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Am29PL320D
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29GL032M取代Am29PL320D ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29GL032M数据表的规格和订购信息。可用性本文档中
换货保留仅供参考,历史的目的。
2005年6月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
24075
调整
C
修订
+3
发行日期
2005年6月13日
这页有意留为空白。
Am29PL320D
32兆位(2M ×16位/ 1的M× 32位)
CMOS 3.0伏只高性能页模式闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL032M取代Am29PL320D ,是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29GL032M数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
- 待机模式电流: 2 μA
软件特点
32 Mbit的页面模式设备
- 字(16位)或双字( 32位)模式下
通过WORD #的输入选择
- 8字/ 4双字页面大小:快速页面
读从内任意位置访问
页面
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
灵活的部门架构
- 扇区大小( X16配置) :一个16千字,
两个8千字,一是96 K字和15 128
千字行业
- 支持整片擦除
SecSi
(安全硅)扇形区域
- 当前版本的设备有512个字( 256
双字) ;未来的版本将有128
字(64个双字)
顶部或底部启动块配置
在0.23微米制程技术制造的
20年的数据保存在125
°
C
最低百万次擦写保证
每个扇区
性能特点
软件命令集兼容JEDEC
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件特性
扇区保护
- 锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
- 部门可以通过编程来锁定
设备
- 临时机构撤消命令
序列允许在以前的代码更改
锁定行业
ACC (加速)的输入提供更快
编程时间
WP # (写保护)输入
- 在V
IL
,保护第一或最后一个32千字部门,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 一个内部上拉至V
CC
提供
封装选项
- 84球FBGA
高性能的读取访问时间
- 页面访问时间快20纳秒
- 随机存取时间快60纳秒
功耗(典型值)
- 初始页面读取电流:4 MA( 1兆赫) ,
40毫安( 10兆赫)
- 内页的读取电流:15 MA( 10兆赫) ,
50毫安( 33兆赫)
- 编程/擦除电流: 25毫安
出版#
24075
启:
C
Amendment/+3
发行日期:
2005年6月13日
请参考AMD的网站( www.amd.com/flash )了解最新信息。
概述
该Am29PL320D是32兆, 3.0伏只页面
模式闪存设备组织为2,097,152
字或1,048,576双字。该装置是OF-
fered以84球FBGA封装。在字宽
数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;双字处理
宽( X32 )的数据显示在DQ31 - DQ0 。该装置是
可在顶部和底部启动的版本。这
装置可在系统或与被编程在标
准EPROM编程器。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供20个, 25页快速访问时间,
和35纳秒,与相应的随机存取时间
60 ,70, 90纳秒,分别允许高速微
处理器无需等待状态运行。为了消除
总线争用的设备都有单独的芯片使能
( CE# ),写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE # )
控制。
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7
(数据#投票)和DQ6 (切换)
状态位。
程序或擦除周期已经完成,该装置
准备读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
R 。牛逼hiscanbeachi EV EDIN - systemorvia
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
SecSi
扇形
(安全硅)是一个额外的节
器能够被永久锁定, AMD或
客户。该
SecSi标志位
( DQ7 )是perma-
nently设置为1,如果该部件是
工厂锁定,
和SET
到0,如果
客户可锁定。
这样一来,顾客锁相
能部件不能被用来代替一个工厂
锁定杆吨。
当前版本的设备有512
字(256个双字) ;未来的版本将
只有128个字(64个双字) 。这
应系统设计过程中加以考虑。
外交事务委员会
保守党锁定部分可以存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可以被编程
之后,来自AMD正在出货。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
页面模式功能
该设备是AC时间,输入,输出,和包
与16兆位×16页模式兼容面膜
只读存储器。
页面大小为8个字或4个双字。
后初始页面访问完成时,页面
模式能提供快速的读取访问速度
该页面中的随机位置。
标准闪存产品特点
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国米应受
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
ALGOR ithm ,跨NAL算法
自动时间程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。该
解锁绕道
模式
只需要促进更快的编程时间
两个写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
2
Am29PL320D
2005年6月13日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
输入配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
标准产品................................................ .................... 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29PL320D设备总线操作................................ 9
图3.擦除操作............................................. ................. 23
临时机构撤消启用/禁用
命令序列................................................ .............. 24
图4.临时机构撤消算法.......................... 24
命令定义................................................ ............. 25
表13.命令定义(双字模式) .................. 25
表14.命令定义(字模式) ............................... 26
字/双字配置............................................. 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
阅读模式................................................ ............................... 9
随机读取(非页面模式读取) ......................................... 9 ...
