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AP09T10GK-HF
初步
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
更低的栅极恰克
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
D
100V
300mΩ
2.4A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
来自APEC高级功率MOSFET提供
最佳组合最佳组合ofruggedized设备的设计，低导通
设计师与快速切换，快速切换，
性和成本效益。
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
采用SOT - 223封装是专为suface安装的应用程序，大
散热器比SO -8和SOT封装。
S
D
SOT-223
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
100
+20
2.4
1.9
10
2.78
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
总功耗
3
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
45
单位
℃/W
1
20110824pre
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP09T10GK-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=1A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=2A
V
DS
=80V
V
GS
=10V
V
DS
=50V
I
D
=2A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
100
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
3
-
-
8
1.5
2.5
5
12
12
3
250
50
30
MAX 。单位
-
300
450
3
-
25
+100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
=2A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
25
20
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 120
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
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ASD705-12S5
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供货商
型号
厂家
批号
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封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP09T10GK-HF
    -
    -
    -
    -
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