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直接调制/快速波形生成,
13 GHz的分数N频率合成器
数据表
特点
射频带宽为13 GHz的
高速和低速FMCW斜坡生成
25位固定模数允许subhertz频率分辨率
PFD频率高达110 MHz的
-224 dBc的/赫兹的归一化相位噪声地板
FSK和PSK功能
锯齿波,三角,和抛物线波形生成
坡道叠加FSK
斜带2个不同的扫描速率
斜坡延时,频率回读和中断功能
可编程相位控制
2.7 V至3.45 V模拟电源
1.8 V数字电源
可编程电荷泵电流
3线串行接口
数字锁定检测
ESD性能: 3000V的HBM , 1000 V CDM
ADF4159
概述
ADF4159
是13千兆赫,小数N分频合成器
与调制和快速和慢速波形生成
能力。该器件采用25位固定模数,允许subhertz
频率分辨率。
ADF4159
由低噪声数字鉴频鉴相的
检测器(PFD ) ,精密电荷泵和可编程
参考分频器。 Σ- Δ型小数插值器允许
可编程小数N分频。 INT和FRAC寄存器
定义了一个总N分频器为N = INT + ( FRAC / 2
25
).
ADF4159
可用于实现频移键控
( FSK)和相移键控(PSK )调制。扫频
模式也可以产生各种波形
频域,例如,锯齿波和三角波
形式。该
ADF4159
具有周跳减少电路,
实现了更快的锁定时间,而无需修改
环路滤波器。
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。该
ADF4159
与在范围内的模拟电源供电
2.7 V至3.45 V和1.62 V范围内的数字供电
到1.98 V.该设备可断电时不使用。
应用
FMCW雷达
通信测试设备
通信基础设施
AV
DD
DV
DD
SDV
DD
功能框图
V
P
R
SET
ADF4159
×2
5-BIT
v计数器
÷2
分频器
+
频率
探测器
参考
SW2
REF
IN
收费
企业社会责任
CP
高-Z
DGND
LOCK
检测
MUXOUT
产量
MUX
SD
OUT
DV
DD
R
DIV
N
DIV
CE
TX
数据
CLK
数据
LE
三阶
部分的
快速锁定
开关
SW1
+
N计数器
RF
IN
A
RF
IN
B
32-BIT
数据
注册
分数
价值
系数
2
25
价值
价值
AGND
DGND
SDGND
CPGND
图1 。
版本B
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
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商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
10849-001
ADF4159
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序规格................................................ .................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
热阻................................................ ...................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
工作原理............................................... ....................... 10
参考输入部分............................................... .............. 10
RF输入级............................................... .............................. 10
RF INT分频器............................................... ............................ 10
25位固定模数............................................. ................... 10
INT , FRAC和R计数器的关系................................ 10
v计数器................................................ .................................... 10
相位频率检测器( PFD)和电荷泵............ 11
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 11
输入移位寄存器............................................... ...................... 11
节目模式................................................ .......................... 11
寄存器映射................................................ .................................. 12
FRAC / INT寄存器( R0 )地图.......................................... ........ 14
LSB FRAC寄存器( R1 )地图........................................... ........ 15
R分频器寄存器( R2 )地图........................................... ......... 16
功能寄存器( R3 )地图............................................ .......... 18
时钟寄存器( R4 )地图............................................ ............... 20
数据表
偏移寄存器( R5 )地图............................................ ........ 21
步长寄存器( R6 )地图............................................ .................. 22
延迟寄存器( R7 )地图............................................ ............... 23
应用信息................................................ .............. 24
初始化序列................................................ .............. 24
RF合成器成功范例............................................. 24
参考倍增................................................ ...................... 24
周跳减少为缩短锁定时间........................... 24
调制................................................. ................................. 25
波形产生................................................ ............... 25
波形偏差和时序........................................... 26
单斜面突发............................................... ....................... 26
单三角突发............................................... ............... 26
单锯齿突发............................................... ................. 26
锯齿形斜坡................................................ ........................... 26
三角斜坡................................................ ........................ 26
FMCW雷达斜坡设置成功范例...................... 26
激活斜坡............................................... ................... 27
