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Am29LV160B
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29AL016D
SUPERSEDES
Am29LV160B
而且是厂家推荐的迁移路径。请参阅
S29AL016D
数据表规格和订购信息。可用性这个文件是
保留仅作参考,历史的目的。
2005年6月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
21358
调整
H
修订
4
发行日期
2005年6月6日
这页有意留为空白。
Am29LV160B
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29AL016D取代Am29LV160B ,是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29AL016D数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
在0.32微米制程技术制造的
高性能
- 全电压范围:存取时间快80纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
70纳秒
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
- 锁定一个部门的硬件方法,以防止任何
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
最低百万写周期保证
每个扇区
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成(不可用
在44引脚SO )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21358
启:
H
Amendment/4
发行日期:
2005年6月6日
概述
该Am29LV160B是16兆, 3.0伏只闪存
组织为2,097,152字节或1,048,576字。 DE-的
副提供的48球FBGA封装, 44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据( x16的)出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在DQ7-
DQ0 。此装置被设计在系统被编程
与标准体系3.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备提供了访问时间的70%,80 , 90 ,和120个
NS ,允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的DE-
副设有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160B完全是命令集兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术,结合多年闪存存储器的
储器制造经验,生产的最高
的质量,可靠性和成本效益的水平。该
装置电擦除一个扇区内的所有位Si-所示
通过multaneously福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV160B
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
目录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊处理的说明............................................... 7 ....
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
标准产品................................................ .................... 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29LV160B设备总线操作.............................. 10
图6.切换位算法............................................ ............ 28
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 29
表10.写操作状态............................................ ....... 29
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
商业( C)设备............................................. ............ 30
工业级(I )设备............................................. .................. 30
扩展( E)设备............................................. ................ 30
V
CC
电源电压................................................ .............. 30
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
CMOS兼容................................................ .................. 32
零功耗闪存............................................... .................... 33
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动休眠
电流) ................................................ ........................................ 33
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 33
字/字节配置.............................................. .......... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 10
编程和擦除操作状态.................................... 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2扇区地址表( Am29LV160BT ) .......................... 13
表3扇区地址表( Am29LV160BB ) .......................... 14
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图11.测试设置............................................. ........................ 34
表11.测试规范............................................. ............ 34
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图12.输入波形和测量水平................. 34
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
读操作................................................ .................... 35
图13.读操作时序............................................ 35
自选模式................................................ ..................... 15
表4. Am29LV160B自动选择代码(高压法) .. 15
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 36
图14. RESET #时序............................................ .............. 36
扇区保护/ unprotection的.............................................. 15
临时机构撤消............................................... ... 16
图1.临时机构撤消操作........................... 16
在系统部门保护/撤消算法17
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 37
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 37
图16. BYTE #时序写操作............................ 37
擦除/编程操作.............................................. ....... 38
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6擦除和擦除
暂停运营................................................ ......................
39
40
41
41
42
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 18
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 18
表6.系统接口字符串............................................ ......... 19
表7.设备几何定义............................................ .. 19
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 20
硬件数据保护............................................... ....... 20
低V
CC
写禁止................................................ .............. 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
读阵列数据............................................... ................. 21
复位命令................................................ ..................... 21
自选命令序列............................................ 21
字/字节编程命令序列............................. 21
解锁绕道命令序列..................................... 22
图3.程序操作............................................. ............. 22
临时机构撤消............................................... ... 42
图22.部门保护/撤消时序图.................... 43
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 44
图23.备用CE #控制的写操作时序...... 45
芯片擦除命令序列........................................... 22
扇区擦除命令序列........................................ 23
擦除暂停/删除恢复命令........................... 23
图4.擦除操作............................................. .................. 24
表9. Am29LV160B命令定义................................. 25
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 26
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 26
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 27
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 27
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 27
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 27
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 46
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
TS 048-48引脚TSOP标准(以毫米计) .. 47
TSR048-48引脚的反向TSOP (以毫米计) .. 49
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA ) 8 ×9mm的
(以毫米计) ............................................. .......... 50
SO 044-44引脚小外形封装(在millime-测
字符) ................................................ ........................................ 51
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
版本F( 1998年1月) ............................................ .......... 52
修订版F + 1 .............................................. ............................. 52
修订版F + 2 .............................................. ............................. 52
G版( 1999年1月) ............................................ ......... 52
修订版G + 1 ( 1999年2月) .......................................... ..... 52
修订版H ( 1999年11月23日) .......................................... 。 52
修订版H + 1 ( 2000年2月22日) ........................................ 。 53
Am29LV160B
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