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 27
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 27
页面模式读取............................................... ..................... 10
表2.双字模式............................................ ............... 10
表3字模式............................................. ........................... 10
DQ6 :切换位.............................................. ........................ 28
DQ2 :触发位.............................................. ........................ 28
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 28
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 28
图6.切换位算法............................................ ............ 29
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................... ....... 11
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 29
表15.写操作状态............................................ ....... 30
编程和擦除操作状态.................................... 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表4.扇区地址表,顶部引导( Am29PL320DT ) ........... 12
表5. SecSi
顶级引导设备.............扇区地址12
表6.扇区地址表,底部引导( Am29PL320DB ) ...... 13
表7. SecSi
对于扇区地址
底部引导设备............................................... ........................ 13
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图7.最大负过冲波形...................... 31
图8.最大正过冲波形........................ 31
自选模式................................................ ..................... 14
表8. Am29PL320D自动选择代码(高压法) ..14
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
商业( C)设备............................................. ............ 31
工业级(I )设备............................................. .................. 31
V
CC
电源电压................................................ .............. 31
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
CMOS兼容................................................ .................. 32
零功耗闪存............................................... .................... 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动休眠
电流) ................................................ ........................................ 33
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 33
图11.测试设置............................................. ........................ 34
表16.测试规范............................................. ............ 34
扇区保护/ unprotection的.............................................. 14
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 15
表9. CFI查询标识字符串.......................................... 15
表10.系统接口字符串............................................ ....... 16
表11.设备几何定义............................................ 16
表12.主要供应商特定的扩展查询...................... 17
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图12.输入波形和测量水平................. 34
SecSi
(安全硅)行业闪存地区....... 18
工厂锁定: SecSi部门和编程
保护在工厂.............................................. ................... 18
客户可锁定: SecSi部门未编程或锁定
在工厂............................................... .................................. 18
图1. SecSi部门保护验证........................................... ... 19
读操作................................................ .................... 35
图13.传统的读操作时序....................... 36
图14.页读时序............................................ .......... 36
双字/词的配置( WORD # ) ........................ 37
图15. WORD #时序进行读操作.......................... 37
图16. WORD #时序写操作.......................... 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 19
硬件数据保护............................................... ....... 19
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 19
逻辑禁止................................................ .................................. 19
上电写禁止............................................. ....................... 19
编程/擦除操作.............................................. ...... 38
图17.程序操作时序..........................................
图18. AC波形的芯片/扇区擦除操作........
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6的擦除和
擦除挂起操作............................................... .............
39
40
40
41
41
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
读阵列数据............................................... ................. 19
复位命令................................................ ..................... 20
自选命令序列............................................ 20
进入SecSi
行业/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 20
字/双字编程命令序列............... 20
解锁绕道命令序列.............................................. 21
图2.程序运行............................................. ............. 21
备用CE#控制
擦除/编程操作.............................................. ....... 42
图22.备用CE #控制的写操作时序...... 43
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 44
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
BGA封装电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
FBF084-84球细间距球栅阵列( FBGA ) 11× 12毫米..... 46
芯片擦除命令序列........................................... 22
扇区擦除命令序列........................................ 22
擦除暂停/删除恢复命令........................... 22
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
版本A( 2001年3月7日) .......................................... .......... 47
2005年6月13日
Am29PL320D
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