其他波形................................................ ....................... 27
斜坡完成信号到MUXOUT ..................................... 30
中断模式和频率回读............................ 31
快速锁定模式............................................... ........................... 32
推动机制................................................ ....................... 33
滤波器设计使用的ADIsimPLL .............................................. 33
PCB设计准则芯片级封装.............. 33
在FMCW雷达的ADF4159的应用........................... 34
外形尺寸................................................ ....................... 35
订购指南................................................ .......................... 35
修订历史
6月13日 - 修订版。 A到版本B
改变PFD反冲脉冲从3 ns至1 ns的相
频率检测器( PFD)和电荷泵科............. 11
更改电荷泵电流设置和节
参考倍增科............................................... ............. 16
变负流血当前启用部分和损失
锁( LOL )第............................................. ........................... 18
5月13日 - 修订版A :最初的版本
版本B |第36 2
数据表
特定网络阳离子
ADF4159
AV
DD
= V
P
= 2.7 V至3.45 V, DV
DD
= SDV
DD
= 1.8 V , AGND = DGND = SDGND = CPGND = 0 V,F
PFD
= 110兆赫,T
A
= T
给T
最大
,
dBm的称为50 Ω ,除非另有说明。
表1中。
参数
1
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
预分频器输出频率
基准特性
REF
IN
输入频率
0.5
典型值
最大
13
2
10
260
单位
GHz的
GHz的
兆赫
测试条件/评论
为-10 dBm最小为0 dBm的最大;较低
频率,保证了压摆率≥ 400 V / μs的
对于更高的频率,使用8/9分频
-5 dBm的min至+9 dBm的最大偏置
1.8 / 2 ( AC耦合确保1.8 / 2偏压) ;为
频率< 10兆赫,采用直流耦合,
CMOS兼容的方波与
压摆率> 25 V / μs的
DB20位寄存器R2设置为1
参考倍增启用
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位频率检测器( PFD)的
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源出电流
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
水槽和源匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INH
/I
INL
输入电容,C
IN
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
输出高电流,I
OH
电源
AV
DD
DV
DD
, SDV
DD
V
P
AI
DD
DI
DD
I
P
掉电模式
10
50
1.2
±100
110
兆赫
pF
A
兆赫
4.59
4.8
300
2.5
5.1
1
2
2
2
5.61
mA
A
%
k
nA
%
%
%
V
V
A
pF
V
V
A
V
V
V
mA
mA
mA
A
可编程
R
SET
= 5.1 k
R
SET
= 5.1 k
漏极和源极电流
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
0.5 V
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
0.5 V
V
CP
= V
P
/2
1.4
0.4
±1
10
DV
DD
0.4
0.3
100
2.7
1.62
2.7
3.45
1.98
3.45
40
10
7
选择CMOS输出
I
OL
= 500 A
1.8
26
7.5
5.5
2
通过AV绘制电源电流
DD
;
f
PFD
= 110兆赫
通过DV绘制电源电流
DD
;
f
PFD
= 110兆赫
用V绘制电源电流
P
; f
PFD
= 110兆赫
版本B |第36 3
ADF4159
参数
1
噪声特性
归一化相位噪声楼
3
整数N分频模式
小数N分频模式
归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)
4
相位噪声性能
5
12002 MHz输出
6
1
2
数据表
典型值
最大
单位
测试条件/评论
PLL环路带宽= 1 MHz的
FRAC = 0
测量在10 kHz偏移,归一化
到1 GHz
在VCO输出
在50 kHz偏置, 100 MHz的PFD频率
224
217
120
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
96
dBc的/赫兹
工作温度:-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
3
本说明书中可用于计算相位噪声的任何应用程序。使用公式( (归一化相位噪声楼) + 10日志(F
PFD
) + 20 LOGN )来计算
带内相位噪声性能看,在VCO的输出。
4
PLL的相位噪声是由闪烁(的1 / f )噪声加归一化的PLL噪声基底的。该公式用于计算在一个RF频率的1 / f噪声的贡献(六
RF
)
并且在偏移频率(f)是由PN = PN定
1_f
+10日志(10千赫/女) +20日志(六
RF
/ 1千兆赫) 。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模
ADIsimPLL可以。
5
相位噪声测量与EV- ADF4159EB3Z和罗德&施瓦茨FSUP信号源分析仪。
6
f
REFIN
= 100 MHz的; F
PFD
= 100 MHz的;偏移频率= 50 kHz的; RF
OUT
= 12002兆赫; N = 120.02 ;环路带宽= 250千赫。
时序特定网络阳离子
AV
DD
= V
P
= 2.7 V至3.45 V, DV
DD
= SDV
DD
= 1.8 V , AGND = DGND = SDGND = CPGND = 0 V ,T
A
= T
给T
最大
, dBm的简称50 Ω ,
除非另有说明。
表2.写时序
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
给T
最大
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
描述
LE建立时间
DATA到CLK建立时间
DATA到CLK保持时间
CLK高时间
CLK低时间
CLK到LE建立时间
LE脉冲宽度
写时序图
t
4
CLK
t
5
t
2
数据
DB31 (MSB)
DB30
t
3
DB2
(控制位C3 )
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
10849-002
图2.写时序图
版本B |第36 4
数据表
表3.读时序
参数
t
1 1
t
2
t
3
t
4
t
5
1
ADF4159
在T限制
给T
最大
t
PFD
+ 20
20
25
25
10
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
描述
TX
数据
建立时间
CLK建立时间的数据(上MUXOUT )
CLK高时间
CLK低时间
CLK到LE建立时间
t
PFD
为PFD频率的周期;例如,如果在PFD频率为50兆赫,叔
PFD
= 20纳秒。
读时序图
TX
数据
t
1
CLK
t
3
t
4
t
2
MUXOUT
DB36
DB35
DB2
DB1
DB0
t
5
LE
笔记
1. LE应保持高读回过程中。
10849-003
图3.读时序图
500A
I
OL
TO MUXOUT
0.9V
C
L
10pF
10849-004
100A
I
OH
图4.负载电路MUXOUT时间,C
L
= 10 pF的
版本B |第36 5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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