P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................... 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表2.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
SS
....12
图6.切换位算法............................................ ............ 34
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 35
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 35
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 35
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 35
表18.写操作状态............................................ ....... 36
对于读阵列数据要求................................... 13
写命令/命令序列............................ 13
加快程序运行............................................. 13
自选功能................................................ .............. 13
同时读/写操作零延迟....... 13
自动休眠模式............................................... ............ 14
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 14
输出禁止模式............................................... ............... 14
表3.设备银行部............................................ ............ 14
表4.前引导扇区地址........................................... ..15
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
工业级（I ）设备............................................. .................. 37
V
CC
F / V
CC
客户供应电压............................................... ........ 37
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
CMOS兼容................................................ .................. 38
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 。 39
零功耗闪存.............................................. ................... 40
图9.我
CC1
电流与时间（显示主动和自动休眠
电流） ................................................ ........................................ 40
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 40
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
图11.测试设置............................................. ....................... 41
表19.测试规范............................................. ............ 41
部门/部门块保护和unprotection的.................. 19
表8.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 19
表9.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 20
键切换波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
图12.输入波形和测量水平................. 41
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
SRAM CE＃的时机............................................. ................... 42
图13.时序图交替SRAM之间的Flash ..
42
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 20
临时机构/部门撤消座............................. 20
图1.临时机构撤消操作........................... 21
图1.在系统部门/部门块保护和撤消
算法................................................. ...................................... 22
闪存只读操作............................................. .... 43
图14.读操作时序............................................ ... 43
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 44
图15.复位时序............................................. .................. 44
SecSi （安全硅）部门闪存区.......... 23
工厂锁定： SecSi部门编程并保护在
工厂................................................. ................................... 23
客户可锁定： SecSi部门未编程或
保护在工厂.............................................. ........... 23
图2. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
闪字/字节配置（ CIOf ） .................................... 45
图16. CIOf时序进行读操作................................ 45
图17. CIOf时序写操作................................ 45
闪存擦除和编程操作.................................... 46
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
47
47
48
49
49
50
50
硬件数据保护............................................... ....... 24
低V
CC
写禁止................................................ .............. 24
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 24
逻辑禁止................................................ .......................... 24
上电写禁止............................................. ............... 24
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 24
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读阵列数据............................................... ................. 27
复位命令................................................ ..................... 27
自选命令序列............................................ 27
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 28
字节/字编程命令序列............................. 28
解锁绕道命令序列..................................... 28
图3.程序操作............................................. ............. 29
临时机构/部门撤消座............................. 51
图25.临时机构/部门撤消座
时序图................................................ .............................. 51
图26.行业/部门块保护和撤消
时序图................................................ .............................. 52
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 53
图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 54
SRAM读周期............................................... ................... 55
图28. SRAM读周期，地址控制...................... 55
图29. SRAM读周期............................................ ............ 56
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
图4.擦除操作............................................. .................. 30
表15.自动选择设备ID （字模式） ............................... 31
表17.自动选择设备ID （字节模式） ................................ 32
SRAM写周期............................................... ................... 57
图30. SRAM写周期-WE ＃控制................................ 57
图31. SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制............................. 58
图32. SRAM写周期-UB ＃ s和LB ＃控制研究............... 59
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 33
图5.数据＃轮询算法........................................... ........ 33
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 34
2003年5月19日
闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
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61
Am42DL32x4G
3
