C
( C)
0.284
100
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
Z
EXT
50
图19B ，瞬态热阻抗模型
15 20 25 30 35 40 45 50
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
5
10
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
5-2006
050-7413
REV C
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC
QQ：2880707522 复制
